推荐阅读最新更新时间:2024-11-10 21:43
最新技术NVDIMM,有望冲破内存墙
随着 DRAM 内存容量和频率的持续增长,现有电脑内存的安全性也一直没有得到提升。近日,JEDEC固态技术协会宣布的最新第一代协议是由对DRAM容量和带宽的需求增加,以及在计算系统中附加新兴的持久内存的灵活方法所驱动的。NVDIMM-P 内存能够在意外断电时保留原有数据,与英特尔傲腾(Optane)内存芯片比较类似。 JEDEC混合DIMM任务组标准化NVDIMM主席Jonathan Hinkle表示,JESD304-4.01 DDR4 NVDIMM-P总线协议为混合DIMM技术提供了正式规范,如NVDIMM-P,它使设计工程师能够将DDR的访问速度与非易失性存储器的可靠性和容量相结合,以改进数据管理。 该标准的关键目标是
[嵌入式]
韩媒:4月DRAM价格飙升,NAND闪存价格未变
据韩媒BusinessKorea报道,新冠肺炎的蔓延致使远程办公、教学等线上活动增加,从而服务器需求激增,因此DRAM的合约价格在4月份飙升。 据市场研究公司DRAMeXchange 的最新数据,截至4月底,用于个人电脑的DDR4 8GB DRAM合约价格平均为3.29美元,较3月的2.94美元上涨11.9%,此为2017年4月以来DRAM价格首次呈现两位数的月度涨幅。 据悉,DRAM的价格自今年1月以来一直在上涨,此前全球半导体市场的放缓一直持续到2019年底,而这种上升趋势是由新冠肺炎的蔓延引起的。由于数据中心安装了更多的服务器,以满足远程办公和在线课程日益增长的需求,内存半导体的销售有所增长。 然而,固态硬盘使用的NAN
[手机便携]
tq210 nand8位HWECC与YAFFS2的OOB布局
最近又重新调试了下8位的HWECC,最后发现S5PV210的8位HWECC的确是可以用的,但是,使用yaffs2文件系统的时候的时候仍然会出问题,这是由于yaffs2文件系统与mtd层的oob布局冲突导致的。 当我们使用8位HWECC时,会生成52字节的ECC校验数据并写入oob,而yaffs2自身也有28字节的数据写日oob,也就是说,至少需要28+52=80字节的oob空间,而对于我们的nand flash,页大小为2048字节,oob空间为64字节,明显空间不足,进而导致了我们前面看到的问题,所以,采用8位HWECC时应该选用不使用oob空间的文件系统,如jffs2,但是jffs2文件系统在挂载时比较慢,感觉上不如yaf
[单片机]
SK海力士收购英特尔NAND闪存及SSD业务获得反垄断机构批准
SK海力士今日宣布,针对公司的英特尔NAND闪存及SSD业务收购案获得了中国反垄断机构-国家市场监督管理总局(SAMR)的批准。 随着SAMR的批准,SK海力士获得了所有8个不同司法辖区的反垄断机构批准。 SK海力士将继续为交割做准备, 达成所有交割条件。第一阶段交割的对价为70亿美元,交割时SK海力士将从英特尔接管包括SSD相关的IP及员工在内的SSD业务和大连资产。 SK海力士表示,“真诚欢迎和感谢中国反垄断机构的批准。SK海力士将继续推进并购后的整合流程以提高NAND闪存及SSD业务的竞争力。” SK海力士官方说明:此前外界猜测,鉴于中美两国在半导体领域的紧张关系以及该交易涉及各国利益的复杂局面,SK海力士将难以获得中国对该
[手机便携]
再涨10%,NAND闪存国外巨头牢牢把控,国产化进程怎样了?
近期因铠侠/西部数据工厂污染事件,NAND Flash再次吹响涨价的号角。 在最新通报中,西部数据将闪存可用性减少量的估量调高至约7 exabytes(艾字节),这一数值相较此前估量的6.5 exabytes进一步调升约7.7%,显示污染事件对产能的影响将较先前预估的显著更大。根据CFM闪存市场数据,预计将占铠侠和西部数据一季度产能10%。此事件之后,美光科技和西部数据已将其 NAND 闪存价格上调约10%,这将引发现货和合约市场价格的上涨。 关于这波涨价,业内人士陈庆跟笔者提到,“目前听说价格上涨可能会从10%以上开始,但我相信最终会低于5-10%。”同时,他分析到,SSD (OEM) 的客户可能会耗尽库存,最终不得不支付更高的
[手机便携]
韩媒:SK海力士重新回归五大NAND闪存生产商之列
据韩媒BusinessKorea消息,SK海力士2020年第一季度全球NAND闪存市场上击败英特尔,重回第五名。 市调机构DRAMeXchange 日前的报告显示,SK海力士今年第一季度NAND闪存销售额为14.47亿美元,占全球市场的10.7%。该公司的市场份额比上一季度增长了1.1%,销售额也比上一季度增长了19.8%。英特尔的市场份额从9.7%上升到9.9%,但其基于销售额的排名跌至第六位,仅次于SK 海力士。 对此,业内人士认为,SK海力士的市场份额的增加得益于服务器SSD销量的激增。此前SK海力士在第一季度财报会上表示,服务器SSD销量达到了NAND闪存销量的40%。公司第一季度NAND闪存的出货量环比增长了7%,NAN
[手机便携]
三项冠军加身 国产128层3D NAND可否力战而出
在快速迭代的NAND闪存行业,国产闪存终于跨出最重要一步。4月13日,长江存储科技有限责任公司(以下简称长存)宣布其128层QLC 3D NAND 闪存(型号:X2-6070)研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。 作为业界首发的128层QLC闪存,长存的新品还创下了三个第一:1、业界单位密度最高;2 、1.33Tb的最高单颗容量;3 、最快的1.6G/s的I/O速度。 地处曾经的疫情风暴中心,面对数月的各种压力,长存在技术上的突破实属不易。 跳级的必要性 长存在成功研发64层3D NAND后,没有循规蹈矩地升级96层,而是直接选择128层。这个看似冒险的决策,现在证明了必要性。 从2019年开始,业界
[手机便携]
三星首款3D垂直NAND闪存面世 闪存容量将提升
对生产存储容量更大的闪存片来说,最关键的挑战在于它的尺寸。因为随着密度的增加,晶体间互相干扰和闪存故障的几率也相应增加,所以想制作一款容量大尺寸小的闪存,还是存在一定的难度。不过近日,制造商三星在这点上有了新的突破,它正大批生产首款3D垂直NAND闪存,也可称其为V-NAND。
三星制作的垂直NAND闪存改变了以往传统的2D面板架构,而采用具有更多呼吸空间的3D晶体构造。如此一来,该3D闪存在更高的密度下也保证了更高的可靠性和速度。三星称采用新技术的闪存比之前的老款可靠2到10倍,且数据写入速度是之前的两倍。最初版本的V-NAND芯片提供了16GB的容量,这种高容量我们在其他闪存上也见过,但是我们相信等到一
[家用电子]