英飞凌全新MOSFET降低30%应用功耗

英飞凌科技股份公司近日宣布推出三个全新的功率半导体系列，进一步丰富广博的OptiMOSTM 3 N沟道MOSFET产品组合。OptiMOS3 40V、60V 和 80V系列可在导通电阻等重要功率转换指标方面提供业内领先的性能， 使其能够在采用标准TO（晶体管外形）封装的条件下，降低30%的功耗。OptiMOS3 40V、60V 和80V系列具备较低的开关损耗和导通电阻，与其他竞争性解决方案相比，可增加高达30%的功率密度，使相关应用的组件数降低25%以上。

这些全新的MOSFET适用于多种功率转换和管理应用，包括计算机、家用电器、小型电动车、工业自动化系统、电信设备以及电动工具、电动剪草机和风扇等消费类设备采用的SMPS（开关模式电源）、DC/DC转换器和直流电机驱动器。

全新OptiMOS 3系列可提供出类拔萃的RDS（on）（导通电阻），OptiMOS 3 40V系列采用SuperSO8TM 封装具备最低1.6 mW的导通电阻，OptiMOS 3 60V采用D-PAK封装具备最低3.5 mW的导通电阻，OptiMOS 3 80V采用D2 –PAK封装具备最低2.5 mW的导通电阻。这些器件的FOM（优值，通过导通电阻乘以栅极电荷得出） 与同类竞争产品相比高出25%，能够快速实现开关，同时最大程度降低传导损耗和导通功耗，提高功率密度。此外，它还能降低驱动器产生的热量，因此可提高系统的可靠性。另外，较低的导通电阻允许采用3 mm x 3 mm S3O8（Shrink SuperSO8）等小型封装，因此在设计产品时只需较小的空间，提高了功率密度。

供货与定价

全新OptiMOS 3 40V、60V与80V功率MOSFET系列采用标准TO封装以及SuperSO8和S3O8封装，具有不同的导通电阻额定值。OptiMOS 3 60V系列现已开始批量生产，40V 和 80V器件目前只提供样品。采用SSO8封装且导通电阻为1.6 mW的OptiMOS 3 40V，在订购量达到万件时其单价不超过0.99美元（0.68欧元）。在同样订购量下，采用D-PAK封装的3.5 mW OptiMOS 3 60V的单价为0.99美元（0.68欧元），而采用TO-220封装的2.8 mW OptiMOS 3 80V的单价为1.99美元（1.37欧元）。

关键字：MOSFET  SMPS（开关模式电源）  DC  DC转换器  直流电机驱动器

编辑：吕海英 引用地址：https://news.eeworld.com.cn/newproducts/consumer/200803/article_17638.html

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