意法半导体推出市场上裸片最小的1-Gbit和512-Mbit 65nm多电平单元NOR闪存-新品-电子工程世界网

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65nm MLC技术为目前批量生产的90nm NOR闪存顺利升级铺平了道路，同时还提高了闪存的密度和性能

中国— 世界领先的手机闪存解决方案供应商意法半导体（纽约证券交易所代码：STM)2月14日推出了一个采用65nm制造工艺的PR系列NOR闪存产品。基于第四代多电平单元(MLC)技术，65nm PR系列闪存的软硬件兼容现有的90nm PR系列NOR闪存，为客户升级现有系统提供了一条捷径，同时还提高了存储密度和产品性能。

为满足移动应用市场对高分辨相机、多媒体内容和快速联网的需求，新的65nm PR系列闪存的突发读取速度达到133MHz，编程速度达到1.0-MB/s，支持深关断睡眠模式，采用1.8V电源电压。这个先进的NOR闪存系列产品与LPSDRAM、LPDDR-SDRAM、PSRAM和NAND存储器芯片以共享总线或分用总线的配置组装在一起，以多片封闭(MCP)和层叠封装(PoP)解决方案的形式提供给广大用户。

“通过进军65nm蚀刻工艺，意法半导体提供了一个极具竞争力的解决方案，为OEM融入设计高密度NOR闪存解决方案增加了一个新的选择，”Semiconductor Insights公司存储器产品首席分析师Geoff MacGillivray表示，“与主要竞争产品相比，裸片尺寸50.8mm2的ST 1-Gbit MLC NOR闪存是市场上最小的闪存芯片，创造了20.16-Mbit/mm2的最高Mbit/mm2存储密度。单元尺寸也非常小，仅为0.042μm2。”

“1000兆位单片存储器采用65nm多电平单元制造技术，有助于提高系统性能，增强最终用户的使用体验，”意法半导体无线NOR闪存产品部副总裁兼总经理Marco Dallabora表示，“512兆位的65nm NOR闪存芯片是简易的ST 90nm PR系列升级解决方案，目前该芯片已集成到现有的高性能平台内。”

65nm PR系列是意法半导体与英特尔于2005年12月宣布的合作计划的一部分，这项目前还在进行的合作计划的目的是为客户提供最新的高性能产品，并提供多货源的采购灵活性。

新产品样片现已上市，拟定于2007年上半年开始量产，256-Mbit、512-Mbit和1-Gbit闪存与PSRAM、LPSDRAM和NAND存储器芯片的堆叠封装产品的预算价格估计在10美元到30美元之间。

关于意法半导体（ST）公司

意法半导体，是微电子应用领域中开发供应半导体解决方案的世界级主导厂商。硅片与系统技术的完美结合，雄厚的制造实力，广泛的知识产权组合(IP)，以及强大的战略合作伙伴关系，使意法半导体在系统级芯片(SoC)技术方面居最前沿地位。在今天实现技术一体化的发展趋势中，ST的产品扮演了一个重要的角色。公司股票分别在纽约股票交易所、巴黎Euronext股票交易所和米兰股票交易所上市。2006年，公司净收入98.5亿美元，净收益7.82亿美元，详情请访问ST网站?? www.st.com 或 ST中文网站 www.stmicroelectronics.com.cn

关键字：存储 密度 兼容 编程

编辑：引用地址：https://news.eeworld.com.cn/newproducts/memory/200702/8374.html

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