嵌入式linux开发 (九) RAM(3) s3c2440外扩sdram

- JZ2440  S3C2440 ARM920T

-内置

Steppingstone (4K-Byte SRAM)

无rom

-外扩

EM63A165TS-6G:32MB/片,SDRAM,共两片

soc

The S3C2440A is developed with ARM920T core, 0.13um CMOS standard cells and a memory complier.

The ARM920T implements MMU, AMBA BUS, and Harvard cache architecture with separate 16KB instruction and 16KB data caches, each with an 8-word line length.

The integrated on-chip functions that are described in this document include:

Around 1.2V internal, 1.8V/2.5V/3.3V memory, 3.3V external I/O microprocessor with 16KB I-Cache/16KB D-Cache/MMU

External memory controller (SDRAM Control and Chip Select logic)

SOC端 内存(存储)控制器

内存控制器接口及内存映射

在 soc 内存控制器看来,sram,sdram,rom,srom 对于 soc存储控制器都是一样的,统一编制

cpu进行sdram数据读写

CPU发送一个地址

cpu根据地址发出片选信号(如果地址在sdram中,则片选sdram)

内存控制器做的事

1.它需要根据你外接的SDRAM进行设置(定义了这些通信格式之后才能找到相应的地址进行存储。)

外接芯片的位宽，容量，等，

还需要分出几个逻辑块（L-BANK）以及分行（ROW）列（Colum），

2.发出时序

寄存器

#define MEM_CTL_BASE    0x48000000

看样子有13个寄存器

 BWSCON BANKCON0 BANKCON1 BANKCON2 BANKCON3 BANKCON4 BANKCON5 BANKCON6 BANKCON7 REFRESH BANKSIZE MRSRB6 MRSRB7

引脚

------------------------- sclk

SCLK[1:0] SDRAM clock

SCKE SDRAM clock enable

------------------------- data and addr

DQ[0-15]

A[0-12]

------------------------- bank select

与BA0与BA1 连接的线,在s3c2440中没这个概念,直接用addr线代替

------------------------- control

nGCS[7:0] (General Chip Select) are activated when the address of a memory is within the address region of each bank. The number of access cycles and the bank size can be programmed. // nSCS[1:0] SDRAM chip select

nSRAS SDRAM row address strobe

nSCAS SDRAM column address strobe

nWE nWE (Write Enable) indicates that the current bus cycle is a write cycle

DQM0[3:0] Data Input/Output Mask: Controls output buffers in read mode and masks Input data in write mode.

#### 以下没用到

nWBE[3:0] Write byte enable

时序

设备端SRAM芯片(EM63A165TS-6G)

连线

代码

初始化

// 初始化13个寄存器,寄存器都是对soc侧控制器进行初始化的,并没有涉及到SDRAM的初始化

#define MEM_CTL_BASE    0x48000000

/* 3. 初始化SDRAM */

ldr r0, =MEM_CTL_BASE // r0 开始地址

add r3, r0, #(13*4) // 结束地址

adr r1, sdram_config    // 配置数据开始地址 /* sdram_config的当前地址 */

1:

ldr r2, [r1], #4 // 将 配置信息存储到 r2,r1+4

str r2, [r0], #4 // 将 r2 配置到 r0,r0+4

// 综上,是将 配置信息放置到 MEM_CTL_BASE   地址中去

cmp r0, r3 // 看 r0 (是否)等于r3,等同于看配置(是否)完成 

bne 1b // 没结束,则继续配置

sdram_config:

.long 0x22011110 //BWSCON 0x48000000

.long 0x00000700 //BANKCON0 0x48000004

.long 0x00000700 //BANKCON1 0x48000008

.long 0x00000700 //BANKCON2 ...

.long 0x00000700 //BANKCON3  

.long 0x00000700 //BANKCON4

.long 0x00000700 //BANKCON5

.long 0x00018005 //BANKCON6

.long 0x00018005 //BANKCON7

.long 0x008C04F4 // REFRESH

.long 0x000000B1 //BANKSIZE

.long 0x00000030 //MRSRB6

.long 0x00000030 //MRSRB7

读写sdram

// 类似于这样来读写sdram.

// dest[i] 是 sdram 中的地址.

dest[i] = src[i];

/* 4. 重定位 : 把bootloader本身的代码从flash复制到它的链接地址去 */

ldr sp, =0x34000000

bl nand_init

mov r0, #0 /*src*/

ldr r1, =_start /*dest*/

ldr r2, =__bss_start 

sub r2, r2, r1 /*len*/

bl copy_code_to_sdram

bl clear_bss

void copy_code_to_sdram(unsigned char *src, unsigned char *dest, unsigned int len)

{

int i = 0;

/* 如果是NOR启动 */

if (isBootFromNorFlash())

{

while (i < len)

{

dest[i] = src[i];

i++;

}

}

else

{

//nand_init();

nand_read((unsigned int)src, dest, len);

}

}