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近年来,随着电动汽车的加速以及物联网在工业设备、消费电子设备领域的普及,应用产品中搭载的半导体数量也与日俱增。GaN作为比肩SiC的第三代半导体,虽然在耐压(650V)及大电流方面并无惊艳之处,但其在开关频率特性上,有着绝对量级上(200kHz以上)的优势。因此,在数据电源、基站电源、小型充电器等一般领域;OBC、48V系统、激光雷达等车载领域中,可以充分发挥其低功耗、高工作频率的优势。
1. GaN的介绍
2. 使用罗姆GaN的产品解决方案
3. 罗姆GaN产品开发路线
罗姆EcoGaN ™ & LSI技术
・EcoGaN ™ 是 ROHM Co., Ltd. 的商标或注册商标。
今日上午10点
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????【产品新闻】
ROHM确立栅极耐压高达8V的150V GaN HEMT的量产体制
????【产品系列详情】
????【产品相关资料】
1. 150V耐压GaN HEMT GNE1040TB Datasheet
宣
礼
好
礼
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