EEPROM 存储电台PLL子程序

发布者:fuehrd努力的最新更新时间:2015-07-01 来源: 51hei关键字:EEPROM  存储电台  PLL 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章
这是一个单片机控制的收音机程序完整代码和原理图下载地址: http://www.51hei.com/bbs/dpj-19294-1.html 下面我我截图的一个子程序.
#include "STC12C5620AD.H"
#include "EEPROM.H"
#include "Channel_Handle.H"
/********************** 声明外部变量**************************/
/********************** EEPROM 存储电台PLL*************************/
void EEPROM_Save_PLL(uchar Index,uint Udata)
{
	 uchar	Temp_H;
	 uchar	Temp_L;				//PLL转换缓存
	 uchar	EEPROM_H;
	 uchar	EEPROM_L;			//EEPROM读取缓存
	 Temp_H=Udata>>8;
	 Temp_L=Udata%256;
	 switch (Index)
	 	{
			case 1:
				EEPROM_H=EEPROM_Read_Byte(0x00,0x02);	  	//暂存N0.8电台PLL高位
				EEPROM_L=EEPROM_Read_Byte(0x00,0x03);	  	//暂存N0.8电台PLL高位
	 			EEPROM_Earse(0x00,0x00);  					//擦除第1扇区
				EEPROM_Write_Byte(Temp_H,0x00,0x00);		//写入N0.1电台PLL高位
				EEPROM_Write_Byte(Temp_L,0x00,0x01);		//写入N0.1电台PLL低位
				EEPROM_Write_Byte(EEPROM_H,0x00,0x02);		//写入N0.8电台PLL高位
				EEPROM_Write_Byte(EEPROM_L,0x00,0x03);		//写入N0.8电台PLL低位
	 			EEPROM_Earse(0x0e,0x00);  					//擦除第8扇区
				EEPROM_Write_Byte(Index,0x0e,0x00);			//写入电台序号										
				break;
			case 2:
				EEPROM_H=EEPROM_Read_Byte(0x02,0x02);	  	//暂存N0.9电台PLL高位
				EEPROM_L=EEPROM_Read_Byte(0x02,0x03);	  	//暂存N0.9电台PLL高位
	 			EEPROM_Earse(0x02,0x00);  					//擦除第2扇区
				EEPROM_Write_Byte(Temp_H,0x02,0x00);		//写入N0.2电台PLL高位
				EEPROM_Write_Byte(Temp_L,0x02,0x01);		//写入N0.2电台PLL低位
				EEPROM_Write_Byte(EEPROM_H,0x02,0x02);		//写入N0.9电台PLL高位
				EEPROM_Write_Byte(EEPROM_L,0x02,0x03);		//写入N0.9电台PLL低位
	 			EEPROM_Earse(0x0e,0x00);  					//擦除第8扇区
				EEPROM_Write_Byte(Index,0x0e,0x00);			//写入电台序号										
				break;
			case 3:
				EEPROM_H=EEPROM_Read_Byte(0x04,0x02);	  	//暂存N0.10电台PLL高位
				EEPROM_L=EEPROM_Read_Byte(0x04,0x03);	  	//暂存N0.10电台PLL高位
	 			EEPROM_Earse(0x04,0x00);  					//擦除第3扇区
				EEPROM_Write_Byte(Temp_H,0x04,0x00);		//写入N0.3电台PLL高位
				EEPROM_Write_Byte(Temp_L,0x04,0x01);		//写入N0.3电台PLL低位
				EEPROM_Write_Byte(EEPROM_H,0x04,0x02);		//写入N0.10电台PLL高位
				EEPROM_Write_Byte(EEPROM_L,0x04,0x03);		//写入N0.10电台PLL低位
	 			EEPROM_Earse(0x0e,0x00);  					//擦除第8扇区
				EEPROM_Write_Byte(Index,0x0e,0x00);			//写入电台序号										
				break;
			case 4:
				EEPROM_H=EEPROM_Read_Byte(0x06,0x02);	  	//暂存N0.11电台PLL高位
				EEPROM_L=EEPROM_Read_Byte(0x06,0x03);	  	//暂存N0.11电台PLL高位
	 			EEPROM_Earse(0x06,0x00);  					//擦除第4扇区
