文章数:614 被阅读:1419876
最能打国产芯
TI 培训
Qorvo 电源技术站
Vicor技术站
CoolSiC™ MOSFET是高速开关的功率器件,换流回路的设计与器件性能有着至关重要的影响。为了优化设计,传统的电路硬件设计试错法会导致研发过程又长又烧钱,而在设计之初就使用软件仿真电路,则能够缩短项目开发时间,节省开发费用。SiC MOSFET Compact模型是基于Spice语言的半导体模型,它能够准确、快速地模拟器件在电路中的静态和动态性能,还可以比较不同的器件,遴选一款最符合应用场景需求的器件。有关CoolSiC™ MOSFET的compact SPICE模型的详细信息,请点击以下视频获取。
▲点击上方视频,即可播放观看
参考阅读
仿真看世界之SiC单管的开关特性
仿真看世界之650V混合SiC单管的开关特性
分立式CoolSiC™MOSFET的寄生导通行为研究
扫描上方二维码关注我们