STM32读写flash保存用户数据

在实际的项目中，我们可能需要保存一些数据，希望下次启动的时候数据还可以使用。在这里介绍使用STM32内部flash来保存数据的方法。

在这里我使用STM32F103C8T6这款芯片做介绍。flash大小64K。本例子0x0800 0000~0x800 3000作为bootloader使用，0x0800 3000~0x0800 C000作为程序存放地址，0x0800 C000~0x0800 FFFF作为本例子的数据存放区域。

程序：

#include "stm32f10x_flash.h"
#define PageSize 1024   
u32 data[10] = {1,2,3,4,5,6,7,8,9,10};
u32 data_temp[10] = {0};
u8 flash_write(u32 StartAddr,u32 *p_data,u32 size);
int flash_read(u32 StartAddr,u32 *p_data,u32 size);

  /******************************************************************************
* flash的写函数：输入：
u32 StartAddr flash起始地址
u32 *p_data 待写入数据指针u32 size写入数据的数量
输出：0：正确执行
非0：出错
注意：输入数据一定是u32 的指针，即数据一定是按照4字节对齐写入的。
所以：size也是u32的个数（字节数的4分之一）
*******************************************************************************/ 
u8 flash_write(u32 StartAddr,u32 *p_data,u32 size)
{
volatile FLASH_Status FLASHStatus;
u32 EndAddr=StartAddr+size*4;
vu32 NbrOfPage = 0;
u32 EraseCounter = 0x0, Address = 0x0;
int i;
int MemoryProgramStatus=1;
//为一是通过
FLASH_Unlock();          //解锁函数
NbrOfPage=((EndAddr-StartAddr)>>10)+1;//有多少个页被擦除//清除所有已有标志
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY | FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);
//擦页
FLASHStatus=FLASH_COMPLETE;
for(EraseCounter=0;(EraseCounter{
FLASHStatus=FLASH_ErasePage(StartAddr+(PageSize*EraseCounter));
}
//开始写数据
Address = StartAddr;
i=0;
while((Address{ FLASHStatus=FLASH_ProgramWord(Address,p_data[i++]);
Address=Address+4;
}
//检验数据是否出错
Address = StartAddr;
i=0;
while((Address < EndAddr) && (MemoryProgramStatus != 0))
{
if((*(vu32*) Address) != p_data[i++])
{ MemoryProgramStatus = 0;
return 1;
}
Address += 4;
}
return 0;
}




int flash_read(u32 StartAddr,u32 *p_data,u32 size)
{
u32 EndAddr=StartAddr+size*4;
int MemoryProgramStatus=1;
u32 Address = 0x0;
int i=0;
Address = StartAddr;
while((Address < EndAddr) && (MemoryProgramStatus != 0))
{
p_data[i++]=(*(vu32*) Address);
Address += 4;  
}
return 0;  
}

调用例子：

      flash_write(0x0800C000,&data[0],10);
      flash_read(0x0800C000,&data_temp[0],10);

注意：#define PageSize 1024 根据不同型号有1K与2K的不同

STM32根据FLASH主存储块容量、页面的不同，系统存储器的不同，分为小容量、中容量、大容量、互联型，共四类产品。

小容量产品主存储块1-32KB，每页1KB。系统存储器2KB。

中容量产品主存储块64-128KB，每页1KB。系统存储器2KB。

大容量产品主存储块256KB以上，每页2KB。系统存储器2KB。

互联型产品主存储块256KB以上，每页2KB。系统存储器18KB。

还有Flash当EEPROM用还是很蛋疼很不好用的，尤其是数据较多的时候，因为Flash是要先整页擦除，再写入数据的，改变页中的一个数据就要备份该页的全部数据，然后再整页重新写一遍！

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    按1.2的方法下得该MCU的参考手册，STM32F103RBT6对应的参考手册为RM0008 Reference manual，定位到Embedded Flash memory章节(也可以通过搜索0x0800 0000来定位)。STM32有4种Flash module organization，分别是：low-density devices(32KB，1KB/page)、medium-density devices(128KB，1KB/page)、high-density devices(512KB，2KB/page)、connectivity line devices(256KB，2KB/page)、XL-density(devices(1M，2KB/page)。从上面分析可知，STM32F103RBT6的Flash是128KB，可见是medium-density devices，如下图所示：

图4 Flash module organization (medium-density devices) 

注意数据写入的地址必须是偶数，否则flash读到的数据全为0，最好为1K的整数倍，否则 写入数据时会擦除相邻的扇区的数据