低功耗高转换速率CMOS模拟缓冲器

最新更新时间:2010-05-24来源: 微计算机信息关键字:缓冲器  低功耗  镜像  转换速率 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

  引言:模拟电压缓冲器是混合信号设计中非常重要的基本组成部件。它们主要用作信号监听和驱动负载。在第一种情况下,缓冲器通常连接到测试电路和要求低输入电容的电路的内部节点,因为这个节点上寄生电容的任何增加可能都是至关重要的。然而,当缓冲器用来驱动负载时,为了在整个电源电压范围内尽快地驱动负载,我们希望大范围输出信号摆幅内具有高的转换速率。

  目前集成电路的电源电压已经降低了,主要集中在功耗和可靠性问题。这种趋势已经迫使大部分模拟基本组成部件重新设计,试图保证它们的整体性能。在这些设计约束下。轨到轨操作在低压设计中成为强制性的,目的是为了增大信噪比。

  在这篇文章里,我介绍了一种能达到AB类特性轨到轨CMOS模拟缓冲器的电路技巧,产生了具有低功耗和高的驱动能力的方法。

  以前的互补:图1a给出了P沟道AB类差分对,当大的差分信号加到输入端时,它能够传送非常大的电流。在差分对节点A处的阻抗非常低,而且它的电压即使在的输入信号下,也近似接近常数。因此,差分电压V1-V2在M2上产生大的电流变化,在M3上也同样如此。

  AB类电压缓冲器可以通过连结两个互补差分单元而得到,如图1c所示。毫无疑问,图1c中的电路有两种局限性。第一,M3P和M3N的栅源电压可以分别迫使驱动晶体管M1P和MlN在三极管区工作,减小了可用的电压工作范围。这种缺陷可以通过引进电压电平移位器来驱动M3P和M3N来克服,这将在后面解释。第二,当输出节点接近正向或者负向电源轨时,这种结构的输出电压摆幅受到限制。主要是因为P沟道和N沟道差分对分别工作在VDD和VSS受到限制的缘故。

AB类差分输入单元

  图1 AB类差分输入单元;对差分信号的直流传输特;基于两对互补AB类差分输入单元的低功耗缓冲器

  a AB类差分输入单元 b DC传输特性 c低功耗缓冲器

  所提出的模拟缓冲器:图2给出了晶体管级实现所提出的轨到轨MOS模拟缓冲器。这种电路是单增益级。它的输人支路是由两个互补的AB类差分对组成。与图1c中电路的重要区别是,在这种情况下,输出节点不是由输入驱动直接驱动,而是由电流镜M4P-M5P和M4N-M5N分别驱动。因此,M2P和M2N的共栅现在是不倒相输入端。

所提出的轨到轨AB类缓冲器

  图2所提出的轨到轨AB类缓冲器

  在中部电源电压区,PMOS和NMOS输入对是有效的,而且它们的偏置电流通过电流镜M4P--M5P和M4N--M5N镜像到该电路的输出端。这种结构允许NMOS输入对驱动在电源电压区的输出节点接近VDD.而PMOS控制输出端的电压范围接近VSS.不幸的是,在接近VDD时,P沟道输入对截止,而且没有电流被镜像到输出端的底部,关闭了缓冲器。类似的情况是VSS时.N沟道差分对不是有效的。为了这个原因,晶体管M1PR-M5PR和MlNR-M5NR已包括在图2中,维持在整个电压范围内是有效的。

  因此,这种缓冲器的工作过程可以这样详细描述如下:当输入信号Vin,在中部电源电压区,两个输入对MIP~M2P和MlN—M2N是有效的,M4P-M5P和M4N--M5N镜像一个等于IB的电流到输出支路。而且,电流IB的复制品通过晶体管MIPR(M1NR)和M2PR—M3PR(MlNR—M2NR)拷贝,给输出支路底部的附加电路的电流源提供电流。因此,晶体管M4P和M5P(M4N和M5N)关断,而且对输出电流没有任何贡献。输入信号接近VDD时,PMOS输入对关断,而且反相输入支路的复制品等等都关断。MIPR--M3PR不对输出支路的附加电路发送任何电流。这样的话,M4PR和M5PR导通,从输出支路吸收等于IB的电流,维持缓冲器是导通的。当输入信号Vin接近VSS时,类似的情况也会发生。

  应当指出的是,电压电平移位器已经包含在输入级,目的是为了在线性区和超出输入信号范围到两端电压时,来驱动M3P和M3N,避免了M1P和M1N分别工作。因此,轨到轨操作在电路输出端一样,同样能在输入端达到。

  所提出缓冲器的动态操作可以通过在电路输入支路AB类差分对的高的驱动能力来提高。一旦遇到大的正向输入信号,晶体管M2P截止,而M2N则吸收大量电流,通过M4N和M5N镜像到输出部分。相反,当大的输入信号以负的方向施加时,晶体管M2N截止,M2P传送大电流,通过M4P和MSP拷贝到输出部分。

  所提出缓冲器的输入电容可以通过等比例减小晶体管M2P和M2N的尺寸。毫不疑问,必须指出的是,这些晶体管宽长比的减小会导致它们有效驱动能力的降低。除此之外,在这种电路里只有一个高阻抗的节点,它的带宽可能非常大。然而,在输出节点具有高输出阻抗的单增益级结构非常适合用来驱动大的电容负载,假定低电阻负载能减小缓冲器的整体增益。,因此,它是精确的。

在图2中模拟缓冲器的直流传输特性

  图3 在图2中模拟缓冲器的直流传输特性

      仿真结果:图2中的模拟电压缓冲器已经在0.35uCMOS工艺设计实现。工作电源电压是1.5V,偏置电流是10uA,负载电容是lOpF。

  图3给出了具有失调电压的所提出的模拟缓冲器的DC传输特性。正如期待的那样,rail to rail特性达到了。图4给出了图2电路的大信号瞬态响应。特别指出的是,输出电压揭示了高的转换速率是由于在输入级的AB类操作。但是,最大电流与通过输出晶体管的静态偏置电流的大的比率证实了所提出的方法导致了低功耗和高的驱动能力。

  对于DC输人电压等于零仿真,开环增益和单位增益频率大约为54dB和6.1MHz。增益值相对低是由于电路是单增益级。增益一带宽值的是以增加输入差分对的偏置电流为代价的。因此,增大了功耗。对于2.4VPP 100kHz输入正弦信号,可以得到-44.6dB的ATHD.当输入电阻没有按比例减小时,所提出缓冲器的仿真电容要降低32fF。

在图2中模拟缓冲器对于为2

  图4在图2中模拟缓冲器对于为2.4VPP频率为1MHZ方波输入信号10pF负载电容的大信号瞬态响应

  a输入和输出电压  b通过输出晶体管的电流

  结论:提出了减小输入电容的轨到轨电压缓冲器。轨到轨操作不仅在电路的输出端,同样在电路的输入端实现。所介绍电路的AB特性导致了低功耗和高的转换速率,使它很适合驱动大的电容负载。仿真结果已经提供了该电路的操作。

  本文作者创新点:提出了减小输人电容的轨到轨电压缓冲器。轨到轨操作不仅在电路的输出端.同样在电路的输入端实现。所介绍电路的AB特性导致了低功耗和高的转换速率,使它很适合驱动大的电容负载。仿真结果已经提供了该电路的操作。

