STM32学习之:内部Flash

发布者:MysticalGarden最新更新时间:2018-05-01 来源: eefocus关键字:STM32  内部Flash 手机看文章 扫描二维码
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在我们应用开发时,经常会有一些程序运行参数需要保存,如一些修正系数。这些数据的特点是:数量少而且不需要经常修改,但又不能定义为常量,因为每台设备可能不一样而且在以后还有修改的可能。将这类数据存在指定的位置,需要修改时直接修改存储位置的数值,需要使用时则直接读取,会是一种方便的做法。考虑到这些数据量比较少,使用专门的存储单元既不经济,也没有必要,而STM32F103内部的Flash容量较大,而且ST的库函数中还提供了基本的Flash操作函数,实现起来也比较方便。


以大容量产品STM32F103VE为例,其Flash容量达到512K,可以将其中一部分用作数据存储。如下是大容量的Flash组织模式:


根据上面的Flash组织模式,我们可以根据自己的使用方便来作相应的定义。因为大容量每个扇区定义为2K,而小容量和中容量都定义为1K,所以我们做如下宏定义:

#define FLASH_SIZE 512          //所选MCU的FLASH容量大小(单位为K)


#if FLASH_SIZE<256

  #define SECTOR_SIZE           1024    //字节

#else 

  #define SECTOR_SIZE           2048    //字节

#endif


虽然ST的库函数比较全面,但都是基本操作,为了使用方面,根据我们自己的需要对其进行再次封装。


对于读操作相对比较简单,内置闪存模块可以在通用地址空间直接寻址,就像读取变量一样。


//从指定地址开始读取多个数据

void FLASH_ReadMoreData(uint32_t startAddress,uint16_t *readData,uint16_t countToRead)

{

  uint16_t dataIndex;

  for(dataIndex=0;dataIndex

  {

    readData[dataIndex]=FLASH_ReadHalfWord(startAddress+dataIndex*2);

  }

}


//读取指定地址的半字(16位数据)

uint16_t FLASH_ReadHalfWord(uint32_t address)

{

  return *(__IO uint16_t*)address; 

}


//读取指定地址的全字(32位数据)

uint32_t FLASH_ReadWord(uint32_t address)

{

  uint32_t temp1,temp2;

  temp1=*(__IO uint16_t*)address; 

  temp2=*(__IO uint16_t*)(address+2); 

  return (temp2<<16)+temp1;

}

对于写操作相对来说要复杂得多,写操作包括对用户数据的写入和擦除。为了防止误操作还有写保护锁。但这些基本的操作ST的库函数已经为我们写好了,我们只需要调用即可。


STM32复位后,FPEC模块是被保护的,只有在写保护被解除后,我们才能操作相关寄存器。STM32闪存的编程每次必须写入16位,任何不是半字的操作都会造成错误。如下图是Flash写的过程:

STM32的FLASH在编程的时候,也必须要求其写入地址的FLASH 是被擦除了的(也就是其值必须是0XFFFF),否则无法写入。Flash的擦除要求必须整页擦除,所以也必须整页写入,否则可能会丢失数据。如下图是Flash页擦除过程:

如下为Flash全擦除过程

根据以上图示我们便写数据写入函数如下:

//从指定地址开始写入多个数据

void FLASH_WriteMoreData(uint32_t startAddress,uint16_t *writeData,uint16_t countToWrite)

{

  if(startAddress=(FLASH_BASE+1024*FLASH_SIZE)))

  {

    return;//非法地址

  }

  FLASH_Unlock();         //解锁写保护

  uint32_t offsetAddress=startAddress-FLASH_BASE;               //计算去掉0X08000000后的实际偏移地址

  uint32_t sectorPosition=offsetAddress/SECTOR_SIZE;            //计算扇区地址,对于STM32F103VET6为0~255

  

  uint32_t sectorStartAddress=sectorPosition*SECTOR_SIZE+FLASH_BASE;    //对应扇区的首地址


  FLASH_ErasePage(sectorStartAddress);//擦除这个扇区

  

  uint16_t dataIndex;

  for(dataIndex=0;dataIndex

  {

    FLASH_ProgramHalfWord(startAddress+dataIndex*2,writeData[dataIndex]);

  }

  

  FLASH_Lock();//上锁写保护

}

在擦除之前应该将页面上的数据读取出来与要写入的数据合并,待擦除后再写入,但这样数据量很大(大容量是2K一个扇区),所以考虑到是少量数据存储,所以每次都将全部数据同时写入,简化操作,也减少数据处理量。经测试以上程序写入和读出数据均正确,可以实现内部Flash的读写操作。需要更深入了解可以参考《STM32F10xxx 闪存编程参考手册》。

关键字:STM32  内部Flash 引用地址:STM32学习之:内部Flash

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