放弃FinFET！台积电2nm获重大突破
最新更新时间：2020-07-14
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此前三星曾表示将在3nm率先导入GAA技术，并宣称要在2030年超过台积电，取得全球逻辑芯片代工龙头地位。
台积电研发毫不松懈，积极投入2nm研发，并获得技术重大突破，成功找到切入 GAA 路径。这次台积电能在2nm制程节点上有所突破，归功于台积电挽留了3年前即要退休的台积电最资深副总经理罗唯仁。在他带领的团队为制程技术研发进行了突破，才有了当前的成果。为此，罗唯仁还为团队举行了庆功宴，以感谢团队的辛劳。
台积电3nm制程预计明年上半年在南科18厂、P4厂试产，2022 年量产，业界以此推断，台积电2nm推出时间将在2023年到2024年间。
台积电今年4月曾表示，3nm仍会沿用FinFET（鳍式场效应晶体管）技术，主要考虑是客户在导入5nm制程后，采用同样的设计即可导入3nm制程，可以持续带给客户有成本竞争力、效能表现佳的产品。
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