TI首推DualCool NexFET功率MOSFET

　　2009年2月，TI收购了CICLON，这是一家总部位于宾夕法尼亚州伯利恒的高频率高效率电源管理半导体厂商。对此，TI 电源管理业务部的高级副总裁 Steve Anderson 的说法是：“此次交易还将为我们敲开高电流功率 MOSFET 领域的大门。”

　　确实，TI的模拟工艺、销售渠道和品牌，联合CICLON的MOSFET IP，增强了TI在低压FET的力量，而TI此举也是有原因的：据Databeans 2008年的统计，在约200亿美元的功率半导体市场中，除了80亿美元传统POWER IC之外，低压FET的40亿美元也占据了不少的份额。CICLON的加入恰恰强化了TI这方面的力量。

　　时隔一年后，TI重磅推出了首款收购后的作品：DualCool NexFET功率MOSFET，该款器件在标准封装尺寸下将散热效率提升 80%、允许电流提高 50%。

　　“我们的客户需要具有更小体积和更高电流的 DC/DC 电源，”Steve指出。许多标准架构（PCI、ATCA）、电信及服务器机柜设备都具有固定的支架/机柜尺寸和电源预算，因而最大的需求是在不降低效率和性能的情况下提高POL（负载点）的功率密度。

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　　顾名思义，“DualCool”意为双面散热，NexFET 是TI的MOSFET专利技术，两种方式结合，有效地实现了一些突出的性能，其中包括：

• 作为单相35A 同步降压转换器的 MOSFET， 采用一个 MOSFET 即可满足高电流 DC/DC 应用中的高、低侧两种开关需求；
• 增强型封装技术可将封装顶部热阻从10 ~ 15°C/每瓦降至1.2°C/每瓦，从而将该封装所能承受的功耗提升 80%；
• 高效的双面散热技术可将允许通过 FET 的电流提高 50%，设计人员无需增加终端设备尺寸，即可高度灵活地使用需要更高电流驱动的处理器；
• 业界标准 5 毫米 x 6 毫米 SON 封装可简化设计、降低成本，与使用两个标准5x6封装相比，可节省 30mm2的空间。

通过封装比较凸显顶端散热能力

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NexFET技术–与生俱来的低门极充电电荷

　　该系列包含的5 款NexFET 器件支持计算机与电信系统设计人员使用具有扩充内存及更高电流的处理器，同时显著节省板级空间。这些采用高级封装的 MOSFET 可广泛用于各种终端应用，其中包括台式个人计算机、服务器、电信或网络设备、基站以及高电流工业系统等。据悉，该系列器件现已开始批量供货。

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关键字：DualCool  NexFET  封装  POL  MOSFET

编辑：冀凯 引用地址：https://news.eeworld.com.cn/newproducts/2010/0120/article_18568.html

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