MSP430F149的内部Flash

发布者:Huayu8888最新更新时间:2015-12-14 来源: eefocus关键字:MSP430F149  内部Flash 手机看文章 扫描二维码
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    MSP430F149内部的memory结构,60K Flash+2K RAM。Flash分为主存储区和信息存储区,操作都一样,只是主存储区每个段512字节,而信息存储区为128字节,方便擦写。

MSP430F149的内部Flash



MSP430F149的内部Flash


当我们有数据要保存到Flash存储器时,要先对目标段进行整段擦除操作,擦除操作使的对应段FLASH存储器变成全“1”。应当注意的是,此flash的操作频率为257 kHz 到 476 kHz,时钟源可选择,因此我们做时钟分频时应当保证频率在这之间,以下为我编写的参考程序。

void Flash_erase(uint addr)
{//段擦除,512bytes一段
  uchar s;
  s=__get_interrupt_state();//保存当前中断状态
  __disable_interrupt();
  while(FCTL3&BUSY);
  FCTL3=FWKEY;

  FCTL1=FWKEY+ERASE;
  *(uchar*)addr=0;
  while(FCTL3&BUSY);
  FCTL3=FWKEY+LOCK;
  __set_interrupt_state(s);//恢复中断状态
}

 

void Flash_write(uint addr,uchar dat)
{//单字节写入
  uchar s;
  s=__get_interrupt_state();
  __disable_interrupt();
  while(FCTL3&BUSY);
  FCTL3=FWKEY;
  FCTL1=FWKEY+WRT;
  *(uchar*)addr=dat;
  while(FCTL3&BUSY);
  FCTL1=FWKEY;
  FCTL3=FWKEY+LOCK;
  __set_interrupt_state(s);
}

 

void Flash_read(uint addr,uint len)
{//读取到数组,此处堆栈应改大
  uint i;
  for(i=0;i     *(R+i)=*(uchar*)(addr+i);
}

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