单片机控制的动态数据缓存器的控制电路-电子工程世界

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　　由于单片机具有功能强，使用灵活，体积小，性价比高等特点，近年来在测控系统中得到广泛应用。而在许多场合，单片机作为下位机，担负着控制数据测量、采集和向上位机传送的任务，也即起着收集、缓冲和存储数据的作用。动态存储器DRAM具有容量大，价格低的特点，适合于数据量比较大的单片机应用系统；但其不足之处在于，必须在规定的时间范围内进行定时刷新。本节介绍一种单片机控制的动态数据缓存器，通过合理设计软硬件，即可实现对DRAM的控制，特别适合性价比高的单片机系统。
　　
　　控制电路
　　
　　为了便于说明，给出单片机系统的部分组成电路，如图1所示。单片机采用51系列的8031，外扩16 KB的EPROM，动态存储器采用1 MB的微机内存，Jl为其插座及其各引脚信号。1 MB的动态存储器行、列地址各用10位，即用10根地址线A0～A9。

动态数据缓存器的控制电路
　　
　　DRAM的控制电路如图2所示。其核心为一正沿触发双D触发器74LS74，由8031和TO、Tl、PSEN和EN、WR信号控制其工作状态。读／写数据时，TO、Tl置高电平；刷新DRAM时，TO置1，PSEN有效；当T0、T1都置0时，行、列选通关闭，禁止对DRAM读／写操作。

DRAM的控制电路

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