安森美半导体推出业界最薄ESD保护阵列

2008年9月26日，-安森美半导体推出低电容静电放电(ESD)保护产品线的两款新产品——NUP4016和ESD11L5.0D。这些新产品采用安森美半导体获得专利的先进集成ESD保护平台，增强钳位性能，并维持超低电容和极小裸片尺寸。新器件的超小型封装厚度比此前版本封装低20%，是需要在超薄封装中提供优异保护性能的手机、MP3播放器、平板显示器和其它高速通信等便携应用的极佳保护器件。

安森美半导体数字消费产品部副总裁兼总经理Manor Narayanan说：“便携电子产品的体积不断缩小，但却要提供更多的功能，这已经不是新闻。真正的新闻是半导体公司的方案如安森美半导体的新保护器件，如何帮助设计人员去结合世界一流的ESD保护和超低电容， 以维持高速数据率，而不会占用太多珍贵的电路板面积。”

NUP4016采用极小的1.0 mm x 1.0 mm x 0.4 mm SOT-953封装保护4条高速数据线路，是如今市场上最薄的高速通信接口用ESD器件。这器件还具备每条I/O线路0.5皮法(pF)的超低电容，非常适用于保护通用串行总线(USB) 2.0高速(480 Mbps)和高清多媒体接口(HDMI) (1.65 Gbps)等高速接口。NUP4016的超小尺寸结合领先的超低电容和低钳位电压性能，使它成为手机、便携式MP3播放器、个人数字助理(PDA)和数码相机等空间有限产品的首选解决方案。

ESD11L5.0D采用超小型1.0 mm x 0.6 mm x 0.37 mm SOT-1123封装，以0.5 pF电容保护两条高速数据线路，是如今市场上最薄的高速通信、USB 2.0数据和电源线路和保护用ESD器件。与采用SOT-723封装的市场上同类解决方案相比，SOT-1123封装占位面积小50%，厚度低20%。将安森美半导体的超低电容技术集成至3引脚封装中，为设计人员提供保护USB 2.0端口的D+和D-线路的单个器件解决方案。ESD11L5.0D也能够连接阴极至阴极，以0.25 pF电容保护单条双向线路，非常适用于保护高频射频(RF)天线线路。

NUP4016和ESD11L5.0D都能在数纳秒时间内将15千伏(kV)输入ESD波形钳位至不足8伏(V)，为当今对ESD敏感的集成电路(IC)提供最高保护水平。虽然聚合物和陶瓷压敏电阻等其它片外低电容ESD保护技术也提供低电容，但它们的ESD钳位电压远高于安森美半导体的解决方案。此外，安森美半导体的硅器件没有无源技术的磨损问题，在经过多次浪涌事件如ESD等后，可靠性和性能都不受影响。

安森美半导体标准产品部全球市场营销副总裁麦满权说：“安森美半导体持续领先业界，以更小、更薄的产品提供高性能ESD保护解决方案，不仅配合下一代应用的尺寸要求，更提供客户所要求的性能。这些新器件克服保护高速应用中敏感元件免受ESD导致严重损伤的挑战。”