				EEPROM_Write_Byte(Temp_H,0x06,0x00);		//写入N0.4电台PLL高位
				EEPROM_Write_Byte(Temp_L,0x06,0x01);		//写入N0.4电台PLL低位
				EEPROM_Write_Byte(EEPROM_H,0x06,0x02);		//写入N0.11电台PLL高位
				EEPROM_Write_Byte(EEPROM_L,0x06,0x03);		//写入N0.11电台PLL低位
	 			EEPROM_Earse(0x0e,0x00);  					//擦除第8扇区
				EEPROM_Write_Byte(Index,0x0e,0x00);			//写入电台序号										
				break;
			case 5:
				EEPROM_H=EEPROM_Read_Byte(0x08,0x02);	  	//暂存N0.12电台PLL高位
				EEPROM_L=EEPROM_Read_Byte(0x08,0x03);	  	//暂存N0.12电台PLL高位
	 			EEPROM_Earse(0x08,0x00);  					//擦除第5扇区
				EEPROM_Write_Byte(Temp_H,0x08,0x00);		//写入N0.5电台PLL高位
				EEPROM_Write_Byte(Temp_L,0x08,0x01);		//写入N0.5电台PLL低位
				EEPROM_Write_Byte(EEPROM_H,0x08,0x02);		//写入N0.12电台PLL高位
				EEPROM_Write_Byte(EEPROM_L,0x08,0x03);		//写入N0.12电台PLL低位
	 			EEPROM_Earse(0x0e,0x00);  					//擦除第8扇区
				EEPROM_Write_Byte(Index,0x0e,0x00);			//写入电台序号										
				break;
			case 6:
				EEPROM_H=EEPROM_Read_Byte(0x0a,0x02);	  	//暂存N0.13电台PLL高位
				EEPROM_L=EEPROM_Read_Byte(0x0a,0x03);	  	//暂存N0.13电台PLL高位
	 			EEPROM_Earse(0x0a,0x00);  					//擦除第6扇区
				EEPROM_Write_Byte(Temp_H,0x0a,0x00);		//写入N0.6电台PLL高位
				EEPROM_Write_Byte(Temp_L,0x0a,0x01);		//写入N0.6电台PLL低位
				EEPROM_Write_Byte(EEPROM_H,0x0a,0x02);		//写入N0.13电台PLL高位
				EEPROM_Write_Byte(EEPROM_L,0x0a,0x03);		//写入N0.13电台PLL低位
	 			EEPROM_Earse(0x0e,0x00);  					//擦除第8扇区
				EEPROM_Write_Byte(Index,0x0e,0x00);			//写入电台序号										
				break;
			case 7:
				EEPROM_H=EEPROM_Read_Byte(0x0c,0x02);	  	//暂存N0.14电台PLL高位
				EEPROM_L=EEPROM_Read_Byte(0x0c,0x03);	  	//暂存N0.14电台PLL高位
	 			EEPROM_Earse(0x0c,0x00);  					//擦除第7扇区
				EEPROM_Write_Byte(Temp_H,0x0c,0x00);		//写入N0.7电台PLL高位
				EEPROM_Write_Byte(Temp_L,0x0c,0x01);		//写入N0.7电台PLL低位
				EEPROM_Write_Byte(EEPROM_H,0x0c,0x02);		//写入N0.14电台PLL高位
				EEPROM_Write_Byte(EEPROM_L,0x0c,0x03);		//写入N0.14电台PLL低位
	 			EEPROM_Earse(0x0e,0x00);  					//擦除第8扇区
				EEPROM_Write_Byte(Index,0x0e,0x00);			//写入电台序号										
				break;
			case 8:
				EEPROM_H=EEPROM_Read_Byte(0x00,0x00);	  	//暂存N0.1电台PLL高位
				EEPROM_L=EEPROM_Read_Byte(0x00,0x01);	  	//暂存N0.1电台PLL高位
	 			EEPROM_Earse(0x00,0x00);  					//擦除第1扇区
				EEPROM_Write_Byte(Temp_H,0x00,0x02);		//写入N0.8电台PLL高位
				EEPROM_Write_Byte(Temp_L,0x00,0x03);		//写入N0.8电台PLL低位
				EEPROM_Write_Byte(EEPROM_H,0x00,0x00);		//写入N0.1电台PLL高位
				EEPROM_Write_Byte(EEPROM_L,0x00,0x01);		//写入N0.1电台PLL低位
	 			EEPROM_Earse(0x0e,0x00);  					//擦除第8扇区
				EEPROM_Write_Byte(Index,0x0e,0x00);			//写入电台序号										
				break;
			case 9:
				EEPROM_H=EEPROM_Read_Byte(0x02,0x00);	  	//暂存N0.2电台PLL高位
				EEPROM_L=EEPROM_Read_Byte(0x02,0x01);	  	//暂存N0.2电台PLL高位
	 			EEPROM_Earse(0x02,0x00);  					//擦除第2扇区
				EEPROM_Write_Byte(Temp_H,0x02,0x02);		//写入N0.9电台PLL高位
				EEPROM_Write_Byte(Temp_L,0x02,0x03);		//写入N0.9电台PLL低位
				EEPROM_Write_Byte(EEPROM_H,0x02,0x00);		//写入N0.2电台PLL高位
				EEPROM_Write_Byte(EEPROM_L,0x02,0x01);		//写入N0.2电台PLL低位
	 			EEPROM_Earse(0x0e,0x00);  					//擦除第8扇区
				EEPROM_Write_Byte(Index,0x0e,0x00);			//写入电台序号										
				break;
			case 10:
				EEPROM_H=EEPROM_Read_Byte(0x04,0x00);	  	//暂存N0.3电台PLL高位
				EEPROM_L=EEPROM_Read_Byte(0x04,0x01);	  	//暂存N0.3电台PLL高位
	 			EEPROM_Earse(0x04,0x00);  					//擦除第3扇区
				EEPROM_Write_Byte(Temp_H,0x04,0x02);		//写入N0.10电台PLL高位
				EEPROM_Write_Byte(Temp_L,0x04,0x03);		//写入N0.10电台PLL低位
				EEPROM_Write_Byte(EEPROM_H,0x04,0x00);		//写入N0.3电台PLL高位
				EEPROM_Write_Byte(EEPROM_L,0x04,0x01);		//写入N0.3电台PLL低位
	 			EEPROM_Earse(0x0e,0x00);  					//擦除第8扇区
				EEPROM_Write_Byte(Index,0x0e,0x00);			//写入电台序号										
				break;
			case 11:
				EEPROM_H=EEPROM_Read_Byte(0x06,0x00);	  	//暂存N0.4电台PLL高位
				EEPROM_L=EEPROM_Read_Byte(0x06,0x01);	  	//暂存N0.4电台PLL高位
	 			EEPROM_Earse(0x06,0x00);  					//擦除第4扇区
				EEPROM_Write_Byte(Temp_H,0x06,0x02);		//写入N0.11电台PLL高位
				EEPROM_Write_Byte(Temp_L,0x06,0x03);		//写入N0.11电台PLL低位
				EEPROM_Write_Byte(EEPROM_H,0x06,0x00);		//写入N0.4电台PLL高位
				EEPROM_Write_Byte(EEPROM_L,0x06,0x01);		//写入N0.4电台PLL低位
	 			EEPROM_Earse(0x0e,0x00);  					//擦除第8扇区
				EEPROM_Write_Byte(Index,0x0e,0x00);			//写入电台序号										
				break;
			case 12:
				EEPROM_H=EEPROM_Read_Byte(0x08,0x00);	  	//暂存N0.5电台PLL高位
				EEPROM_L=EEPROM_Read_Byte(0x08,0x01);	  	//暂存N0.5电台PLL高位
	 			EEPROM_Earse(0x08,0x00);  					//擦除第5扇区
				EEPROM_Write_Byte(Temp_H,0x08,0x02);		//写入N0.12电台PLL高位
				EEPROM_Write_Byte(Temp_L,0x08,0x03);		//写入N0.12电台PLL低位
				EEPROM_Write_Byte(EEPROM_H,0x08,0x00);		//写入N0.5电台PLL高位
				EEPROM_Write_Byte(EEPROM_L,0x08,0x01);		//写入N0.5电台PLL低位
	 			EEPROM_Earse(0x0e,0x00);  					//擦除第8扇区
				EEPROM_Write_Byte(Index,0x0e,0x00);			//写入电台序号										
				break;
			case 13:
				EEPROM_H=EEPROM_Read_Byte(0x0a,0x00);	  	//暂存N0.6电台PLL高位
				EEPROM_L=EEPROM_Read_Byte(0x0a,0x01);	  	//暂存N0.6电台PLL高位
	 			EEPROM_Earse(0x0a,0x00);  					//擦除第6扇区
				EEPROM_Write_Byte(Temp_H,0x0a,0x02);		//写入N0.13电台PLL高位
				EEPROM_Write_Byte(Temp_L,0x0a,0x03);		//写入N0.13电台PLL低位
				EEPROM_Write_Byte(EEPROM_H,0x0a,0x00);		//写入N0.6电台PLL高位
				EEPROM_Write_Byte(EEPROM_L,0x0a,0x01);		//写入N0.6电台PLL低位
	 			EEPROM_Earse(0x0e,0x00);  					//擦除第8扇区
				EEPROM_Write_Byte(Index,0x0e,0x00);			//写入电台序号										
				break;
			case 14:
				EEPROM_H=EEPROM_Read_Byte(0x0c,0x00);	  	//暂存N0.7电台PLL高位
				EEPROM_L=EEPROM_Read_Byte(0x0c,0x01);	  	//暂存N0.7电台PLL高位
	 			EEPROM_Earse(0x0c,0x00);  					//擦除第7扇区
				EEPROM_Write_Byte(Temp_H,0x0c,0x02);		//写入N0.14电台PLL高位
				EEPROM_Write_Byte(Temp_L,0x0c,0x03);		//写入N0.14电台PLL低位
				EEPROM_Write_Byte(EEPROM_H,0x0c,0x00);		//写入N0.7电台PLL高位
				EEPROM_Write_Byte(EEPROM_L,0x0c,0x01);		//写入N0.7电台PLL低位
	 			EEPROM_Earse(0x0e,0x00);  					//擦除第8扇区
				EEPROM_Write_Byte(Index,0x0e,0x00);			//写入电台序号										
				break;
			case 15:
	 			EEPROM_Earse(0x0e,0x00);  					//擦除第8扇区
				EEPROM_Write_Byte(Index,0x0e,0x00);			//写入电台序号
				EEPROM_Write_Byte(Temp_H,0x0e,0x02);		//写入N0.15电台PLL高位
				EEPROM_Write_Byte(Temp_L,0x0e,0x03);		//写入N0.15电台PLL低位														
				break;
			default:
				break;
		}

}
/********************** EEPROM 读取电台PLL*************************/
uint EEPROM_Get_PLL(uchar Index)
{
	 uint PLL_Temp;
	 uchar	Temp_H;
	 uchar	Temp_L;
	 switch (Index)
	 	{
			case 1:										//NO.1电台PLL
				Temp_H=EEPROM_Read_Byte(0x00,0x00);	  	//获取PLL高位
				Temp_L=EEPROM_Read_Byte(0x00,0x01);	  	//获取PLL高位
				PLL_Temp=Temp_H<<8|Temp_L;										
				break;
			case 2:										//NO.2电台PLL
				Temp_H=EEPROM_Read_Byte(0x02,0x00);	  	//获取PLL高位
				Temp_L=EEPROM_Read_Byte(0x02,0x01);	  	//获取PLL高位
				PLL_Temp=Temp_H<<8|Temp_L;										
				break;
			case 3:										//NO.3电台PLL
				Temp_H=EEPROM_Read_Byte(0x04,0x00);	  	//获取PLL高位
				Temp_L=EEPROM_Read_Byte(0x04,0x01);	  	//获取PLL高位
				PLL_Temp=Temp_H<<8|Temp_L;										
				break;
			case 4:										//NO.4电台PLL
				Temp_H=EEPROM_Read_Byte(0x06,0x00);	  	//获取PLL高位
				Temp_L=EEPROM_Read_Byte(0x06,0x01);	  	//获取PLL高位
				PLL_Temp=Temp_H<<8|Temp_L;										
				break;
			case 5:										//NO.5电台PLL
				Temp_H=EEPROM_Read_Byte(0x08,0x00);	  	//获取PLL高位
				Temp_L=EEPROM_Read_Byte(0x08,0x01);	  	//获取PLL高位
				PLL_Temp=Temp_H<<8|Temp_L;										
				break;
			case 6:										//NO.6电台PLL
				Temp_H=EEPROM_Read_Byte(0x0a,0x00);	  	//获取PLL高位
				Temp_L=EEPROM_Read_Byte(0x0a,0x01);	  	//获取PLL高位
				PLL_Temp=Temp_H<<8|Temp_L;
			case 7:										//NO.7电台PLL
				Temp_H=EEPROM_Read_Byte(0x0c,0x00);	  	//获取PLL高位
				Temp_L=EEPROM_Read_Byte(0x0c,0x01);	  	//获取PLL高位
				PLL_Temp=Temp_H<<8|Temp_L;										
				break;
			case 8:										//NO.8电台PLL
				Temp_H=EEPROM_Read_Byte(0x00,0x02);	  	//获取PLL高位
				Temp_L=EEPROM_Read_Byte(0x00,0x03);	  	//获取PLL高位
				PLL_Temp=Temp_H<<8|Temp_L;										
				break;
			case 9:										//NO.9电台PLL
				Temp_H=EEPROM_Read_Byte(0x02,0x02);	  	//获取PLL高位
				Temp_L=EEPROM_Read_Byte(0x02,0x03);	  	//获取PLL高位
				PLL_Temp=Temp_H<<8|Temp_L;										
				break;
			case 10:									//NO.10电台PLL
				Temp_H=EEPROM_Read_Byte(0x04,0x02);	  	//获取PLL高位
				Temp_L=EEPROM_Read_Byte(0x04,0x03);	  	//获取PLL高位
				PLL_Temp=Temp_H<<8|Temp_L;										
				break;
			case 11:									//NO.11电台PLL
				Temp_H=EEPROM_Read_Byte(0x06,0x02);	  	//获取PLL高位
				Temp_L=EEPROM_Read_Byte(0x06,0x03);	  	//获取PLL高位
				PLL_Temp=Temp_H<<8|Temp_L;										
				break;	
			case 12:									//NO.12电台PLL
				Temp_H=EEPROM_Read_Byte(0x08,0x02);	  	//获取PLL高位
				Temp_L=EEPROM_Read_Byte(0x08,0x03);	  	//获取PLL高位
				PLL_Temp=Temp_H<<8|Temp_L;										
				break;
			case 13:									//NO.13电台PLL
				Temp_H=EEPROM_Read_Byte(0x0a,0x02);	  	//获取PLL高位
				Temp_L=EEPROM_Read_Byte(0x0a,0x03);	  	//获取PLL高位
				PLL_Temp=Temp_H<<8|Temp_L;										
				break;
			case 14:									//NO.14电台PLL
				Temp_H=EEPROM_Read_Byte(0x0c,0x02);	  	//获取PLL高位
				Temp_L=EEPROM_Read_Byte(0x0c,0x03);	  	//获取PLL高位
				PLL_Temp=Temp_H<<8|Temp_L;										
				break;
			case 15:									//NO.15电台PLL
				Temp_H=EEPROM_Read_Byte(0x0e,0x02);	  	//获取PLL高位
				Temp_L=EEPROM_Read_Byte(0x0e,0x03);	  	//获取PLL高位
				PLL_Temp=Temp_H<<8|Temp_L;										
				break;																																													
			default:
				break;
		}
		return PLL_Temp;
}
/********************** EEPROM 读取最后一次序号*************************/
uchar EEPROM_Get_Index()
{
	uchar Index;
	Index=EEPROM_Read_Byte(0x0e,0x00);
	return Index;
}
/********************** EEPROM 写入最后一次序号*************************/
void EEPROM_Write_Index(uchar Index)
{
	 EEPROM_Earse(0x0e,0x00);  				//首先擦除第8扇区
	 EEPROM_Write_Byte(Index,0x0e,0x00);		//写入电台序号
}
关键字:EEPROM  存储电台  PLL 引用地址:EEPROM 存储电台PLL子程序

上一篇:24C02单片机编程的一点注意问题
下一篇:什么叫RAM?什么叫ROM?其主要的功能是什么?

推荐阅读最新更新时间:2024-03-16 14:23

AT24C01/02/04/08/16/32系列EEPROM读写程序
/*------------------------------------------------------------------------------ 〖说明〗24Cxx I2C EEPROM字节读写驱动程序,芯片A0-A1-A2要接GND(24C65接VCC,具体看DataSheet)。 现缺页写、页读,和CRC校验程序。以下程序经过50台验证,批量的效果有待考察。 为了安全起见,程序中很多NOP是冗余的,希望读者能进一步精简,但必须经过验证。 Atmel 24C01 比较特殊,为简约型,为其单独编程. 51晶振为11.0592MHz 〖文件〗RW24CXX.c 2001/09/18 -----------------
[单片机]
STM32—基于模拟IIC方式读取EEPROM
前言: 最近在调试STM32L152芯片利用IIC接口读取EEPROM的程序,总结下STM32的 IIC接口 读取EEPROM的使用方法。 PS:由于STM32的硬件IIC存在一些问题,本文暂时使用模拟IIC进行EEPROM的读取。STM32的硬件IIC使用方法见另外两篇文章:传送门1和传送门2。 硬件平台:STM32L152 软件平台:keil v5+cubeMX 函数库:HAL函数库 1:配置iic引脚,本例对应PC2和PC3管脚,移植修改对应管脚。 #define I2C_SCL GPIO_PIN_2 //PC2 #define I2C_SDA GPIO_PIN_3 //PC3 #de
[单片机]
STM32模拟I2C时序读写EEPROM精简版
平台:STM32ZET6(核心板)+ST-LINK/V2+SD卡+USB串口线+外部EEPROM(不需要上拉电阻) 工程介绍:主要文件在USER组中,bsp_i2c_ee.c,bsp_i2c_ee.h,bsp_eeprom.c,bsp_eeprom.h和main.c,其中bsp_i2c_ee.c中主要时基本的模拟I2C时序,而bsp_eeprom.c中主要利用前一个文件中定义的基本操作,进行EEPROM的读写操作。其他类似I2C时序的协议,均可以保留bsp_i2c_ee.c的基础上添加新的内容。本文有些内容借鉴了其他网友的总结,在此表示感谢。 1.硬件部分:电路连接较为简单,笔者在淘宝上买的24C02N主要有四根线,两根电源线
[单片机]
mini2440裸机试炼之——IIC控制EEPROM数据传输
内容: 向EEPROM(AT24C02)内部地址0x00—0xff,依次写入0x00—0xff,然后再读出数据。 IIC总线介绍: IIC(Inter-IntegratedCircuit,I2C)总线是一种由PHILIPS公司开发的两线式串行总线,用于连接微处理器及其外围设备。在iic总线上,只需要两条线:串行数据线SDA和串行时钟线SCL,便可完成通信 IIC要点 1、清IIC中断标志语句rIICCON&= ~0x10;一定要在读写寄存器IICDS的后面,中断是读写寄存器后发生的; 2、由于EEPROM的读取速度并不快,所以每次读写中断都需要短暂的延时函数; 3、在对AT24C02A进行读取数据时,在发送带有读命
[单片机]
mini2440裸机试炼之——IIC控制<font color='red'>EEPROM</font>数据传输
ST串行EEPROM系列新增1MHz产品
