受到充分保护的驱动器控制众多负载,设计灵活度高,性能优越,特色鲜明,具故障监测和报告能力
2006
安森美半导体汽车电源产品部总监Jim Alvernaz说,“安森美半导体的新驱动器展示了卓越的灵活设计。从电灯到继电器,从电动机到LED,我们的新器件提供高性价比的解决方案驱动各种负载。它们的通信和诊断能力可确保车辆的安全性。”
NCV7513是一种受到充分保护的六通道低端六边形预驱动器,适用于各种负载,包括发动机控制、记忆座椅和LED前灯等。这器件是FLEXMOS?汽车级产品系列中的最新成员,驱动逻辑级MOSFET。NCV7513由串行外围接口(SPI)和并联输入组合控制,具有3.3 V和5.0 V兼容输入,适合应用于新型微控制器。六通道的每一道都独立监控其外部MOSFET的故障情况。它的可编程故障管理模式允许功率限制脉宽调制(PWM)操作。特别的是每一通道的故障信息都可按故障类型而捕获。
NCV7513采用32引脚LQFP封装,每10,000片的批量单价为0.82美元。
NCV7708是受充分保护的六边形半桥驱动器,是多通道驱动器系列中的最新成员。它的特点是六个独立的高端和六个独立的低端驱动器,可配置为半桥驱动器。通过SPI对NCV7708进行控制,频率高达5兆赫(MHz),该器件具有先进的故障报告和优越的保护性能,符合5 V和3.3 V系统的标准。
Alvernaz说:“NCV7708适用性强是因为它能驱动高端负载、低端负载和电动机。”
NCV7708采用28引脚SOIC散热增强型保险丝封装,每10,000片的批量单价为1.25美元。
其他技术信息请访问www.onsemi.com.cn,或联系Richard White (电邮地址:richard.white@onsemi.com) 。
关于安森美半导体
安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)拥有跨越全球的物流网络和强大的电源半导体器件系列,是计算机、手机、便携设备、汽车和工业等市场应用的工程师、采购人员、分销商、及电子代工制造商之首选电源方案供应商。欲查询公司详情,请浏览安森美半导体网站:http://www.onsemi.com.cn。
关键字:MOSFET 逻辑 串行
编辑: 引用地址:https://news.eeworld.com.cn/newproducts/power/200610/6631.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
上一篇:德州仪器推出适用于恶劣环境的高输入电压 LDO 稳压器
下一篇:德州仪器推出首批每通道逾 300W 驱动能力的数字音频放大器功率级器件
- 关注eeworld公众号
快捷获取更多信息
- 关注eeworld服务号
享受更多官方福利
推荐阅读
SiC在电动车市场应用广泛
在为功率转换选择高功率开关器件时,过去只有两个选择,硅MOSFET或者是IGBT,然而最新的应用如AC-DC转换器,逆变器,DC-DC转换器等,都达到了上千V水平,需要考虑SiC等更耐高压的产品。对于高压开关,与传统的硅MOSFET和IGBT相比,SiC MOSFET具有显着的优势,支持超过1,000 V的高压电源轨,且工作在数百KHz频率,甚至超过了最好的硅MOSFET。值得注意的是,SiC器件可以满足新要求,但他们的电路要求不同。具体而言,它们具有特殊的栅极驱动需求,安森美半导体通过其SiC栅极驱动器系列解决了这一问题,将SiC MOSFET的优势带入当今要求苛刻的电源产品中,尤其是汽车电气系统和电动汽车等。应用目标
发表于 2019-08-26
长距离电动汽车应用中 SiC 功率器件的有效实现
电动和混合动力电动汽车 (EV/HEV) 的电池颇受关注,然而,工程实际却是整个动力管理子系统 — 包括基本电机驱动、车载和外部充电器、电源使用和再生制动等功能,都与提高 EV 性能同等重要。因此,随着 EV 需求量持续增长,人们越来越重视改良组件的开发和利用,以此优化 EV 电池使用并延长汽车行驶里程。由作为功率控制器件的标准金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 渡越为基于碳化硅 (SiC) 基底和工艺技术的 FET,标志着向 EV 能效和系统整体特性提升迈出的重要一步。不过,SiC 器件的关键规格和驱动要求都与 MOSFET 有所区别,只有深入了解才能充分发挥其优势。本文概述了 EV 和 HEV 的动力要求
