集成电路模拟输入和输出进行高压瞬变保护设计

最新更新时间:2018-03-31来源: 互联网关键字:集成电路  adi  瞬变保护 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章
  • 如何依据 IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4 和 IEC 61000-4-5 标准的规定,对集成电路模拟输入和输出进行高压瞬变保护;

  • 如何设计系统输入输出保护电路。


EMC 标准


IEC 61000 是有关 EMC 鲁棒性的系统级标准。该标准中涉及高压瞬变的三个部分为IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4 和 IEC 61000-4-5。这些是针对静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)和浪涌的系统级标准。这些标准定义了在施加这些瞬变影响的情况下用于评估电子电气设备抗扰度的波形、测试方法和测试级别。


IEC 61000-4-2 测试的主要目的是确定系统在运行过程中对系统外部的ESD事件的免疫能力——例如,如果系统输入/输出接触到带电人体、电缆、工具时。IEC 61000-4-2规定要使用两种耦合方法测试:接触放电和气隙放电。


IEC 61000-4-4 EFT测试涉及将快速的瞬变脉冲群耦合到信号线上,以表征与外部开关电路关联的瞬变干扰,这类电路能够以容性方式耦合至信号线。这种测试反映了开关触点抖动,或者因为感性或容性负载切换而产生的瞬变,而所有这些在工业环境中都很常见。

图1. 面向精密模拟输入的 IEC系统保护


浪涌瞬变通常由开关操作造成的过压情况或雷击造成。开关瞬变的起因可能是电力系统切换、配电系统中的负载变化或各种系统故障(例如安装时与接地系统形成短路和电弧故障)。雷电瞬变的原因可以是附近的雷击将高电流和电压注入电路中。


瞬变电压抑制器


瞬变电压抑制器(TVS)可以用于抑制电压浪涌。用于箝位高压瞬 变,使大电流绕过敏感电路。TVS的基本参数为:

  • 工作峰值反向电压:低于该值时不会发生显著导电现象的电压

  • 击穿电压:等于该值时会发生规定导电现象的电压

  • 最大箝位电压:器件上传导规定的最大电流的最大电压

在系统输入或输出上使用TVS器件时要考虑多个因素。ESD或EFT事件会产生超快时间(1 ns至5 ns)的瞬变波形,在TVS器件箝位击穿电压之前,在系统输入上导致初始过冲电压。浪涌事件具有不同的瞬变波形,上升时间缓慢(1.2 μs),脉冲持续时间长(50 μs);并且在该事件下,将在击穿电压下开始箝位电压,但可能一直增大至TVS最大箝位电压。另外,TVS必须高于可能由接线错误、断电或用户错误导致的任何容许直流过压,以保护系统,使其免受该直流过压事件的影响。所有三种情况都有可能在下游电路的输入上导致具有潜在破坏作用的过压。


模拟输入保护电路


为了全面保护系统输入/输出节点,必须对系统进行直流过压和高压瞬变保护。在系统输入节点用一个鲁棒的精密型过压保护(OVP)开关,加上TVS,可以保护灵敏的下游电路(例如,模数转换器或放大器输入/输出),因为这样可以阻断过压、抑制未被TVS分流到地的剩余电流。


图2显示了一个典型过压保护开关的功能框图;注意,该开关的ESD保护二极管未以其输入节点上的电源电压为基准。相反,它有一个ESD保护单元,在超过器件最大承受电压时激活,使器件能承受并阻断超过其电源电压的电压。


图2. OVP开关功能框图


由于模拟系统通常只要求开关的外向引脚采用IEC保护,所以,ESD保护二极管依然保留在内向引脚上(标志为开关输出端或漏极端)。这些二极管能带来额外的好处,因为它们起到辅助保护器件的作用。在持续时间较短、上升时间快的高压瞬变(如ESD或EFT)过程中,由于瞬变电压会被箝位,所以电压不会到达下游电路。在持续时间较长、上升时间慢的高压瞬变(如浪涌)过程中,在开关过压保护功能被激活、开关断开、使故障完全与下游电路分离之前,内部保护二极管会箝位开关的输出电压。


