高压MOSFET第四种技术AccuMOS®产品成功上市，成倍提升行业功率密度

5年沉心积累

2019年6月18日

AccuMOS^®产品正式发布

集成电路是人类信息化发展的支柱产业。2018年全球集成电路总产值约4000亿美元，其中功率半导体产业占到了9%。功率半导体作为集成电路中占比最大的行业应用，随着超级结技术发展到理论极限，而复合物宽禁带功率半导体技术又面临成熟度低、成本高等因素推广困难，如何在现阶段有效突破“功率密度”——这一人类不懈追求目标的技术瓶颈是业界面临的挑战。

派微电子经过5年的持续创新研发投入，2019年6月18日正式发布的AccuMOS^®产品，很好地解决了上述难题。

AccuMOS^®采用自主研发的“全新电场操纵”技术，首次将摩尔定律引入高压功率场效应管（MOSFET）设计，可将Rsp值（Specific Rdson，单位面积电阻）随设计线宽逐步缩小。本次派微电子发布的AccuMOS^®产品功率密度已经达到LDMOS和VDMOS业界最好水平 的2倍以上，并且随着线宽的进一步减少，功率密度有望于2020年超越业界超级结最佳水平，进而推动行业变革。

AccuMOS^®的工作原理如下图所示：

AccuMOS^®架构是在传统的LDMOS架构上叠加了一个IC控制电路。当Gate极上加高电压导通时，IC电路通过电场操纵，在N-Drift区域形成一个比常态高10²以上载流子浓度的导通层，从而有效降低MOSFET的Rdson。并且随着设计线宽的降低，IC电路形成的操纵电场会越来越均匀，Rdson也会大幅下降，未来将具有超越超级结技术功率密度的水平。

AccuMOS^®的独创设计，带来产品三大优势。

1.AccuMOS^®具有业界最优温升曲线,优于超级结、VDMOS 20%以上

采用归一化处理，假设常温25℃时, AccuMOS^®、超级结、VDMOS的Rdson是1，那么在工作温度125℃时，AccuMOS^®比超级结、VDMOS 的Rdson要低20%以上，具有业界最佳温升性能。

2.AccuMOS^®具有业界最佳EMI性能,比超级结、VDMOS低5db以上

AccuMOS^®的背面为Source极，直接与金属散热片接触，可将导热系数提高一个数量级，同时维持较低的EMI辐射水平。实际测试结果表明，AccuMOS^®的EMI性能比超级结、VDMOS低5db以上。

3.AccuMOS^®与控制器IC采用同一工艺平台,可提供单一芯片解决方案

派微电子在推出AccuMOS^®产品的同时，同步开发了电源控制IC电路设计所需要的各种低压元器件，提供PDK设计包。IC设计合作伙伴，可以基于AccuMOS^®平台，向客户可提供单一芯片解决方案。

AccuMOS^®本次发布的产品，覆盖了60W以下,500-800V的MOSFET领域。

AccuMOS^®产品可广泛应用于充电器、LED驱动电源、适配器、智能家电、充电桩和通信电源等领域。

派微电子团队秉承“创新拼搏，成事为乐”的企业文化，期待与您的深入合作。期望本次发布的AccuMOS^®产品，能为电源行业的发展注入新的动力。

派微电子一路走来，

获得了诸多业内好友的支持、鼓励与帮助，

值此产品发布之际，

亦收获了满满的祝福与寄语，

感恩，感谢！