发表于 2019-08-19
长距离电动汽车应用中 SiC 功率器件的有效实现
电动和混合动力电动汽车 (EV/HEV) 的电池颇受关注,然而,工程实际却是整个动力管理子系统 — 包括基本电机驱动、车载和外部充电器、电源使用和再生制动等功能,都与提高 EV 性能同等重要。因此,随着 EV 需求量持续增长,人们越来越重视改良组件的开发和利用,以此优化 EV 电池使用并延长汽车行驶里程。由作为功率控制器件的标准金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 渡越为基于碳化硅 (SiC) 基底和工艺技术的 FET,标志着向 EV 能效和系统整体特性提升迈出的重要一步。不过,SiC 器件的关键规格和驱动要求都与 MOSFET 有所区别,只有深入了解才能充分发挥其优势。本文概述了 EV 和 HEV 的动力要求
发表于 2019-08-19
详解SiC在EV/HEV中的价值,以及如何更好的发挥其价值
原文链接:https://www.digikey.com/en/articles/techzone/2019/aug/effective-implementation-sic-power-devices-longer-range-electric-vehicles众所周知决定电动和混合动力电动汽车(EV / HEV)中行驶里程的关键因素是电池,但工程实际需要考虑的是整体电源管理系统——其中包括电机驱动、车载和外部充电器、电源利用率、刹车电能可回收等同样可提高驾驶里程。因此,随着对电动汽车需求持续增长,人们开始重视开发和采用可以优化电动车电池使用并延长汽车行驶里程的改进部件。从作为功率控制器件的标准MOSFET到基于碳化硅(SiC
发表于 2019-08-15
罗姆利用可湿面板成型技术开发出汽车级超紧凑MOSFET
肖特基势垒二极管(SBD)常用于高级驾驶辅助系统(ADAS)相机模块的反向连接保护电路中。但由于车辆系统中高分辨率相机所需的电流较大,因此SBD越来越多地被紧凑型MOSFET取代,这种MOSFET具有低导通电阻和低发热量。例如,在分别为2.0 A和0.6 W的电流和功耗下,传统的汽车MOSFET可以比SBD减少30%的安装面积。采用底部电极型封装方式的MOSFET可以提供必要的散热,同时仍能以更小的外形尺寸支持大电流,与传统的SBD相比,可以将安装面积减少多达78%。但是,虽然底部电极型MOSFET可以小型化并且仍然保持高电流,但是安装过程非常繁琐,一旦通过自动光学检测(AOI)系统(工业相机检查缺少的部件或质量缺陷),安装后
发表于 2019-08-13
罗姆推超紧凑车用级MOSFET 可实现ADAS摄像头模块等设备的小型化
据外媒报道,当地时间7月24日,日本半导体制造商罗姆(ROHM)宣布推出超级紧凑,尺寸为1.6 x1.6毫米的RV4xxx系列MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)产品,可提供优越的安装可靠性。该系列产品符合汽车电子可靠性标准AEC-Q101,即使在极端工作条件下,也可确保车用级可靠性和性能。此外,该产品采用了罗姆独有的封装加工技术,有助于实现ADAS摄像头模块等汽车电子设备的小型化。(图片来源:罗姆官网)近年来,汽车安装了越来越多的ADAS摄像头等汽车安全和便利系统,但是此类系统受安装空间的限制,对较小部件的需求也越来越多。为满足此类需求,在保持高电流的前提下,有望进一步实现小型化的底部电极封装MOSFET受到了人们的关注
发表于 2019-08-12
最新新品文章
- AMD二代 Versal™ SoC出道,单芯片扛下了AI三个阶段的全加速
- AI持续发热,Arm新一代Neoverse CSS V3和CSS N3为客户释放最优性能
- 米尔入门级i.MX6UL开发板的神经网络框架ncnn移植与测试
- 博格华纳向Wolfspeed投资5亿美元,保障高达6.5亿美元碳化硅器件年度产能供应
- 艾迈斯欧司朗推出新型高灵敏度三通道CMOS传感器,有效降低UV-A/B/C辐射监测成本
- 我国科学家实现658公里量子密钥分发和光纤振动传感
- 以铁代铂金,科学家发明低成本氢燃料电池
- 特斯拉汽车能用太阳能开1.5万公里?这种材料或许可以
- 美国可穿戴技术公司Eckto VR推出VR运动鞋“Ekto One”
更多每日新闻