图3显示了一个与外部接口的系统输入端的工作区域。最左边的区域(绿色)表示正常工作区间,输入电压位于电源电压范围以内。左起第二个区域(蓝色)表示输入端可能存在持续直流或长时间交流过压的范围,原因是断电、接线错误或短路。另外,图中最右侧(紫色)是过压开关内部ESD保护二极管的触发电压。选择的TVS击穿电压(橙色)必须小于过压保护开关的最大承受电压并且大于任何已知的可能持续直流或长时间交流过压,以免无意中触发TVS。

图3. 系统工作区域


图4中的保护电路可以承受最高8 kV IEC ESD(接触放电)、16 kV IEC ESD(空气放电)、4 kV EFT和4 kV浪涌。ADG5412F(来自ADI 的±55 V过压保护和检测、四通道单刀双掷开关)可以承受ESD、EFT和浪涌瞬变导致的过压,过压保护电路与漏极上的保护二极管共同保护和隔离下游电路。表1展示的是ADG5412F在TVS击穿电压与电阻的各种组合下可以承受的高压瞬变电平。

图4. 保护电路


表1. 测试结果(未在0 Ω电阻与33 V TVS及45 V TVS组合条件下进行IEC空气放电测试)



图4也展示了高压瞬变事件过程中的各种电流路径。大部分电流通过TVS器件分流到地(路径I1)。路径I2展示的是通过ADG5412F输出节点上的内部ESD消耗的电流,同时,输出电压被箝位于比电源电压高0.7 V的水平。最后,路径I3中的电流是下游器件必须承受的剩余电流水平。有关该保护电路的更多详情,请参阅ADI应用笔记《利用ADG5412F解决模拟输入的IEC系统保护》


IEC ESD保护


图6和图7所示为在8 kV接触放电和16 kV空气放电IEC ESD事件在图5所示测试电路上的测试结果。如前所述,在TVS器件将电压箝位至54 V左右之前,源引脚上有一个初始过压。在此过压过程中,开关漏极上的电压被箝位于比电源电压高0.7 V的水平。漏极电流测量结果展示的是流入下游器件二极管中的电流。脉冲峰值电流约为680 mA,电流持续时间约为60 ns。相比之下,1 kV HBM ESD电击的峰值电流为660 mA,持续时间为500 ns。我们因此可以得出结论认为,在采用这种保护电路的条件下,HBM ESD额定值为1 kV的下游器件应该能承受8 kV接触放电和16 kV空气放电IEC ESD事件。

图5. 测试电路

图6. 8 kV事件期间的漏极电压和漏极输出电流


图7. 16 kV空气放电事件期间的漏极电压和漏极输出电流


EFT 保护


图8是在4 kV EFT事件的一个脉冲的测量结果。与ESD瞬变过程中发生的情况类似,在TVS器件将电压箝位至54 V左右之前,源引脚上有一个初始过压。在此过压过程中,开关漏极上的电压再次被箝位于比电源电压高0.7 V的水平。在这种情况下,流入下游器件中的脉冲峰值电流仅为420 mA,电流持续时间仅约为90 ns。同样与HBM ESD事件相比,750 kV HBM ESD的电压的峰值电流为500 mA,持续时间为500 ns。因此,在4 kV EFT事件期间,能量被传输至下游器件的引脚上,该能量少于750 kV HBM ESD事件下的能量。


图8. 单次脉冲的EFT电流


浪涌保护


图9中是将4 kV浪涌瞬变施加到保护电路输入节点上时的测量结果。如前所述,源电压可能增大并超过TVS击穿电压,一直达到最大箝位电压。该电路中的过压保护开关的反应时间约为500 ns,并且在这前500 ns的时间内,器件漏极上的电压被箝位于比电源电压高0.7 V的水平。在此期间以及约500 ns后,流至下游器件的峰值电流仅为608 mA,开关关闭并使下游电路与故障隔离。同样,这里的能量少于1 kV HBM ESD事件期间传输的能量。

图9. 浪涌事件期间OVP工作原理


总结


根据本文的建议,不但可以解决模拟输入IEC系统保护问题,同时还会为您带来如下好处:

  • 简化保护设计

  • 加速产品上市

  • 提高保护电路性能,减少分立元件数量

  • 减小信号路径中的串联电阻阻值

  • 由于TVS设计窗口很宽,TVS选择更方便

  • 达到下列标准的系统-级保护

    • IEC 61000-4-2 16 kV空气放电

    • IEC 61000-4-2 8 kV接触放电

    • IEC 61000-4-4 4 kV

    • IEC 61000-4-5 4 kV

  • 交流和持续直流过压保护高达±55 V

  • 掉电保护可达±55V

关键字:集成电路  adi  瞬变保护 编辑:王磊 引用地址:集成电路模拟输入和输出进行高压瞬变保护设计

上一篇:测量多种温度传感器及数字方式输出应用方案
下一篇:教你如何使用一个分压器测量电阻

推荐阅读最新更新时间:2023-10-12 21:04

南京再添IC新军!芯原落户南京,将建研发中心
集微网南京站报道,10月29日,芯原微电子副总裁兼设计IP事业部总经理钱哲弘在“华大九天新产品发布会暨用户研讨会HUG”上表示,芯原成立了芯原南京,并将建设研发中心。
[手机便携]
TrendForce:2017年中国IC设计业收入达到2006亿元人民币
  根据TrendForce的最新数据,2017年中国 IC设计 业收入将达到2006亿元人民币,年增长22%。2018年中国IC行业还将增长20%左右,收入2400亿元人民币。下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。   中国 IC设计 业不断开发更多的高端产品,例如海思已经在其高端手机中采用了10nm技术。   2017年中国 IC设计 行业收入排名方面,大唐半导体将退出前十名,而WillSemi和GigaDevice以其强劲的收入表现进入前十名。由于麒麟 芯片 的普及率不断提高,海思半导体的年收入增长超过25%,其母公司华为的手机出货量也在增长。Sanechips的核心业务是为电信应用设计集成电路元件,在扩大其产品范围
[嵌入式]
2Q台厂面板驱动IC出货金额大增18.6%
DIGITIMES Research:2Q'13台厂面板驱动IC出货金额大增18.6% 3Q'13旺季不旺 整体出货金额将减4.5% 根据DIGITIMES Research统计,台湾6家主要厂商的面板驱动IC产品营收在第2季因传统旺季及智能型手机需求,出货金额较第1季成长18.6%,较2012年第2季亦增加27.7%,表现出色。 以应用别区分,第2季小尺寸应用(5吋以下,但包含5~6吋手机应用)出货金额季增28.1%,远高于中大尺寸应用出货金额成长率(10.4%),小尺寸应用成长主要来自于智能型手机需求成长。 在各台湾厂商中,第2季营收成长幅度最高的是旭曜,成长率高达49.6%,主因其对大陆智能型手机用驱动IC
[半导体设计/制造]
2Q台厂面板驱动<font color='red'>IC</font>出货金额大增18.6%
Evonetix和Imec开发MEMS IC以扩大基因合成系统的生产
剑桥基因合成专家Evonetix正在与Imec合作开发MEMS IC,以使Evonetix的DNA平台能够以商业规模生产。 Evonetix的技术依靠控制芯片表面上成千上万个独立控制的反应位点或“像素”的DNA合成。 在识别和消除错误的过程中,在芯片上组装成双链DNA,从而使准确性,规模和速度比传统方法高了几个数量级。 根据合作条款,Imec将与Evonetix合作,以扩大在8英寸硅晶圆上的MEMS技术的制造,从而使Evonetix顺利量产。 Imec能够利用其在生命科学应用中的经验,将新颖的Evonetix工艺转移到他们的代工厂,并进一步提高良率。 Imec的Peter Peumans说:“ Evonetix已经开发出一种创新的
[半导体设计/制造]
HT81696 两节锂电7.4V内置升压2X30W双声道/50W单声道D类音频功放IC解决方案
户外广场舞拉杆音箱的电源一直以来主要采用铅酸电池,铅酸电池输出电压9.5V-14.6V,直供音频功放芯片可输出20W/声道持续功率。 但铅酸电池有体积大、不环保、循环充电次数不高等固有缺陷,户外蓝牙音响其便携性的要求,锂电池以其能量密度、循环充电次数、环保等优点,逐渐取代铅酸电池为主要供电方式。多节锂电因为电池之间的差异要考虑平衡、充电成本等限制其应用普及,两节锂电串联供电成为一个阶段以来户外音箱生产厂家的主要选择。 但是两节18650锂电串联的输出电压是 6V-8.4V ,在电池直供的情况每个声道只能提供 7W/4欧 的功率输出,相比较铅酸电池供电功率明显偏小。如何在两节锂电供电提供超过 20W/声道 的功率输出?成为一直以
[模拟电子]
HT81696  两节锂电7.4V内置升压2X30W双声道/50W单声道D类音频功放<font color='red'>IC</font>解决方案
大联大世平集团推出基于易冲半导体产品的无线充电发射IC方案
2023年9月20日,致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布,其旗下世平推出基于易冲半导体(ConvenientPower)CPS8601的无线充电发射IC方案。 图示1-大联大世平基于易冲半导体产品的无线充电发射IC方案的展示板图 随着移动设备不断创新,其充电方式也在持续演进。无线充电是一种备受欢迎的新型充电方式,其通过磁场交互进行能量转移,从而实现设备间的电力传输。与传统的有线充电方式不同,无线充电将用户从繁琐的线缆中解放出来,不仅提高充电的便利性,也大大改善用户的体验。针对无线充电技术的发展,大联大世平基于易冲半导体CPS8601芯片推出无线充电发射IC方案,该方案可提供15W的输出功
[电源管理]
大联大世平集团推出基于易冲半导体产品的无线充电发射<font color='red'>IC</font>方案
叶甜春:中国IC产业要升级,不能再一味追求建厂扩产
9月9日,2019中国半导体封装测试技术与市场年会在无锡举行。 会上,国家科技重大专项(02)专项专家组总体组组长叶甜春对我国集成电路产业发展提出几点思考。从自身发展到全球格局,中国IC产业都需要再定位。 1、“从无到有”进行产业链布局后,中国需要“升级版的发展战略”,不能再一味追求建厂扩产了; 2、下阶段战略是“以产品为中心,以行业解决方案为突破口”。系统应用、设计、制造和装备材料必须有更有力的措施,实现融合发展; 3、从“追赶战略”转向“创新战略” 。在全球产业创新链中形成自己的特色。以中国市场引领全球市场、重塑全球产业链。 在叶甜春看来,需要立足中国市场实现世界水平创新,在若干核心技术领域形成具有特色的创新技术和创新产品。通
[手机便携]
两篇论文入选ISSCC 2019,ADI是如何做到独一无二的
今年,我国大陆地区共有9篇论文入选了ISSCC 2019,其中包括2篇ADI公司文章,另外,复旦大学ADI大学计划项目也入选了1篇。在过去的4年里,ADI共有5篇论文入选了ISSCC,而且,对于ISSCC 2019来说,中国大陆入选的9篇里,ADI是唯一一家有两篇论文入选的IC企业。除了连续4年有5篇入选ISSCC之外,该公司还有5篇VLSI论文,以及4篇CICC论文。 据悉,该公司今年两篇入选ISSCC的论文都是来自于中国隔离器团队。ADI自动化与能源技术总监赵天挺表示:“取得这样的成绩主要基于两点:一是说全球隔离器的领导层很重视中国团队的发展,包括中国隔离器团队人才的培养。我跟宝兴(ADI院士陈宝兴)合作了15年,很多
[半导体设计/制造]
两篇论文入选ISSCC 2019,<font color='red'>ADI</font>是如何做到独一无二的
小广播
最新模拟电子文章
换一换 更多 相关热搜器件
随便看看
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved