芝子：下午好Yokota先生，欢迎您来到芝子的技术贴时间，今天咱们的话题是MOSFET的低压U-MOSⅧ-H系列，请问您如何描述该系列的特点呢？

Yokota：芝子和大家下午好。U-MOSⅧ-H（u-Mos-8-h）是一个低压分立MOSFET产品系列，它适用于各种电气和电子设备中的AC-DC和DC-DC转换器应用场合，比如：移动设备适配器、游戏机、IT设备、通信系统、视听设备、白色家电和小型工业设备。U-MOSⅧ-H具有沟槽结构。顾名思义，它采用了我们的第八代沟槽工艺。U-MOSⅧ-H系列的V_DSS涵盖了30V至250V的范围，它可以满足所有工业应用需求。这一系列的产品凭借其工业领先的性能而具有很强的市场竞争力。

芝子：您说这个全新的系列涵盖了30V至250V的完整产品范围。那么您怎样描述U-MOSⅧ-H这一系列的性能？

Yokota：让我以一款典型的N沟道MOSFET产品为例来为大家进行说明。R_ONA，即单位面积的导通电阻，这是一项用以比较传导损耗优越性的数据。对于同样拥有V_DSS=100V的N沟道U-MOSⅧ-H器件和U-MOSⅣ器件而言，前者的R_ONA值大约为后者的一半。同时，R_ONC_iss是一项用于比较驱动损耗优越性的数据，驱动损耗对于低负载电源电路具有显著的影响U-MOSⅧ-H相比于U-MOSIV，其R_ONC_iss降低了60%。为进行比较，我们对于东芝推出的应用于AC-DC转换器中的MOSFET（V_OUT= 19.5V）与竞争对手的同款产品所具有的电源转换效率进行了测量，其测量的前提是该AC-DC转换器可以应用于笔记本电脑中的AC适配器。与A公司生产的MOSFET产品相比，东芝的全新MOSFET产品在低负载条件下具有较高的效率，而在高负载时的效率相同。

整个负载范围内工业最高等级的转换效率

U-MOSⅧ-H和DTMOSIV系列都具有工业最高的性能。东芝现在可以提供V_DSS=30V-650V的MOSFET产品。以通信系统为例，其拥有一个能产生48V直流电的AC-DC转换器，一个能产生12V或5V直流电的DC-DC转换器，以及满足CPU和内存子系统应用需求的能产生低电压的负载点（POL）电源。您现在可以将东芝的最新MOSFET产品应用于所有的电源电路。

以前，一些MOSFET产品只能采用旧的生产工艺。随着U-MOSⅧ-H和DTMOSIV系列产品的发布，我们的MOSFET产品开创了一个具有工业最高性能的广泛的产品应用范围。当然，分立MOSFET产品在提高电源电路的整体效率方面所作的贡献可能还无足轻重，但是只要我们能够保持持续地改进，就必定会实现质的飞越。所以，这还需要我们不断地开展研发工作。东芝将继续努力开发全新的工艺，为实现一个更具能源意识的社会而做出积极的贡献。

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