中兴微电子拼啦,五模、LTE-A芯片年底上市!

发布者:中华古风最新更新时间:2014-10-31 来源: eefocus关键字:中兴  LTE-A  五模  CMOS  28nm 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章
作为国内首颗采用28纳米CMOS先进工艺并且一次顺利Tapeout终端芯片,中兴迅龙7510支持TDD-LTE/FDD LTE/TD-SCDMA/GSM四模十八频已应用在mifi、CPE、平板电脑、行业终端产品上,并已经大批量上市发货。同时,采用迅龙7510的Mifi、CPE等也在运营商的多次集采中中标。

另外,由于迅龙7510最小面积的特点非常适合适合平板电脑、上网本, 中兴微电子的迅龙7510已经成功应用于基于INTEL架构处理器以及微软Windows8.1操作系统的平板。

年底推出5模+LTE-A芯片

随着7510芯片的成功商用,中兴微电子计划在年底推出支持LTE的五模芯片和LTE-A的芯片,除增加对WCDMA的支持,在LTE速率上将有更大的提升,下行速率可以达到300Mbps,上行速率可以达到100Mbps。除了在在速率上不断为用户带来更快的体验,在芯片的工艺上,中兴微电子还计划研发16nm乃至10nm工艺的芯片。

同时为了全面提高产品的竞争力,提高产品的集成度、降低成本以进一步提高芯片解决方案的竞争力,中兴微电子专门组建了RF专家团队,已经成功研发出了RF、ABB和PMU芯片,未来中兴微电子还计划推出集成DBB+AP+RF的SoC单芯片,成本、面积等更具优势。

据中兴微电子副总经理倪海峰透露,针对智能手机芯片,中兴微电子相关的产品已在正在研发中。对于当前热点领域可穿戴设备、物联网应用,中兴微电子也一直保持高度关注,相应的解决方案已经在规划中。

打破垄断促进产业发展

随着国内终端芯片企业如中兴,联发科等不断创新发展,不仅增强了电子信息产业的实力,还打破了国外芯片厂商的长期垄断,降低了国内厂商芯片成本,促进了整个产业的发展。

倪海峰表示,国产自研芯片打破了国外芯片厂商长期垄断的地位,也是对国家在芯片产业上大力扶持的最好回报。对于中兴集团公司而言,自研芯片也将扮演非常重要地角色,可以进一步提升整个公司的核心竞争力。另外自研芯片在成本上更具优势,作为终端产业链上的一个重要环节,芯片成本的降低,会催进整个产业的发展,为客户带来更多的实惠。

据悉,中兴微电子于2005年12月成立了手机芯片研发团队。目前团队研发部门分布于深圳、南京、上海、西安和美国等地的研发中心,团队人员规模已超过1000人,特聘算法设计与仿真、SoC架构设计和协议栈软件架构等领域的国内外资深专家超过25人,并吸引了业界众多优秀专业人才的加入,迄今为止已经吸纳了海外归国具有丰富业内经验的人才15名。

目前,中兴微电子已经完全掌握了大规模深亚微米级数字集成电路设计技术,SoC设计技术,模拟和数模混合集成电路设计技术。目前设计的芯片最大规模超过1亿门,工艺已达28纳米,设计条件包括所用EDA工具以及硬件运行平台的性能处于业界领先水平。

在移动终端通信领域,中兴微电子致力于提供3G/4G终端整体解决方案,提供基带处理器、射频、应用处理器、电源芯片等产品,为用户提供高工艺、低功耗、低成本、快速高效的整体解决方案,秉承为客户创造价值,提升客户竞争力的服务理念。

基于中兴微电子研发的TD-SCDMA、LTE多模芯片方案产品已经在中兴通讯等多家终端厂商的3G/4G移动通讯设备中使用,对中国移动通讯技术自主知识产权和产业的发展做出了重要贡献。

提高整体解决能力增强成本竞争力

随着智能终端普及,技术更新越来越快,终端芯片成本面临前所未有的挑战,尤其是在中低端市场,成本竞争日趋“白热化”状态。只有在成本控制环节上胜出的企业,才能优先掌握市场竞争的主动权。

对此,倪海峰认为,只有注重降成本,在技术上不断优化创新,通过最小的代价实现多模方案延伸性的融合,通过系统化的优化设计,进一步降低整体BOM成本,才 能提升终端芯片产品的核心竞争。

为此,中兴微电子从提高芯片的自研整体解决方案能力入手,在保持终端基带芯片技术领先的同时,对配套的外围芯片加大了研发力度,已经完成了自研射频芯片、电源管理芯片的研发,进一步降低了核心套片的成本。同时,中兴微电子还不断提高产品的集成度,并在技术上不断优化创新。

关键字:中兴  LTE-A  五模  CMOS  28nm 引用地址:中兴微电子拼啦,五模、LTE-A芯片年底上市!

上一篇:Intel 14nm大剖析:是骡子是马,显微镜下看看
下一篇:首款Cortex-M7微控制器问世,STM32 F7将怎样惊艳市场?

推荐阅读最新更新时间:2024-03-16 13:44

巨额罚金下的中兴将何去何从?
最近几日特朗普多条推文不断刷新着中美贸易磋商的进程:在“美国将取消中兴禁令”的消息传来时,也有外媒同时称,特朗普提到,美国可能会要求中兴支付巨额罚款,并预想中兴未来将从美国采购很大比例的部件和设备。 21日,中美就解决中兴公司问题的大致路径基本达成一致,美国将取消中兴禁令。当天中兴发布了一封内部信,指出尽快解除拒绝令始终是公司的唯一目标,这符合国家、员工、客户、合作伙伴、股东等多方的共同期望。同时号召公司员工“更需坚定信心,团结一致,不受外界各种传言的干扰”。 但22日曝出13亿美金罚款这个数字后,不少人认为,这几乎是美国在商业贸易上的又一次勒索行为。 开出巨额罚金 理由充分吗? 尽管特朗普22日在其推特中表示目前中美
[手机便携]
豪威发布了1/1.3英寸手机CMOS:4800万像素,芯片级HDR
根据豪威官方的消息,豪威今天在CES上发布了OV48C,这是一款4800万像素的图像传感器,具有1.2微米的大像素尺寸,官方称可为旗舰智能手机相机提供高分辨率和出色的低光拍照性能。   官方介绍称,OV48C是业界首款具有芯片级双转换增益HDR的高分辨率移动CMOS,可以消除运动伪影,并提供出色的信噪比。 豪威市场经理Arun Jayaseelan表示:“高分辨率、大像素尺寸和高动态范围的结合对于旗舰手机相机的夜间模式等功能至关重要,OV48C是行业内唯一提供高48MP分辨率、1.2微米像素、高速和芯片级HDR的旗舰移动图像传感器,可提供优越的信噪比、优秀的微光性能和高质量的4K视频。”   这款传感器的输出格式包
[手机便携]
瑞萨科技与松下开发新SRAM制造技术 可实现45nm工艺传统下CMOS稳定工作
-新设计方法可保持温度和工艺变化条件下的SRAM稳定性,同时实现全球最小的0.245μm2的存储单元面积- 2007年2月13日,瑞萨科技(Renesas Technology Corp.)与松下电器产业有限公司宣布,共同开发出一种新技术,可以使45nm工艺传统CMOS的SRAM(静态随机存取存储器)稳定工作。这种SRAM可嵌入在SoC(系统(集成)芯片)器件和微处理器(MPU)当中。经测试证实,采用该技术的512Kb SRAM的实验芯片,可以在宽泛的温度条件下(-40℃-125℃)稳定工作,而且在工艺发生变化时具有较大的工作电压范围裕量。用于实验的SRAM芯片采用45nm CMOS工艺生产,集成了两种不同的存储单元设计,一个元
[焦点新闻]
CMOS触发器的结构与工作原理
CMOS D触发器足主-从结构形式的一种边沿触发器,CMOS T型触发器、JK触发器、计数单元、移位单元和各种时序电路都由其组成,因此仪以CMOS D触发器为例进行说明。 图1是用CMOS传输门和反相器构成的D触发器,反相器G1、G2和传输门TG1、TG2组成了主触发器,反相器G3、G4和传输门TG3、TG4组成了从触发器。TG1和TG3分别为主触发器和从触发器的输入控制门。反相器G5、G6对时钟输入信号CP进行反相及缓冲,其输出CP和CP′作为传输门的控制信号。根据CMOS传输门的工作原理和图中控制信号的极性标注可知,当传输门TG1、TG4导通时,TG2、TG3截止;反之,当TG1、TG4截止时,TG2、TG3导通。
[模拟电子]
<font color='red'>CMOS</font>触发器的结构与工作原理
中兴Grand S 10月3日美国上市 解锁版售400美元
    虽然中兴早在一月的CES 2013上就首次推出了ZTE GRAND S,但该设备直到现在才开始面向美国市场,预定本周六10月5日开始销售,该5英寸的手机解锁版售价为399.99美元。 和中兴的最近刚发布的其他产品Nubia 5一样,GRAND S拥有1920x1080像素分辨率超高像素5英寸FHD显示屏,并且运行Android 4.1.2果冻豆系统和后置1300万像素摄像头(可拍摄1080p高清视频)和一个200万像素的前置摄像头 该设备配备一枚1.5GHz四核心的Snapdragon S4 PRO处理器和1780mah不可拆卸电池,和2GB RAM加上16GB  ROM。 在短时间的评测使用中,手机的显示屏非常明亮且清
[手机便携]
带你了解7nm一下CMOS工艺的独特之处
2020年6月15日至18日(美国时间,第二天为日本时间)举行了“ 2020年技术与电路专题讨论会(VLSI 2020年专题讨论会)”,但实际上所有的讲座录了视频,并可付费观看至2020年8月底。 如果像过去那样在酒店场所召开会议,则您只能参加众多平行会议中的一个会议。但是以视频点播形式,您可以根据需要观看所用会议。这样做需要花很长时间,因此应许多与会者的要求,付费会议注册者的视频观看时间已经延长了大约两个月,直到8月底。 在这个VLSI研讨会中,共有86个工艺研讨会,110个电路研讨会,总共约200篇论文。本次技术研讨会上,与内存相关的会议是最多的,并且针对每种存储器类型(例如NAND / NOR / PCM,RRAM,
[半导体设计/制造]
带你了解7nm一下<font color='red'>CMOS</font>工艺的独特之处
CMOS低噪声放大器中的输入匹配研究与设计
  1 引言   作为接收机的第一级,LNA的性能对整个接收机系统的性能起着至关重要的作用,因为整个系统的信噪比(SNR)很大程度上取决于LNA的噪声系数(NF)和增益。因此,设计性能良好的LNA成为射频前端设计的重要目标。由于低噪声放大器的各个指标常常会发生矛盾,彼此不能兼顾,因此设计是在噪声系数、增益、稳定性、阻抗匹配以及线性范围等指标之间采取折中考虑。最近很多射频集成电路都是采用CMOS工艺来实现的,尤其是0.18μm的CMOS工艺很适于集成的SOC设计[1-2]。   目前最常见的输入匹配结构是源极电感负反馈结构,该结构有利于获得高增益和低噪声系数,但是存在较大的缺陷,即需要提供一个大感值的栅极电感(Lg)。在实际标准
[电源管理]
<font color='red'>CMOS</font>低噪声放大器中的输入匹配研究与设计
2.5D封装+28nm,FPGA迎来革 命性突破
68亿只晶体管、1,954,560个逻辑单元(容量相当于市场同类最大28nm FPGA的两倍)、305,400个CLB切片的可配置逻辑块(CLB)、21,550Kb的分布式RAM容量、以及2,160个DSP slice、46,512个BRAM、24个时钟管理模块、4个PCIe模块、36个GTX收发器(每个性能达12.5 Gbps)、24个I/O bank和1,200个用户I/O、19W功耗……是的,您没有看错,这一连串令人眼花缭乱的数字,就是赛灵思(Xilinx)日前宣布可正式供货的“世界最大容量”FPGA Virtex-7 2000T为我们呈现出的令人震撼的性能指标。 2010年10月,Xilinx高调宣布推出业界首项堆叠硅片互联
[嵌入式]
小广播
添点儿料...
无论热点新闻、行业分析、技术干货……
设计资源 培训 开发板 精华推荐

最新单片机文章
何立民专栏 单片机及嵌入式宝典

北京航空航天大学教授,20余年来致力于单片机与嵌入式系统推广工作。

换一换 更多 相关热搜器件
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved