关于举办“锗硅BiCMOS技术的微波 和太赫兹应用研讨会”的通知

在过去的十几年里， 针对不同应用的THz间隙内的频谱（30GHz到30 THz），比如在毫米和亚毫米波范围内的工业传感器和图像应用，点对点无线通信，极宽带ADCs，400Gb/s光（主链）传输、高分辨率的150 GHz汽车雷达，以及移动通信高线性放大器等的应用兴趣有所增加。此外，这个频段在电路和系统级上也有很多应用领域，如健康（医疗设备，皮肤和遗传筛选），材料科学（安全检查和研究），大规模运输（安检，在座位通讯），工业自动化（传感器），通信（地面，卫星），以及空间探索等。然而，在商业市场的这些高性能的电路和系统主要是由成本，构成因素和能效来驱动。有些在毫米和亚毫米波范围的应用不能由数字CMOS处理技术完成，这是由于寄生效应对高频（HF）的影响，以及CMOS截止频率的局限性。并且，由于商业应用的多样性，这个体量不足以去用先进的数字CMOS工艺和一些被动器件。一个更具成本效益的解决方案是高性能的锗硅（SiGe）模块化集成异质结双极晶体管（HBT）和高频应用的专用无源器件嵌入不是非常高端的CMOS工艺。由此产生的BiCMOS技术已经成为一个主流的制造平台。平台内种类繁多的现有高频产品是由像IBM/GlobalFoundrie这样的半导体厂和研究机构， ST微电子55纳米的SiGeC BiCMOS工艺，以及IHP的全球最快的超过0.5太赫兹的截止频率SiGe BiCMOS工艺（130nm）所提供。

课程1将提供一个在SiGe HBT物理原理和现有CMOS平台的工艺集成方案上的详细介绍，同时会展开RF-CMOS, 锗硅BiCMOS及三五族(III/V)技术的流程对比。

对于电路设计人员来说，一个良好的设计环境，和最先进的CAD工具是很重要的。课程2中展示基于SiGe HBT建模和可靠性方面的细节， 以及支持RF设计的工艺设计包中的特殊射频组件。

课程3将侧重于RF应用的SiGe BiCMOS技术的先进技术模块，接下来的课程4将会涉及到从10GHz到500GHz的设计实例，有竞争力的RF-CMOS，SiGe设计特性和三五族技术也会在课程4中做相关的比对。

在课程5中， 三个最新的与产业应用相关的设计实例将会更详细地介绍在 SiGe BiCMOS 工艺线上产品的开发。

在课程6中，一家德国设计公司Silicon Radar（从IHP分离）将向我们展示基于SiGe BiCMOS技术在24 GHz和120 GHz的雷达产品。 关于120GHZ的雷达芯片组，也将在现场演示。在演示中，我门将会侧重于产品开发中射频封装概念和射频测试问题。

除了在微波应用上的重要性，SiGe技术为在不久的将来开发太赫兹产品打开了一扇成功之门。不仅仅是在微波应用方面，这个最新的世界性研究课题也将在我们的课程中提到。特别是在课程7，我们将展示中国研究院采用IHP的SiGe技术很多年下来的研究课题进展。

最后在课程8将介绍IHP的MPW代工服务，它向未来设计公司通向SiGe BiCMOS工艺展示了一个非常便捷的途径。

这次会议适合代工厂工艺工程师，经理以及专注于高频应用（高速传输， 雷达应用，毫米波成像和探测）的设计人员参加。另外， 从SIGE BICMOS 工艺上的不同产品的展示，对想拥有类似产品的设计人员和客户来说是非常有吸引力的。 当然，这个会议也欢迎国内代工企业的高层管理人员一起来参与讨论IHP和本土拥有BICMOS 工艺的晶圆代工厂之间可能的合作。

会议时间：2016年03月17—18日（2天）

报到注册时间：2016年3月17号，上午9:00-9:30

会议地点：上海集成电路技术与产业促进中心（1楼报告厅）

上海市浦东新区张江高科技园区张东路1388号21幢

各有本期研讨会报名费2500元/人（含授课费、场地租赁费、资料费、会员期间午餐），学员交通、食宿等费用自理（报名回执表中将提供相关协议酒店信息供选择）。

团体注册报名优惠：3人（共7000元），4人（共8800元），5人及以上团体报名优惠可协商；

在校学生注册报名优惠：1800元/人

请于2016年03月11日前将会议注册费汇至：

户 名：上海林恩信息咨询有限公司

开户行：上海银行曹杨支行

帐 号：31658603000624127

第一天：2016年03月17日

（星期四）

主题： SiGe HBTs integrated in a CMOS platform - By Dr. A. Mai

-集成在CMOS平台中的锗硅异质结双极型晶体管(SiGe HBT)——A.Mai博士

-Physics of SiGe HBT
锗硅异质结双极型晶体管的物理原理
-Detailed Technology flow of SiGe HBT in a CMOS platform
CMOS平台中锗硅异质结双极型晶体管的具体工艺流程
-Process comparison RF-CMOS, SiGe BiCMOS, III/V Technologies
RF-CMOS, 锗硅BiCMOS及三五族(III/V)技术的流程对比

第一天：2016年03月17日

              （星期四）

主题：Circuit Design platform for SiGe HBTs – By Dr. R.F. Scholz

-锗硅异质结双极型晶体管的电路设计平台——R.F. Scholz博士

-Modelling and Reliability of SiGe HBTs
异质结双极型晶体管的建模和可靠性分析
-Process Design Kit for RF Design
射频(RF)工艺设计包

第一天：2016年03月17日

                （星期四）

主题：High end RF Technology Modules on CMOS/BiCMOS a More than Moore strategy- By Dr. M. Kaynak
-超越摩尔定律策略的CMOS/BiCMOS高端射频技术模块——M.Kaynak博士

-BiCMOS embedded RF-MEMS
BiCMOS嵌入式射频微机电系统(RF-MEMS)
-BiCMOS embedded Through Silicon Vias
BiCMOS嵌入式硅通孔
-Microfluidics for THz bio-sensing applications
用于太赫兹生物传感应用的微流控
-Fan out wafer level packaging (eWLB) for RF applications
射频应用中扇出晶圆级封装(eWLB)

第一天：2016年03月17日

             （星期四）

主题：Overview SiGe Circuit Design – By Dr. M. Kaynak
-锗硅电路设计的综述——M.Kaynak博士

-Application comparison RF-CMOS, SiGe BiCMOS, III/V Technologies
RF-CMOS，锗硅BiCMOS及III/V族技术的应用比较
-Selected SiGe Design Examples from 10 GHz to 500 GHz
挑选的从10GHz到500GHz的锗硅设计案例

第二天：2016年03月18日

           （星期五）

主题： Wireless Applications: From research to product - By Dr. Y. Sun
-无线应用：从研究到产品——孙耀明博士

-60 GHz for communication 
用于通信的60GHz频段
-120 GHz Radar on chip solution 
用于芯片解决方案中雷达的120GHz频段
-77 GHz Radar for Automotive: front-end solution chipsets pre-release 
用于汽车雷达的77GHz频段：前端解决方案芯片组预览

第二天：2016年03月18日

                （星期五）

主题：Silicon Radar – Experts on MMICs Radar Products - By D. Genschow

-硅雷达-单片式微波集成电路(MMIC)雷达产品中的明星——D.Genschow博士

-24 GHz Radar Frontend Chips
24GHz雷达前端芯片
-Packaging Concept and RF Testing on 120 GHz Radar reference product
120GHz雷达产品的包装理念和RF测试
-120 GHz Demonstration Board – on site demo
120GHz现场演示

第二天：2016年03月18日

             （星期五）

主题： TMillimetre-wave and THz Applications – SiGe Design Research in China–By Prof. Y.Z. Xiong

-中国锗硅设计研究—毫米波和太赫兹的应用——熊永忠教授

-W-band transcevier 
W波段收发器
-D-band transceiver
D波段收发器
-340 GHz transceiver
340GHz收发器

第二天：2016年03月18日

           （星期五）