2008 年 7 月 3 日 意法半导体( ST )推出 1MHz 双线串行总线 EEPROM 存储器芯片,存储密度分别为 256-Kbit 、 512-Kbit 和 1-Mbit ,兼容 I 2C Fast-Mode-Puls 模式,数据速率可达 I 2C Fast-Mode 的 2.5 倍。工作频率为 1MHz , M 24M 01-HR 完成 1-Mbit 的数据处理只需 1 秒钟; 256-Kbit 的 M24256-BHR 只需四分之一秒; 512-Kbit 的 M24512-HR 完成数据处理只需半秒钟。
[工业控制]
PLL,FCLK、HCLK、PCLK,AHB/APB (S3C2410)
1、PLL(锁相环) 为了降低电磁干扰和降低板间布线要求,芯片外接的晶振频率通常很低(这块板子用的12MHz),通过时钟控制逻辑的PLL提高系统使时钟。锁相环起到的是倍频的作用,锁相环的使用有锁定和连接的过程。(有的芯片锁定连接过程是自动完成的比如S3C2440,有的则需要手动编程实现锁定和连接,总之PLL属于一种片上外设,不同厂家的产品使用上略有不同) 以S3C2410为例,其内部有两个锁相环: MPLL、UPLL,分别为MCU和USB控制器产生时钟信号,其中MPLL未连接之前MCU直接使用震荡源作时钟信号,连接后则改用MPLL倍频后的震荡源作时钟信号;而UPLL因为是为USB设备提供时钟信号,所以规定必须是48MHz或96MH
[单片机]
ADI针对下一代射频、微波和毫米波应用推出PLL/VCO解决方案
中国,北京— Analog Devices, Inc. (ADI)近日宣布推出一款先进的频率合成器ADF4371,采用了锁相环(PLL)、完全集成式压控振荡器(VCO)并集成低压差调节器(LDO)和跟踪滤波器技术。全新ADF4371支持各种射频/微波系统设计,能够满足航空航天、测试/测量、通信基础设施以及高速转换器时钟等多个市场严苛的下一代产品设计要求。 ADF4371运用ADI公司在射频和微波频率合成器领域25年的专业知识进行设计,是当今市场上性能最高的频率合成器,提供62MHz至32GHz最宽的连续射频输出范围。此器件结合超低PLL FOM(-234dBc/Hz)、超低杂散(-100dBc典型值)、低VCO相位噪声(8G
[网络通信]
ADI针对下一代射频、微波和毫米波应用推出<font color='red'>PLL</font>/VCO解决方案
ADI为无线应用推出新的高分辨率PLL 不断扩展其RF系列
——ADI公司推出的ADF4157小数N分频PLL频率合成器具有业界最高分辨率 为无线基础设施、卫星和射频系统提高了性能、降低了设计成本并且简化了设计复杂性。 中国,北京消息 ——Analog Devices, Inc.(纽约证券交易所代码: ADI)公司,全球领先的高性能信号处理解决方案供应商,今日发布了ADF4157——一款最新的高频率、小数N分频锁相环(PLL)频率合成器,适合用于需要低相位噪声和超精细控制分辨率的应用,例如卫星通信、专用集群移动通信网(PMR)、仪器和无线基站设备,其中包括那些支持GSM,PCS,DCS, WiMAX,CDMA 和W-CDMA网络。这种25 bit固定系数分频器提供超精细频率分辨率。AD
[新品]
小广播
添点儿料...
无论热点新闻、行业分析、技术干货……
设计资源 培训 开发板 精华推荐

最新单片机文章
何立民专栏 单片机及嵌入式宝典

北京航空航天大学教授,20余年来致力于单片机与嵌入式系统推广工作。

换一换 更多 相关热搜器件
随便看看
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved