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■ 忆阻器
忆阻器英文名为memristor, 由“Memory” 与”Resistor“合成,用符号M表示,与电阻R,电容C,电感L构成四种基本无源电路器件,能够实现0、1信息存储,是一种新一代非易失存储器,通常称为阻变存储器(RRAM)。忆阻器具有高速、低功耗、易集成、以及与CMOS工艺兼容等优势②。
今年的泰克云上大讲堂,也有为大家详细介绍过忆阻器的发展及测试方案,本期的白皮书内容可与直播回放结合观看喔~