Ramtron推出业界首个4兆位非易失性FRAM存储器-新品-电子工程世界网

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全新并行FRAM器件结合了德州仪器公认的130纳米工艺和Ramtron先进的FRAM单元架构

世界顶尖的非易失性铁电存储器 (FRAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出半导体业界首个4兆位 (Mb) FRAM存储器，这是目前最高容量的FRAM产品，其容量是原有最大FRAM存储器容量的四倍。FM22L16是采用44脚薄型小尺寸塑封 (TSOP) 的3V、4Mb并行非易失性FRAM，具有高存取速度、几乎无限的读/写次数和低功耗等特点。FM22L16与异步静态 RAM (SRAM) 在管脚上兼容，并适用于工业控制系统如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机、自动导航系统，以及许多以SRAM为基础的系统设计。

Ramtron 副总裁Mike Alwais解释道：“4Mb FRAM开辟了全新的技术领域，把Ramtron和FRAM技术引入崭新和新颖的应用中。FM22L16将FRAM技术引进至主流中，而来目德州仪器公认的工艺节点则提供许多全新的独立和集成式产品机会。新产品的推出将FRAM定位成理想的非易失性存储解决方案，拥有具大的潜力改变存储器的现状。”

产品特点

FM22L16是256K x 16非易失性存储器，采用工业标准并行接口实现存取，存取的时间为55ns，周期为110ns。该器件以“无延迟” (NoDelay?) 写入的总线速度进行读写操作，耐久性至少为1e14 (100万亿)次写入和10年的数据保存能力。

这种4Mb FRAM是标准异步SRAM完全替代器件，但其性能却优越很多，因为它在进行数据备份时毋需电池，并且具有单片芯片方式固有的高可靠性。FM22L16是真正的表面安装解决方案，与SRAM不同的是它不在需要电池而且具有很高的耐潮湿、抗冲击和振动特性。

FM22L16备有便于与现今高性能微处理器相连的接口，兼具高速页面模式，可以高达40MHz的速度进行4字节Burst读/写操作，这比普通RAM的总线速度高出很多。该器件较标准SRAM具有更低的工作电流，读/写操作时为18mA，在超低电流睡眠模式下仅为5uA。FM22L16在整个工业温度范围内 (-40℃至+85℃)于2.7V至3.6V电压工作。要了解有关FM22L16更详细的信息，请访问公司网站 http://www.ramtron.com/4MbFRAM/Default.asp。

关于德州仪器的高级130纳米 (nm) FRAM工艺

FM22L16以德州仪器公认及先进的130nm CMOS制造工艺为基础。在标准CMOS 130nm逻辑工艺内嵌入非易失性FRAM模块时仅使用了两个额外的掩模步骤。德州仪器和Ramtron在今天发布的另一份新闻稿中，详细描述了其商用制造的安排，以及针对Ramtron的FRAM产品而设德州仪器 130nm工艺的情况。

价格和现货

FM22L16的工程样件现已提供，并计划在2007年第三季限量供应，第四季开始量产。该器件采用符合RoHS要求的44脚TSOP-II封装，订购10,000件的起价为19美元。

关于Ramtron International

Ramtron International (纳斯达克代码：RMTR) 总部设在美国科罗拉多州Colorado Springs市，专门设计、开发和销售专用的半导体存储器、微控制器和集成半导体解决方案，广泛用于全球多个应用和市场。此外，Ramtron与各大授权厂商和制造商合作，将其技术推向市场。要了解更多信息，请访问公司网站www.ramtron.com。

关键字：纳米 工艺 单元 容量

编辑：引用地址：https://news.eeworld.com.cn/newproducts/memory/200703/12907.html

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