RF GaN，打开了新的机遇大门

在电信基础设施中，GaN 凭借其高功率和高频性能优势已经渗透到各种基站。随着宏蜂窝/微蜂窝从 RRH 过渡到 AAS，大规模 MIMO 需要每个基站有更多的 PA 单元。与 LDMOS 相比，在 3GHz 以上的频率下更高的 PAE 和更宽的频带能力是 GaN 发展的机会。到 2028 年，基于 GaN 的电信基础设施设备市场预计将超过13亿美元，占整个市场的近 45%。

作为传统的 GaN 市场，国防领域是 GaN RF 的主要驱动力之一。碳化硅基氮化镓仍然是国防雷达、电子战和国防通信应用中满足高要求应用的主要平台。

截至2023年，碳化硅基氮化镓仍然是射频氮化镓的主要平台，因为供应链已经完善。然而，集成设备制造商 (IDM) 是首选的商业模式，因为 IDM 可以从其在电信和国防市场的现有客户渠道中获益。

2022年，SEDI、Qorvo和Wolfspeed是RF GaN器件业务的领先厂商，而NXP通过进入电信市场的供应链获得了显着增长。SI SiC晶圆市场仍由Wolfspeed、Coherent、SICC三大供应商瓜分。在国防领域，雷神公司、诺斯罗普格鲁曼公司和某些中国公司正在引领 GaN 的采用。其中，Wolfspeed 和 Qorvo 也是 GaN 代工厂。着眼于电信市场的供应，爱立信和诺基亚继续扩大来自多家设备供应商的RF GaN设备供应，而三星则与韩国设备厂商密切合作。自美国制裁以来，华为和中兴已转向中国供应链以发展国内能力。

截至2023年，主流GaN技术是在SiC衬底上。该技术已经成熟，并在高功率和频率下表现出良好的性能。在过去的几年中，参与者，例如 STMicroelectronics with MACOM、Ommic、Infineon 以及 GlobalFoundries、UMC 等代工厂，一直致力于引入 RF GaN-on-Si 技术。由于电信小型基站需要功率较低的 PA，因此 GaN-on-Si 可以在 10W 以下的 32T32R 64T64R mMIMO 基站中找到最佳位置。我们预计硅基氮化镓将于 2023 年底开始进入市场，并在未来几年占据市场份额。

随着技术节点的演进，为 Ku/K/Ka 频段开发平台的设备厂商甚至瞄准了 0.1μm 以下的节点，以实现亚太赫兹频率和未来潜在的 6G 市场。用于射频应用的新兴硅基氮化镓平台的目标是通过在较低功率水平下利用效率和宽带宽来实现低于 6GHz 的小型蜂窝。然而，考虑到改变手机系统设计的复杂性，它是硅基氮化镓的长期目标市场。

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