IGBT基本结构及电路图

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是一种MOSFET与双极晶体管复合的器件。它既有功率MOSFET易于驱动，控制简单、开关频率高的优点，又有功率晶体管的导通电压低，通态电流大，损耗小的显著优点。 　　 1、IGBT在UPS中的应用情况 　　绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是一种MOSFET与双极晶体管复合的器件。它既有功率MOSFET易于驱动，控制简单、开关频率高的优点，又有功率晶体管的导通电压低，通态电流大，损耗小的显著优点。据东芝公司资料，1200V/100A的IGBT的导通电阻是同一耐压规格的功率MOSFET的1/10，而开关时间是同规格GTR的1/10。由于这些优点，IGBT广泛应用于不间断电源系统(UPS)的设计中。这种使用

80年代问世的绝缘栅双极性晶体管IGBT是一种新型的电力电子器件，它综合了GTR和MOSFET的优点，控制方便、开关速度快、工作频率高、安全工作区大。随着电压、电流等级的不断提高，IGBT成为了大功率开关电源、变频调速和有源滤波器等装置的理想功率开关器件，在电力电子装置中得到非常广泛的应用。 随着现代电力电子技术的高频大功率化的发展，开关器件在应用中潜在的问题越来越突出，开关过程引起的电压、电流过冲，影响到了逆变器的工作效率和工作可靠性。为解决以上问题，过电流保护、散热及减少线路电感等措施被积极采用，缓冲电路和软开关技术也得到了广泛的研究，取得了迅速的进展。本文对这方面进行了综述。 IGBT的应用领域 IGBT在变频调速器中的

在IGBT的栅极电路中，主要考虑的因素包括栅极电压U的正、负及栅极电阻R的大小。它们对IGBT的导通电压、开关时间、开关损耗、承受短路能力及等参数均有不同的程度的影响。

0 引言 随着电力电子技术朝着大功率、高频化、模块化发展，绝缘栅双极品体管(IGBT)已广泛应用于开关电源、变频器、电机控制以及要求快速、低损耗的领域中。IGBT是复合全控型电压驱动式电力电子器件，兼有MOSFET和GTR的优点：输入阻抗高，驱动功率小，通态压降小，工作频率高和动态响应快。目前，市场上500~3000V，800～l800A的IGBT，因其耐高压、功率大的特性，已成为大功率开关电源等电力电子装置的首选功率器件。 1 驱动保护电路的原则 由于是电压控制型器件，因此只要控制ICBT的栅极电压就可以使其开通或关断，并且开通时维持比较低的通态压降。研究表明，IGBT的安全工作区和开关特性随驱动电路的改变而变

1  前言     用于控制、调节和开关目的的功率半导体器件需要更高的电压和更大的电流。功率半导体器件的开关动作受栅极电容的充放电控制。而栅极电容的充放电通常又受栅极电阻的控制。通过使用典型的+15V控制电压（V G(on) ），IGBT导通，负输出电压为-5V～-15V时，IGBT关断。IGBT的动态性能可通过栅极电阻值来调节。栅极电阻影响IGBT的开关时间、开关损耗及各种其他参数，从电磁干扰EMI到电压和电流的变化率。因此，栅极电阻必须根据具体应用的参数非常仔细地选择和优化。 2  栅极电阻RG对IGBT开关特性的影响     IGBT开关特性的设定可受外部电阻R G 的影响。由于IGBT的输入电容在开关期间是变化的，

摘要 电机驱动市场特别是家电市场对系统的能效、尺寸和稳健性的要求越来越高。 为满足市场需求，意法半导体针对不同的工况提供多种功率开关技术，例如， IGBT和最新的超结功率MOSFET。 本文在实际工况下的一个低功耗电机驱动电路（例如，小功率冰箱压缩机）内测试了基于这两种功率技术的SLLIMM™-nano(小型低损耗智能模压模块)，从电热性能两个方面对这两项技术进行了详细的分析和比较。 1. 前言 家电厂商不断地寻求更高的产品能效，以符合日益趋严的能效法规，达到降低能耗和节省电费的目的。更具体地讲，主要需求是降低设备在低负载稳态以及满载工况下的功率损耗。因此，研发高能效开关，特别是在低电流条件下实现高能效，是达到这个

宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 4 月8日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款高性能镀金属聚丙烯膜缓冲电容器---Vishay Roederstein MKP386M，该器件可直接安装在绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块上，容量从0.047µF到10µF，可在+105℃高温下工作，有700VDC～2500VDC和420VAC～800VAC共7个电压等级。 MKP386M可承受2500V/μs的高能脉冲和1850A的峰值电流，寿命超过30万小时，可减少由切换IGBT引起的电压和电流尖峰，这种尖峰是电磁干扰（EMI）的重要来源。典型应用包括

    摘要：系统介绍30kVA逆变电源中IGBT的驱动与保护技术。提出IGBT对驱动电路的要求，介绍三菱的IGBT驱动电路M57962L和逆变电源中IGBT的过压、栅极过压、过流、过热保护措施。     关键词：IGBT驱动  保护                   Drive and Protection of IGBT at 30kVA Inverter     Abstract: Drive and protection technigue ofIGBTat30kVA inverter are introduced. Requirement of IGBT to drive circu