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UFS 3.1规范发布,带来更快更便宜更节能的UFS存储

最新更新时间:2020-02-01
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来源:内容来自「cnBeta.COM」,谢谢。


JEDEC已经发布了UFS 3.1规范(又名JESD220E),它在标准中增加了一些和性能、功率、成本削减、可靠性相关的特性。这些新功能和特性有望提高实际设备性能,最大限度地降低功耗,潜在地降低高容量存储设备成本,并改善用户体验。

符合UFS 3.1标准的设备继续使用MIPI的M-PHY 4.1物理层和8b/10b线路编码,MIPI基于UniPro 1.8协议的互连层(IL),每通道数据速率为HS-G4(11.6 Gbps)。同时,新版本的规范支持三个新特性:写增强、深度睡眠和性能限制通知。此外,JEDEC还发布了主机性能提升技术规范。现代固态硬盘已经支持所有这些功能,因此UFS 3.1规范和HP,使UFS存储设备在功能上更接近固态硬盘。

顾名思义,写增强(Write Booster)旨在通过使用伪SLC缓存来提高写入速度。SSD和各种由NVMe驱动的微型存储设备(例如Apple的iPhone/iPad中使用的存储设备)已经使用了类似的技术。同样,SD 6.0标准支持缓存以达到写入性能目标。

UFS 3.1技术的第二个重要的新功能是深度睡眠(Deep Sleep),这是一种新的低功耗状态,适用于廉价的UFS设备,这些设备使用相同的稳压器进行存储和其他功能。另一个新功能是性能限制通知,该功能使UFS设备可以在过热时通知主机有关性能限制的信息。最终,避免节流意味着更稳定的性能。

另外还有主机性能提升器(Host Performance Booster),它在系统的DRAM中缓存UFS设备逻辑到物理(LTP)地址映射,以提高性能。移动应用程序使用大量随机读取操作,因此经常访问LTP地址映射。同时,由于UFS设备的存储容量在增长,LTP大小也在增长,通过在快速系统DRAM中托管LTP并在发送I/O请求时提供LTP提示,可以提高随机读取性能并降低UFS控制器的成本。三星几年前就致力于HPB功能的开发,声称可以将随机读取性能提高多达67%。
综上所述,虽然使用HS-G4时,符合UFS 3.1的存储设备将继续提供高达23.2 bps(2.9GB/s)理论最大带宽,但是考虑到使用M-PHY 4.1的编码,带宽应类似于1.875GB/s。但是,通过实现写增强(Write Booster)和主机性能提升器(Host Performance Booster),即将推出的UFS驱动器的际性能将越来越高。同时,深度睡眠将有助于延长低成本设备的电池寿命。


今天是《半导体行业观察》为您分享的第2207期内容,欢迎关注。


 
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