关键字:缓冲器  低功耗  镜像  转换速率 编辑:金海 引用地址:低功耗高转换速率CMOS模拟缓冲器

上一篇:意法半导体推出最小的四线ESD保护芯片
下一篇:基于C8051F410的精确信号模拟电路设计

推荐阅读最新更新时间:2023-10-12 20:16

抢占穿戴式医疗先机,ADI强推超低功耗AFE
亚德诺(ADI)将以超低功耗模拟前端(AFE)方案抢占穿戴式医疗市场先机。随着家居照护的兴起,穿戴式医疗市场商机节节攀升,因此亚德诺自2012年开始,已积极强化超低功耗模拟前端元件产品组合,期望能大举进军穿戴式医疗电子市场。   台湾亚德诺半导体资深应用工程师叶淙益表示,在家居照护风潮的带动之下,2013年穿戴式医疗电子需求将呈爆发性成长,营收表现十分可期。亚德诺已推出整合式模拟前端,该元件在4毫米(mm)×4毫米大小的封装大小当中,包括四颗模拟IC、四颗放大器以及逻辑判断IC等芯片。未来亚德诺将持续聚焦于开发超低功耗的整合式模拟前端,以稳居医疗电子市场。      图3 台湾亚德诺半导体资深应用工程师叶
[模拟电子]
抢占穿戴式医疗先机,ADI强推超<font color='red'>低功耗</font>AFE
十速科技TM89系列全新一代高性能低功耗OTP IC
TM89系列的新成员TM89P55M正式推出!采用十速科技最新专有的4位内核,包括超低工作/休眠/停机状态耗电流,超低工作电压;可在1.5V操作运用,内建最高1000点的LCD驱动电路和强大指令集…等特点,应用于LCD 显示器 的控制及驱动,超低功耗在闲置和运作状态下低于2uA的高性能,跟TM87系列兼容,TM87 及TM89可提供48~1000点LCD的全方位选择。搭配十速科技提供完善的开发工具、有仿真器TICE89以及烧录器TWR98,将提供客户高性能低功耗的最佳解决方案。
[工业控制]
基于门控时钟的低功耗电路实现方案
摘 要:研究了门控时钟技术在130 nm工艺、基于高阈值标准单元库下的低功耗物理实现方法。详细阐述了多级门控时钟技术的作用机制和参数的设置方法,给出了基于门控时钟的后端实现流程,着重分析了插入门控时钟对时钟偏移的影响并提出解决方案。在中芯国际130 nm工艺下用synop sys公司的DC, IC Comp iler, PT,VCS等工具完成物理实现。在10 M时钟下,总功耗降低22. 6 % ,面积也有所减小。   集成电路工艺节点的提升带来了芯片集成度的极大提高,同时也导致了功耗的急速增加。另外,市场对电子设备的大量需求使得系统功耗成为系统性能的一个重要指标,功耗的高低成了芯片厂商竞争力的焦点之一,功耗控制与管理已成为绝大
[工业控制]
基于门控时钟的<font color='red'>低功耗</font>电路实现方案
Mouser 宣布推出全新低功耗技术子网站
2014 年 5 月 8 日 – 贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布推出全新低功耗技术子网站。此全新技术子网站为开发人员提供元件选择指南与电路设计技术,助其实现最佳低功耗设计,并提供有关这些技术优缺点的建议。 Mouser.cn 提供的全新低功耗技术子网站包含多个部分,旨在帮助开发人员创建低功耗项目。产品选择器部分根据元件类别进行划分,涉及微控制器、电源管理 IC、RF 设备、模拟元件、存储器 IC 及接口芯片。每个元件类别都能为您提供有关在电路中如何正确利用这些元件方面的宝贵建议,如何在电路中正确利用这些元件才能实现最佳高性能与低功耗组合。该子网站也提供了有关选择最适合元件的提示,以实现优异的低功耗
[半导体设计/制造]
TI 推出最小型2.25 MHz 低功耗DC/DC 转换
300 mA、600 mA和 1 A 降压转换器采用 2 mm x 2 mm SON 封装, 电压调节误差度在 +/-1.5% 以内 2007 年 8 月 6日,北京讯 日前,德州仪器公司 (TI) 宣布推出了最小型的2.25 MHz 高性能降压 DC/DC转换器,支持低功耗 DSP 与基于微控制器的便携式电子产品。高性能转换器能延长蓝牙手持设备、手机以及其它锂离子电池供电应用的电池使用寿命,还能节约宝贵的板上空间。更多详情,敬请访问: http://focus.ti.com.cn/cn/docs/prod/folders/print/tps62290.html 。 TI 的300 mA、600 mA和1 A同步降压
[新品]
基于PS021微小电容低功耗测量电路的设计
0 引言 电容式传感器是将被测量的变化转换成电容量变化的一种装置,目前已在多个领域得到广泛应用。它具有结构简单、温度稳定性好、分辨力高、动态响应好,并能在高温、辐射和强烈振动等恶劣条件下工作等优点。 由于电容式传感器输出的电容信号很小(1 fF~10 pF),同时存在传感器及其连接导线杂散电容和寄生电容的影响,这就需要测量电路必须满足动态范围大、测量灵敏度高、低噪声、抗杂散性等要求。 目前,国内外在测量10 pF以下的电容都存在很大的困难,测量电路多是采用电荷转移法或交流法,即将电容量转换为电压或电流,电路往往受到电子开关的电荷注入效应的影响,并且其提高测量速度和提高分辨力的矛盾难以解决。 本文拟采用德国ACAM公司
[测试测量]
基于PS021微小电容<font color='red'>低功耗</font>测量电路的设计
矽典微ICL1112, ICL1122毫米波SoC发布,赋能低功耗和远距离检测应用
2023年7月11日,矽典微发布新一代智能毫米波传感器SoC ICL1112、ICL1122两款芯片 。提升了超低功耗检测和极远探测能力,精准检测的同时易于安装。兼顾室内场景的人体生命存在感应,及室外场景的远距离测速测距场景。为感知层智能硬件厂商带来突破边界限制的能力,拓展产品应用空间。 图1.矽典微CEO徐鸿涛发布毫米波传感器SoC ICL1112和ICL1122 据矽典微CEO徐鸿涛博士介绍,新一代芯片延续了上一代全集成CMOS工艺,在调频误差方面达到四倍的数据提升。平均工作电流仅在70 uA~95 uA范围内。有效提升至微瓦级超低功耗能力,帮助更多电池供电需求的智能硬件,最大化的延长续航时间。 图2.仅用电池
[网络通信]
矽典微ICL1112, ICL1122毫米波SoC发布,赋能<font color='red'>低功耗</font>和远距离检测应用
PN8368 5V1.5A高精度低功耗电源芯片
每个电路板上都有电源芯片,不管是线性电源芯片,还是开关电源芯片,都是有损耗的。一般情况下,开关电源芯片的损耗要比线性电源芯片的损耗小的多,电源管理芯片的目的是提高效率,降低功耗以此来达到绿色环保的要求,为了发挥电子系统的最佳性能,选择最适合的电源管理芯片也变得尤为重要,骊微电子推荐一款低功耗效率高的开关电源芯片PN8368。 开关电源芯片PN8368是一款应用于5-12W以内AC/DC超低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器,内部集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,恒压控制模式采用多模式控制方式,合理的兼容了芯片的高性能、高精度和高效率。在全电压交流输入范围内,采用独有的自适应补偿专利技术,
[嵌入式]
PN8368 5V1.5A高精度<font color='red'>低功耗</font>电源芯片
小广播
热门活动
换一批
更多
最新模拟电子文章
换一换 更多 相关热搜器件
更多每日新闻
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved