本文给出了采用MAX5073双通道降压型转换器、工作于2MHz开关频率下的详细参考设计。该设计可用于电路板空间受限的应用,因为较高的开关频率允许采用更小尺寸的无源元件。此外,该电源解决方案可用于汽车电子(带有抛负载保护),即需要开关频率工作在AM调频波段以外的产品。例如,汽车仪表盘和信息娱乐系统。
该参考设计的关键规格在下面列出,并给出了应用所需的详细原理图(图1)及材料清单(表1)。
详细电路图(PDF)
图1. MAX5073参考设计
表1. 材料清单
实际测量电路获得的数据给出了器件的效率指标,详细内容参见表2和表3。
表2. VOUT2禁止时的效率指标
fSW = 2MHz、LOUT = 4.7µH、COUT = 22µF/6.3V (陶瓷电容)
表3. VOUT1禁止时的效率指标
fSW = 2MHz、LOUT = 4.7µH、COUT = 22µF/6.3V (陶瓷电容)
在稳定性方面,图2和图3所示为每路输出的波特图,详细说明了每路输出的增益和相位。
图2. 3.3V/1.4A VOUTPUT波特图
图3. 2.5V/0.6A VOUTPUT波特图
编辑:神话 引用地址:MAX5073双通道降压转换器工作于2MHz开关频率的参考设
该参考设计的关键规格在下面列出,并给出了应用所需的详细原理图(图1)及材料清单(表1)。
规格
- 输入电压:5.5V至16V
- 第1路转换器输出电压 = 3.3V/2A (最大值)
- 第2路转换器输出电压 = 2.5V/1A (最大值)
- 每路转换器的开关频率(fSW) = 2MHz
- 环境温度(TA) = -40°C至+85°C
详细电路图(PDF)
图1. MAX5073参考设计
表1. 材料清单
Designator | Value | Description | Part | Footprint | Manufacturer | Quantity |
C1 | 100µF/35V | Capacitor | EEVFK1V101P | 8mm x 10.2mm | Panasonic | 1 |
C2, C3, C4, C17, C18 | 0.1µF/25V | Capacitors | GRM188R71E104KA01D | 603 | Murata | 5 |
C5, C6, C7 | 22µF/6.3V | Capacitors | GRM31CR60J226KE19 | 1206 | Murata | 2 |
C8, C9 | 10µF/25V | Capacitors | GRM31CR61E106KA12 | 1206 | Murata | 1 |
C10, C12 | 2.2nF | Capacitors | GRM188R71H222JA01 | 603 | Murata | 2 |
C11 | 560pF | Capacitor | GRM188R71H561KA01 | 603 | Murata | 1 |
C13, C14 | 22pF | Capacitors | GRM1885C1H220JA01 | 603 | Murata | 2 |
C15 | 1nF | Capacitor | GRM18871H102KA01 | 603 | Murata | 1 |
C16 | 4.7µF/6.3V | Capacitor | GRM188R60J475KE19B | 603 | Murata | 1 |
C19 | 0.22µF/10V | Capacitor | GRM188R71A224KA01 | 603 | Murata | 1 |
C20 | 0.01µF | Capacitor | GRM188R71H103KA01J | 603 | Murata | 1 |
D1, D2 | 30V, 500mA | Schottky diodes | MBR0530 | SOD123 | ON Semiconductor | 2 |
D3 | 40V, 3A | Schottky diode | MBRS340 | SMC | ON Semiconductor | 1 |
D4 | 40V, 2A | Schottky diode | MBRS240 | SMB | ON Semiconductor | 1 |
L1, L2 | 4.7µH | Inductors | IHLP2525-CZ | 6.86mm x 6.47mm x 3.18mm | Vishay | 1 |
R1, R11 | 100kΩ | Resistors | SMD, 1%, 0.125W | 603 | Vishay | 2 |
R2 | 6.8Ω | Resistor | SMD, 1%, 0.125W | 603 | Vishay | 1 |
R3 | 4.7Ω | Resistor | SMD, 1%, 0.125W | 603 | Vishay | 1 |
R4, R8, R10 | 1.18kΩ | Resistors | SMD, 1%, 0.125W | 603 | Vishay | 3 |
R5, R9 | 27.4kΩ | Resistors | SMD, 1%, 0.125W | 603 | Vishay | 2 |
R6 | 10kΩ | Resistor | SMD, 1%, 0.125W | 603 | Vishay | 1 |
R7 | 12.7kΩ | Resistor | SMD, 1%, 0.125W | 603 | Vishay | 1 |
R12 | 2.2Ω | Resistor | SMD, 1%, 0.125W | 603 | Vishay | 1 |
R13 | 6.19kΩ | Resistor | SMD, 1%, 0.125W | 603 | Vishay | 1 |
R14 | 8.76kΩ | Resistor | SMD, 1%, 0.125W | 603 | Vishay | 1 |
U1 | MAX5073 | Dual buck converter | MAX5073ETI+ | 32-TQFN_EP (5mm x 5mm) | Maxim | 1 |
实际测量电路获得的数据给出了器件的效率指标,详细内容参见表2和表3。
表2. VOUT2禁止时的效率指标
fSW = 2MHz、LOUT = 4.7µH、COUT = 22µF/6.3V (陶瓷电容)
VIN (V) | IIN (A) | VOUT1 (V) | IOUT1 (A) | Efficiency (%) |
14.007 | 0.065732 | 3.3371 | 0.1018 | 36.8973371 |
14.010 | 0.183690 | 3.3339 | 0.5122 | 66.3542117 |
14.005 | 0.267750 | 3.3321 | 0.8032 | 71.3722082 |
14.007 | 0.329490 | 3.3309 | 1.0112 | 72.9812485 |
14.005 | 0.449290 | 3.3298 | 1.4007 | 74.1230723 |
14.002 | 0.584520 | 3.3281 | 1.8203 | 74.0201375 |
14.001 | 0.650260 | 3.3267 | 2.0150 | 73.6279304 |
表3. VOUT1禁止时的效率指标
fSW = 2MHz、LOUT = 4.7µH、COUT = 22µF/6.3V (陶瓷电容)
VIN (V) | IIN (A) | VOUT2 (V) | IOUT2 (A) | Efficiency (%) |
14.008 | 0.044533 | 2.5350 | 0.1075 | 43.6845979 |
14.008 | 0.067144 | 2.5337 | 0.2049 | 55.1967881 |
14.003 | 0.087638 | 2.5337 | 0.3010 | 62.1452787 |
14.004 | 0.109076 | 2.5337 | 0.4003 | 66.3986847 |
14.005 | 0.133680 | 2.5337 | 0.5122 | 69.3178710 |
14.005 | 0.155350 | 2.5338 | 0.6097 | 71.0058542 |
14.008 | 0.255976 | 2.5334 | 1.0001 | 70.6597037 |
在稳定性方面,图2和图3所示为每路输出的波特图,详细说明了每路输出的增益和相位。
图2. 3.3V/1.4A VOUTPUT波特图
图3. 2.5V/0.6A VOUTPUT波特图
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