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使用SCALE门极驱动器驱动SiC MOSFET

最新更新时间:2020-08-05
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根据Omdia的一项新研究,在电动汽车和光伏应用需求的推动下,预计到2020年底,SiC MOSFET的全球市场规模将达到3.2亿美元。凭借更高的击穿电压、更好的热性能和更低的开关损耗,SiC MOSFET正在取代硅MOSFET和IGBT,并已成为制造更小更轻的逆变器的热门选择。
PI的SIC1182K和汽车级SIC118xKQ SCALE-iDriver IC是单通道SiC MOSFET门极驱动器,可提供最大峰值输出门极电流且无需外部推动级。 SCALE-2门极驱动核和其他SCALE-iDriver门极驱动器IC还支持不同SiC架构中的不同电压,允许使用SiC MOSFET进行安全有效的设计。

为何使用SCALE门极驱动器来驱动SiC MOSFET?
  • 可以通过外部VEE电路来调整门极电压

  • ≤2µs的超快速短路关断

  • 大输出电流及绝缘能力

  • 带dv/dt反馈的动态高级有源钳位

  • 开关频率可高达500 kHz


深入了解:
  • 访问驱动SiC MOSFET功率开关技术页面

  • 下载应用指南AN-1601 - 使用SCALE门极驱动器控制SiC MOSFET功率开关


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