Infineon英飞凌工业半导体

文章数:614 被阅读:1419876

账号入驻

CoolSiC™ MOSFET的compact SPICE模型

最新更新时间:2022-04-28
    阅读数:

CoolSiC™ MOSFET是高速开关的功率器件,换流回路的设计与器件性能有着至关重要的影响。为了优化设计,传统的电路硬件设计试错法会导致研发过程又长又烧钱,而在设计之初就使用软件仿真电路,则能够缩短项目开发时间,节省开发费用。SiC MOSFET Compact模型是基于Spice语言的半导体模型,它能够准确、快速地模拟器件在电路中的静态和动态性能,还可以比较不同的器件,遴选一款最符合应用场景需求的器件。有关CoolSiC™ MOSFET的compact SPICE模型的详细信息,请点击以下视频获取。

▲点击上方视频,即可播放观看


参考阅读




扫描上方二维码关注我们


最新有关Infineon英飞凌工业半导体的文章

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: TI培训

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved