Vishay推出厚度仅为0.59mm MOSFET

2008 年 4 月 9 日，日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出了旨在满足对便携式设备中更小元件的需求的 20V p 通道 TrenchFET® 功率 MOSFET，该器件采用 MICRO FOOT® 芯片级封装，具有此类器件中业界最薄厚度及最低导通电阻。 

Vishay Siliconix Si8441DB 具有 0.59mm 的超薄厚度，以及 1.5mm×1mm 的占位面积，这也是在 1.2V 额定电压时提供导通电阻的首款此类器件。该器件的典型应用包括手机、PDA、数码相机、MP3 播放器及智能电话等便携式设备中的负载开关及电池保护。

Si8441DB 提供了 1.2V VGS 时 0.600Ω 至 4.5V VGS 时 0.080Ω的导通电阻范围，且具有最高 ±5V 的栅源电压。其在 1.2V 额定电压时出色的低导通电阻性能降低了对电平位移电路的需求，从而节约了便携式电子设计中的空间。

Vishay同时还推出了采用相同 MICRO FOOT® 芯片级封装的另一新款 MOSFET 功率器件--- 20V p 通道 Si8451DB。Si8451DB 的最高额定栅源电源为 8V，其导通电阻范围介于 1.5V 时 0.200Ω 至 4.5V 时 0.80Ω，这是迄今为止具有这些额定电压的器件所实现的最佳值。

 随着便携式电子设备的体积越来越小以及它们功能的不断增加，电源管理电路的可用板面空间会极大减少。为实现消费者对电池充电间隔间的电池运行时间的期望，设计人员需要具有低功耗的更小的 MOSFET 封装 — 这恰恰是Vishay的 Si8441DB 及 Si8451DB 所具有的特点。

关键字：便携式设备  芯片级封装  导通电阻  栅源电压

编辑：吕海英 引用地址：https://news.eeworld.com.cn/newproducts/others/200804/article_17766.html

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