飞思卡尔 RFIC是第一款为900 MHz和1800 MHz以及EDGE基站提供100瓦射频输出功率的产品
西班牙巴塞罗那(3GSM世界大会)-业界第一款能够为GSM 和EDGE网络基站提供100W射频输出功率的双级射频集成电路(RFIC)日前首次在3GSM世界大会的飞思卡尔半导体展台展出。
该设备是目前投入商用的功率最高的双级RFIC设备。当由飞思卡尔经济高效的MMG3005N通用放大器驱动(GPA)时,MWE6IC9100N 和 MW7IC18100N RFIC就构成了全面的100W功率放大器解决方案,用于运行在频率从900 到 1800 MHz的无线基站。
该解决方案的优势在于非常适合GSM和EDGE市场。此前,双级RFIC设备的输出功率不到30W,只能在驱动和预驱动阶段使用。以前的设计需要一个单独的高功率晶体管来实现50 dB增益,GSM EDGE发射机一般都需要100 W的输出功率。现在,只需要一个GPA和一个RFIC就可满足这种需要。
“这些100W的RFIC是无线市场中射频功率技术的突破,”飞思卡尔半导体副总裁兼射频部总经理Gavin P. Wood表示,“它是迄今为止投入商用的功率最高的双级RFIC,它们的封装采用超模压塑料而不是气腔。这些进步中的每项都非常了不起,如果把它们加在一起,则代表着整个行业前进了一大步。”
技术规范:MWE6IC9100N
MWE6IC9100N设计用于869至894 MHz的蜂窝频率和920至960 MHz 的GSM波段。对GSM操作来说,本设备可以在28 V AB级偏压条件下的1-dB增益压缩(P1dB)上提供至少100W的CW输出功率。增益是33.5 dB,功率增加的效率超过了计划运行范围的52%。在EDGE 应用的28 V漏偏压和50W的平均输出电压中,MWE6IC9100N分别通过400 kHz 和 600 kHz上的 -63 dBc 和 -81 dBc的频谱再生来满足严格的线性要求,其中有2% rms的EVM。
技术规范:MW7IC18100N
MW7IC18100N涵盖1805 至1880 MHz和1930至1990 MHz两个波段,能够通过30 dB的增益,提供100W CW的P1dB射频输出功率。当运行在28V电压上的GSM环境中时,功率增加的效率超过了计划运行范围的48%。EDGE的性能包括40W的平均功率、-63 dBc(400 kHz偏移量)和-80 dBc(800 kHz偏移量)的频谱再生,具有1.5% rms的EVM。
RFIC采用经济高效的超模压塑料封装,具有内部匹配性和出色的稳定性。RFIC具有集成的ESD保护,符合RoHS要求,可处理200°C的联结温度。它们还包括集成的静态电流热追综设备,可提供高效的温度补偿。在所有放大器的115°C的操作温度范围内,在5%的浮动范围内保持电流恒定。
RFIC结合了自动偏置功能,有助于简化功率放大器系统的设计,使设计人员能够用最小的外部电路设置放大器偏压。此外,设备还可用最少的控制电路,通过自动补偿来设置理想的漏静态电流。
供货情况
MWE6IC9100N现已批量生产,产品已上市。MW7IC18100N现在也在打样,计划于2007年3月批量生产。现在,两种产品均可使用MMG3005N的验证的射频和全部演示。如需了解样品和定价信息,请与飞思卡尔半导体、您当地的飞思卡尔销售办公室或授权经销商联系。
关于飞思卡尔半导体
飞思卡尔半导体是全球领先的半导体公司,为汽车、消费、工业、网络和无线市场设计并制造嵌入式半导体产品。这家私营企业总部位于德州奥斯汀,在全球30多个国家和地区拥有设计、研发、制造和销售机构。飞思卡尔半导体是全球最大的半导体公司之一,2006年的总销售额达到64亿美元。 如需了解其它信息,请访问:www.freescale.com
关键字:放大器 驱动 输出
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