【记录】NAND FLASH控制器-电子工程世界

结构
bin文件的结构包括两部分，主程序被放到NAND flash中的4096地址上。

前4k程序负责把主程序直接复制到SDRAM中。

前4k程序在片内的SRAM中执行，主程序在SDRAM上执行。

这里写图片描述

关键字：NAND FLASH 控制器 SDRAM 引用地址：【记录】NAND FLASH控制器

上一篇：NORFLASH和NANDFLASH启动
下一篇：【记录】存储管理器

推荐阅读最新更新时间：2024-11-12 12:19

LT3763 是一款固定频率、同步降压型 DC/DC 控制器，专为准确地调节高达 20A 的输出电流而设计。平均电流模式控制器将在 0V 至 55V 的宽输出电压范围内保持电感器电流调节作用。输出电流由 CTRL 引脚上的模拟电压和一个外部检测电阻器设定。电压调节和过压保护利用一个连接于输出和 FB 引脚之间的分压器来设定。开关频率可通过 RT 引脚上的一个外部电阻器或利用 SYNC 引脚和一个外部时钟信号在 200kHz 至 1MHz 的范围内进行设置。输入和输出电流检测可提供输入电流限制和这些电流的准确测量。FBIN 引脚可供那些需要峰值功率跟踪功能的应用之用。 LT3763 采用两个外部开关 MOSFET,能以高达 96%

[电源管理]

LT3763一款固定频率、同步降压型 DC/DC <font color='red'>控制器</font>

43-基于51单片机超声波液位控制器设计

具体实现功能系统由AT89C52单片机+HC-SR04超声波测距模块+LCD1602液晶屏+继电器+LED灯指示及蜂鸣器报警模块+按键模块+电源构成。具体功能： 1、由HC-SR04超声波测距模块测量并用LCD1602显示液位； 2、可以通过按键设置液位范围； 3、当水位高于水位上限的时候，水位高报警，继电器控制水泵停止加水； 4、当水位低于水位下限的时候，水位低报警，单片机控制水泵开始加水。液晶显示有4个字母： H------容器的最高水位设定值 L------容器的最低水位设定值 D-----容器实际高度（可以设置） C-----容器内液体的高度按键：设置键、增加键、减小

[单片机]

奥迪灯厂LED大灯拆解与控制器模块的变化

引言：前面有几位友人，在提及集中式架构下车灯控制的演变，主要涉及室内灯、前车灯控制系统 AFLS 的控制演变，换言之，在未来的集中式架构下，对于车灯控制原先从自动控制（ADAS 系统的交互）或者是外部大灯等，会不会给提权到车身域控制器（类似于大陆做的 ICAS1）里面去做更复杂的模块，而把一些驱动方面的内容和其他部件集成，这个未来谁知道呢，随着内卷化，想要进一步快速做差异化，把车灯的控制算法拿回来做差异化逻辑上都是行得通的。图 1 uAFS 系统 01 奔驰的 LED 灯我找到有两个不同类型的 LED 灯，如下所示，因为图比较多，就主要上图。但从车灯来看，LED 大灯里面主要包含 LED 模

[汽车电子]

奥迪灯厂LED大灯拆解与<font color='red'>控制器</font>模块的变化

STM32微控制器助力美国August公司开发智能门锁系统

中国，2014年11月5日 ——横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商、世界领先的物联网 (IoT, Internet of Things) 芯片供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）宣布其 STM32 微控制器被美国 August 公司采用，用于设计新一代智能门锁(Smart Lock) 系统。 STM32嵌入式微控制器的高性能和高能效让 August 智能门锁用户可通过智能手机或电脑直接控制家中门锁，无需实体钥匙。除提供32位的处理性能和安全信号处理功能外，STM32微控制器的实时响应和能效也非常出色。意法半导体美洲区微控制器市场应用副总裁

[物联网]

全球最大、三星韩国平泽厂传7月投产64层3D NAND

据海外媒体报道，三星电子位于韩国平泽(Pyeongtaek)的工厂，号称是全球最大的半导体工厂。消息传出，平泽厂预定七月启用，将生产第四代3D NAND。 BusinessKorea、Investor 12日报导，平泽厂是第四代64层3D NAND的生产基地，预定七月投产。三星敌手美光(Micron)、SK海力士等，都尚未开始量产第四代3D NAND，三星拔下头筹，将可拉大与竞争对手的差距。 IHS Markit估计，三星NAND的总产能(平面+3D)，约为每月晶圆投片量45万组，其中一半以上都是3D NAND。据传平泽厂将专门量产3D NAND，等产能全开时，NAND产量将大增，能争抢更多市占。不过，消息人士说，平泽厂初期运转

[手机便携]

瑞萨推出32位RX系列微控制器（MCU）RX23E-A产品组

全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社宣布推出32位RX系列微控制器（MCU）RX23E-A产品组，将高精度模拟前端（AFE）集成在MCU单芯片上。RX23E-A MCU专为需要对温度、压力、重量和流量等模拟信号进行高精度测量的制造、测试及测量设备而设计，是瑞萨首款能够在无需校准的情况下以优于0.1%的精度测量此类信号的方案。这一新型MCU实现了业界最高级别的AFE精度（失调漂移：10 nv/°C，增益漂移：1 ppm/°C，以及RMS噪声：30 nv rms），在这之前只能通过将专用A/D转换器电路与高精度运算放大器集成电路相结合的方式来实现这一性能水平。瑞萨通过将这种高精度AFE IP集成到使用相同制造工艺

[嵌入式]

瑞萨推出32位RX系列微<font color='red'>控制器</font>（MCU）RX23E-A产品组

玩转STM32CubeMX | STM32内部FLASH

1.内部FLASH简介之前的文章中介绍过STM32F1利用SPI与外部FLASH（W25QXX芯片）通讯的例程，本例程将介绍STM32F1的内部FLASH，通过内部FLASH实现数据读写操作。不同型号的STM32，其FLASH容量也有所不同，最小的只有16K字节，最大的则达到了1024K字节。此处我们使用的是STM32F103ZET6，其FLASH容量为512K字节，属于大容量产品，大容量产品的闪存模块组织图如下图示 STM32F1的闪存模块由：主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器3部分组成 *主存储器：用来存放代码和数据常量，起始地址是0x08000000，BOOT0和BOOT1都接GND时，就是从该起始地址运行

[单片机]

玩转STM32CubeMX | STM32内部<font color='red'>FLASH</font>

基于DSP的智能控制器高可靠性分析与设计

　　硬件系统高可靠性设计　　1 硬件电路设计　　硬件电路原理如图1所示，在具体设计中，每个部分都应考虑抗干扰问题，以最大限度地减小干扰对整个系统性能的影响，确保系统具有足够高的可靠性。　　　　图1 智能控制器硬件电路原理框图　　①DSP部分　　本控制器以TI公司的TMS320F2812（以下简称F2812）为核心，它是一款专用于控制的高性能、多功能、高性价比的32位定点DSP芯片。F2812部分的电路设计重点考虑如下问题：　　● 电源上电次序。F2812为低电压、多电源DSP，必须满足I/O电源先于CPU内核电源上电的次序，且两者上电时间差不能太长（一般不超过1s），否则会影响器件的使用寿命甚至损坏器

[嵌入式]

基于DSP的智能<font color='red'>控制器</font>高可靠性分析与设计

热门资源推荐
热门放大器推荐

小广播

【记录】NAND FLASH控制器

设计资源 培训 开发板 精华推荐

设计资源培训开发板精华推荐