我的mini2440上是只接了一块Nor Flash,型号是S29AL016M90TAI02,这是一块2M Byte,16位宽度的Nor Flash,用于引导扇区的闪存。原理图里面关键的引脚是:
地址引脚:22个地址引脚A0-A21(S29AL016M90TAI02只接了A0-A19,20个地址,接到S3C2440的LADDR1-LADDR20,和图中NorFlash芯片型号不一致)
数据引脚:16个数据引脚D0-D15
/OE:OUTPUT ENABLE,输出使能,低电平有效。
/WE:WRITE ENABLE,写使能,低电平有效。
/CE:CHIP ENABLE,片选,低电平有效。
/WP:S29AL016M90TAI02无此引脚,暂不分析。
S3C2440内存映射:
S3C2440以NorFlash启动时,NorFlash映射到Block0,地址范围是0x0000_0000~0x0800_0000,128M Byte。由原理图OM引脚的配置可知,从NorFlash启动时,OM1直接接地,OM[1:0]=01。
根据OM表可知,此时是16bit模式。
S3C2440最多支持6个Block(Block0-Block5)连接SROM(包括ROM,SRAM,NorFlash属于SRAM),再加上2个Block可以接SROM/SDRAM,每个Block最大为128M Byte,所以S3C2440最多支持外接的8*128M=1G的随机存储介质。S3C2440如果要访问NorFlash上的数据,则通过内存地址的27:29来决定nCGS哪个使能,并作为对应存储芯片的片选信号。由于NorFlash是16位模式,并且OM为01,也设置为16位模式,则NorFlash的最低位接的是S3C2440的LADDR1,16bit对齐。以读操作为例,S3C2440的地址引脚会分别发出32bit的H位和L位,然后读入后进行拼接,拼接成32bit数据,写依然。
关键字:mini2440 Nor Flash 闪存
引用地址:
mini2440 Nor Flash工作原理分析
推荐阅读最新更新时间:2024-11-12 10:27
如何将MSP430单片机中的long数据烧写至Flash中去
从RAM地址0x0200中读取一个long数据,并烧写至地址为0x1800的Flash中。 代码: #include“io430.h” void main(void) { //初始化RAM信息段的指针 unsigned long * RAM_ptr = (unsigned long *) 0x0200; //初始化Flash信息段的指针 unsigned long * Flash_ptr = (unsigned long *) 0x1800; //存放数据的变量 unsigned long value; WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD; //关闭看门狗 P4DIR |= BIT2; //设置P4.2为输出
[单片机]
mini2440的Nor Flash启动与Nand Flash启动
CPU 处理器 - Samsung S3C2440A,主频400MHz,最高533Mhz SDRAM 内存 - 在板64M SDRAM - 32bit 数据总线 - SDRAM 时钟频率高达100MHz FLASH 存储 - 在板 128M Nand Flash, 掉电非易失 - 在板 2M Nor Flash,掉电非易失,已经安装BIOS Mini2440的启动时读取的第一条指令是在0x00上,分为成nand flash和nor flash上启动。 Nor flash的有自己的地址线和数据线,可以采用类似于memory的随机访问方式,在nor flash上可以直接运行程序,所以nor flash可以直接用来做
[单片机]
Upthere之后 西部数据又要收购一家闪存公司
在宣布收购云存储服务提供商 Upthere 之后, 西部数据 (WD)紧接着在本周二宣布了又一个收购目标 —— 闪存 公司 Tegile Systems —— 不过西数并未透露这笔交易的金额。成立于 2010 年的 Tegile,主要为企业提供数据中心应用的 闪存 和持久性内存存储解决方案。过去几年,西数一直扮演者投资方的角色,并在今年 4 月份领投了 3300 万美元的 E 轮融资。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。 Rohit Kshetrapal 指出,西数早已在多方面增强了该公司的业务,包括工程整合、HDD / SSD 供应链效率、营销努力、以及客户支持。 本次收购后,西数将获得一套创新的产品组
[网络通信]
武汉新芯50nm高性能的SPI NOR Flash产品全线量产
紫光集团旗下武汉新芯集成电路制造有限公司(以下简称“武汉新芯”),一家领先的非易失性存储供应商,宣布其采用50nm Floating Gate工艺SPI NOR Flash宽电压产品系列XM25QWxxC全线量产,产品容量覆盖16Mb到256Mb。该系列支持低功耗宽电压工作,为物联网、可穿戴设备和其它功耗敏感应用提供灵活的设计方案。 XM25QWxxC系列产品在1.65V至3.6V电压范围内读取速度可达133MHz(在所有单/双/四通道和QPI模式下均支持),工作温度范围可达-40℃到105℃。在电源电压下降后,时钟速度没有任何减慢,其传输速率可以胜过8位和16位并行闪存。在连续读取模式下能实现高效的存储器访问,仅需8个时钟的指
[手机便携]
Mini2440开发板:U-boot-2008-10之支持nand flash驱动K9F1G08U0B
U-Boot版本:U-boot 2008.10 目标板:Mini2440 Nandflash型号: K9F1G08U0B 256M 修改include/configs/mini2440.h。 1)添加命令支持: #define CONFIG_CMD_ELF #define CONFIG_CMD_NAND 2)添加nand flash 参数设置: /*nand flashsettings******************************************************************************************/ #define CFG_NA
[单片机]
用Jlink烧写bootloader到mini2440的Nor flash
J-Flash ARM的配置。 一般说来file-- open project里面会找到一些*.jflash的配置文件,加载他们就行了,但是没找到适合S3C2440的。所以自己建了一个mini2440.jflash,手动进行配置: j-link设置 1. 打开J-Flash ARM,并进入菜单:Options-- Project settings 2.主要设置CPU选项和Flash选项 CPU : Core -- ARM9, Little endian Use target RAM(faster)-- Addr:40000000 4KB(不选很慢;从Nor flash启动时内部Boot SRAM的地址和大小,参考S3C2440A
[单片机]
东芝受停电影响,三星NAND Flash乘势喊涨
存储器芯片与智能手机市况低迷影响,三星电子预估,第2季营业利益将比去年同期下滑逾50%。不过,因为存储器大厂东芝旗下厂区发生停电影响,加上相关存储器厂商亏损已久,手机品牌厂下半年推出新手机等因素,包括三星在内的NAND Flash原厂反而乘势喊涨。 三星电子5日发布初估财报指出,上季营业利益将年减56.3%至6.5兆韩元(56亿美元),营收下滑4.2%至56兆韩元,都略高于市场预期,主要是受到显示器部门一次性收益的提振,三星未进一步说明。 分析师原本认为,美国管制华为可能导致 DRAM 与NAND快闪存储器芯片价格受累,日本管制对韩国的高科技原料出口也延后三星的获利时间。 不过近期有模组业者表示,最近正在谈定第3
[嵌入式]
美光与英特尔宣布将中止NAND Flash研发合作
美光 与 英特尔 在1月8日宣布其NAND Flash合作伙伴关系将于完成第三代3D-NAND Flash(96层)开发之后终止,各自研发未来的NAND Flash技术,以符合双方品牌产品所需,并维持Lehi厂3D-XPoint的合作关系。针对该项消息,集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出,由于96层3D-NAND直到2019年才逐渐成为主流,分析 美光 与 英特尔 拆分结盟的决议要到2020年后才会影响双方产品的规划与结构。下面就随手机便携小编一起来了解一下相关内容吧。 DRAMeXchange表示, 英特尔 与 美光 之间的NAND Flash采购协议并未因此中止,短期内不会对双方产能的销售与分配上
[手机便携]