ARM9启动分析存储器区分和启动流程解析

最近遇到一个大大的问题，其实以前都一直有问题，但是我没有去深究过！主要是我自己想来弄点新东西，打算用J-link烧写ARM9的处理器，如果能够将j-link的强大调试功能也移到arm9上，那将是一件多么美妙的事情啊。就带着这个问题我一直看资料，最开始我是有两块开发板的，具体点说是三块。但是我当初只用了一块的时候，我没发现什么问题。我当时就是按照别人给我的说明书上进行操作的，也没有去理解和分析为什么！但是最近因为有了那个打算，就发现问题了。我在一块板子上用H-JTAG可以进行烧写，在另外一块上也可以，但是都有一个共同点就是，两块板子都是arm9的（分别是S3C2410和S3C2440），同样我在实际应用中还用到了LPC2478.用J-link来调试和烧写ARM7是件很简单的事情。我想我都具备了这么多条件应该很容易就可以用j-link来烧写arm9了吧！实际上是我想错了！我遇到了这个问题好多天了，一直在弄。最后才发现是我没弄清楚流程，下面分享下我对这些处理器的启动流程和代码存储的分析。

首先，理清几个概念。NOR flash：（概念最用我自己的语言概括了）是早期的flash，存储量少，存储速度慢，但是执行速度快，可以在flash上执行。可以用来存储代码和作为SDRAM。NAND flash ：是用来做海量存储的，一般用来存储数据，文件系统等，烧写速度快。SDRAM ：动态存储器，用来进行数据存储，数据刷新，和代码执行。但是不能存储代码。要理解SDRAM和NOR flash的区别，NOR flash是可以用来做为SDRAM，但是不是SDRAM。

我们开始讨论代码存放的地方了，注意的是我在这里给代码加一个限制，（是固化的程序，区别开linux系统文件和bootlooder，我在这里定义bootlooder为程序而linux文件系统为数据）。代码有很多存放的方式，一、存储在单片机的flash上，像ARM7一类的单片机（LPC2478就带有512k的flash）。二、存放在NOR flash中，就是是SDRAM中（如果是SDRAM的芯片就没法存储了如有的开发板用的是HY57V641620 SDRAM芯片，代码是没法存储的）三、存放在NAND flash中，一般的代码都存放在NAND flash中在。

还需要知道的知识就是，存储器的地址映射，下面我们看一种方式的地址映射。代码存放在NAND flash中，用SDRAM的芯片做为动态存储的例子：如下图：

看到这个图，我们是否发现了理解了一点点启动流程了啊？如果还有疑问让我们再来分析一下S3C2440的存储控制模块，实际就是存储地图。如下图所示：

解释下上图，有多种启动方式的，一种是利用NAND flash启动。一种是不用，不用的方式就是直接用SROM（S就是动态的存储空间，其实就是NOR flash）。重点介绍利用NAND flash启动的流程。

大家看到的是通过M[10]=00的方式设置启动方式为用NAND flash启动的方式，S3C2440内部有一个4K的SRAM。这个是芯片自带的。为了支持NAND flash起动，S3C2410内建了内部的4k的SRAM缓存“Steppingstone”。当起动时，NAND flash最初的4k字节将被读入”Steppingstone”然后开始执行起动代码。通常起动代码会把NAND flash中的内容拷到SDRAM中以便执行主代码。注意boot过程是要设置成autoboot的，是通过硬件来设置的。在复位和上电启动过程都要经过这样的一个启动过程，这是最初一步的启动过程。下面就是在通过bootlooder的代码设置系统时钟和初始化寄存器等一系列的工作，在完成后通过跳转指令跳转到系统引导阶段。完成启动。最近还移植了一个最新的u-boot，支持的东西还是挺多的。对这个整体了解也有了一些加深。

在我理解了这么多了后，后来我就解决了那个问题，我的错误是没认真分析，我一直在用j-link flasher烧写SDRAM，难怪问题一直解决不了！！其实就是没有好好的去总结自己所看到的东西！做产品设计还真的是要脱了几层皮你的东西才能过关！！