飞思卡尔450瓦RF功率晶体管的峰值功率

      2008年4月14日，飞思卡尔半导体近日推出50伏横向扩散MOS（LDMOS）RF功率晶体管，输出功率比与之竞争性UHF TV 广播解决方案高50%。

      MRF6VP3450H器件展示出业界领先的RF品质参数，是同类UHF应用中最高输出功率的，同时它还能够降低系统级功率，为广播公司节省上万美元的运营成本。MRF6VP3450H在P1dB上提供超过450 瓦的峰值功率，使整个UHF广播频段的功率效率提高50%。

     作为飞思卡尔的阵容日益壮大的RF功率LDMOS晶体管系列（用于广播应用）的最新成员，MRF6VP3450H旨在让TV发射器采用模拟和数字两种调制格式。TV发射器极大地节省了TV广播公司的运营成本。RF功率放大器消耗的功率占到运营成本的绝大部分。

      高效的RF功率晶体管（如MRF6VP3450H）通过把大部分所需的AC输入功率转换成RF输出功率，可以帮助降低运营成本。最终，这种效率减少发射器所需的能源使用。此外，具有较高RF功率功能的个别晶体管还能够通过最大限度地减少器件数量和综合性损耗，提高系统级效率。

      MRF6VP3450H器件可以为运行频率为470~860 MHz 的TV广播的任意RF功率晶体管提供最佳的功率、效率和增益组合。采用平均输出功率为90瓦的DVB-T 64 QAM OFDM 信号，860 MHz 50 V的典型性能是28%的漏极效率和23 dB增益，其中，4 kHz带宽的相邻信道功率比（ACPR）是-62 dBc的4 MHz偏移。

      除了提供卓著的品质参数外，MRF6VP3450H器件还可以帮助简化从模拟到数字电视广播的过渡。全球广播行业正在从使用了70多年的模拟调制机制快速转换成数字调制。2009年2月后，数字广播将全部取代美国的模拟调制机制，全球范围内的广播公司将很快变为“ 全数字”广播公司。这种向数字广播的转换带来了极大的发射器的功率放大器和RF功率晶体管需求，因为信号具有非常高的峰均功率比。因此，用于该转换的RF功率晶体管必须在众多操作环境下显示出非常高的线性，以及高效率和耐用性，来确保较长操作寿命。

      MRF6VP3450H器件基于飞思卡尔的第六代高电压 （VHV6）50 V LDMOS处理技术。这种先进的技术带来了几项重大突破，包括用于超模压塑料封装中的广播应用的第一个1 kW LDMOS FET和第一个300 W UHFRF功率晶体管。飞思卡尔的广播系列目前包括32 V 和50 V 器件，覆盖10 MHz 到860 MHz的频率，功率水平从10 W到1 kW 以上（这是业界目前最广的功率水平）。该系列的所有器件均符合RoHS要求。

      MRF6VP3450H非常坚固耐用，能够处理非常高的阻抗不匹配，而不会带来任何损害。例如，平均运行在50 V和 90 W 的DVB-T OFDM能够在10:1 VSWR的所有相位角中生存。同样，它也可以在450 W峰值脉冲功率（10 us 脉冲、2.5 % 工作周期）运行的同一不匹配中生存。该器件还融入了静电放电（ESD）防护，使它在处理和制造过程中不容易被损坏。

供货信息
      MRF6VP3450H目前正在打样，有望在2008年第三季度投入批量生产。飞思卡尔目前已推出参考测试夹具，大信号型号有望在2008年第四季度推出。

关键字：RF功率晶体管  发射器  峰值脉冲功率

编辑：吕海英 引用地址：https://news.eeworld.com.cn/newproducts/others/200804/article_17811.html

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