OUM超越MRAM和FeRAM独领风骚，现有闪存技术可撑至2010年-电子工程世界

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英特尔公司日前预计指出，当前的闪存技术能维持到2010年，直到2010年才将出现对“通用存储器”的要求。这是英特尔闪存组战略规划经理Greg Komoto日前在英特尔开发商论坛(IDF)上所表示的。

Komoto称，英特尔依然认为双向通用存储器(OUM)，也称为相变存储器，是最有前景的非易失性存储器替代者，超越了另两类潜在替代者--磁性RAM(MRAM)或铁电RAM(FeRAM)。

Komoto表示，OUM凭借其缩放路径、成本下降和位可改变的事实显示出最具前景。

英特尔自2000年以来与合作伙伴Ovonyx公司合作致力于OUM研发。意法半导体也在一段时间内授权了Ovonyx的技术。去年，日本的Elpida Memory也授权了该技术，韩国的三星电子也将其视为闪存和DRAM的潜在替代物。

以前据英特尔高官称，研发结果已制成了工作的OUM存储器，但费用是一大问题。Komoto表示，OUM的缩放有望至15纳米。

与此同时，NAND和NOR闪存技术持续进步，推动了对非易失性替代物的需求。

英特尔与Azalea Microelectronics公司在2002年合作开发 0.18微米节点下的OUM测试芯片。当时英特尔技术和制造中心副总裁和联合总监Stefan Lai对电子工程专辑表示，该公司将自行开发0.13微米的OUM原型。

英特尔对OUM的兴趣可追溯至35年前的1970年9月，当该公司创始人高登摩尔和Energy Conversion Devices公司OUM的发明者在《电子(Electronics)》就这一主题合著了一篇技术论文。

关键字：闪存 OUM存储器磁性编辑：引用地址：OUM超越MRAM和FeRAM独领风骚，现有闪存技术可撑至2010年

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