Innovative Silicon公司(ISi)是一家“浮体”存储器的创新型公司，近日宣布推出一种能够把1到0的容限及数据保留时间指标提高10倍的技术。在2005年12月，AMD公司取得了ISi的前一代Z-RAM的授权，目前已获得了第二代该技术的授权。
浮体RAM是一种与绝缘体上硅(SOI)处理相结合应用的技术。它取消了用于常规大芯片中DRAM位元内的电容。在大的CMOS器件中，形成晶体管体的电荷受固定电压约束。在SOI中，不受约束的体正“浮”在厚厚的氧化层上方的硅中。要使浮体的行为与电容器类似，就要在该浮体的两侧施加经过特别控制的电压。
对那些从用于高性能处理器的SOI晶圆起家的公司，如AMD、IBM或飞思卡尔, 浮体RAM(FB-RAM)方案有几点优势: 快速的读写时间，比嵌入式DRAM的单位体积更小，而且大小只有6晶体管SRAM的1/5左右。ISi的首席科学家Serguei Okhonin拒绝就该公司如何改进其浮体技术做出解释，只说这种存储器工作在“不同的模式”下。
性能的改进有望为Z-RAM开辟更广范围的应用。第二代版本有望升级得更好并能够在65纳米工艺上实现每平方毫米5Mb的密度，而在45纳米的存储密度则大于每平方毫米10Mb。当性能最优化后，在阵列中该存储器能达到400MHz的时钟频率；当功耗得到最优化后，功耗可以被降低至10微瓦/兆赫。
Z-RAM二代技术已投入生产并被证实完全是一种90纳米的存储器，此外，它正以65纳米和45纳米工艺节点在若干工厂测试芯片。该公司也在更小的几何尺寸及多门栅/FinFET器件上展示了每个位元的操作。可以预见，升级到亚45纳米工艺技术没有问题。
AMD负责技术开发的公司副总裁Craig Sander在由ISi发布的一份声明中表示：“密度、功耗及性能的结合，加之具有与我们的标准制造工艺兼容的技术，将使之成为我们未来微处理器应用中极具吸引力的方案。”
关键字：时钟 频率 DRAM
编辑： 引用地址：ISi更新SOI存储器，AMD对此情有独钟
推荐阅读最新更新时间：2023-10-11 14:56
采用AT89C51单片机控制的量程自切换频率计
量程自切换频率计采用AT89C51单片机控制，主要由信号放大整形电路，单片机控制电路，分频电路，信号显示电路以及电源电路五个模块组成。本文阐述了系统的硬件组成及工作原理，论证了设计方案的可行性。系统程序采用C语言编写，经Keil软件进行调试后在Prote us软件中进行仿真，并且经过实物的测试，可以实现对不同波形的频率进行测量。具有自动切换并指示量程，精度较高，测量范围较大等特点。 近年来，随着科学技术的快速发展，特别是类似单片机等相关集成电路生产技术的快速堀起，推动了仪器仪表及家电产业的快速发展，用程序代码来简化硬件电路的复杂程度，使其不断向着体积小，价格低廉，功能更加多样化、智能化的方向发展。功能齐全，价格低廉的产
[单片机]
MSP430F5418的详细解析
1）UCS 时钟如同处理器的心脏，每一个周期就是心脏的一次脉动。以前使用其他处理器时，只需要选择合适频率的晶体，接在XT1和XT2两端，再加两个电容就可以了。而MSP430F5418的时钟系统略显复杂，容易让刚开始接触它的人一头雾水。5418的时钟设置由UCS（Unified Clock System）来管理，使用起来比较灵活，其结构图如下所示。 UCS模块有XT1CLK和XT2CLK两个外部时钟源，以及VLOCLK、REFOCLK和DCOCLK（DCOCLKDIV是DCOCLK的分频输出）三个内部时钟源。其中XT1CLK、REFOCLK和XT2CLK可以作为FLLREFCLK输入到FLL单元来改变DCO的输出。所有这些时钟源
[单片机]
STM32的时钟体系
【1】STM32的时钟共有三类 （1）纯内部(内部RC电路) HSI（ 内部高速时钟） LSI（内部低速时钟） （2）内外部（内部RC电路配合外部晶振） HSE LSE （3）纯外部(使用别人的时钟，通过下面两个端口输入) OSC_IN OSC32_IN 【2】三类时钟信号说明 (1)纯内部 特点：上电后很快就可以准备好（快速）、即使可以校正也无法校正精确（不精确）、用于刚上电的时钟（32默认时钟可修改） （2）内外部 特点：准备时间长（慢）、不可校正但是精确（精确）、代替默认时钟（需软件设置） （3）纯外部 特点：用于多机互动，提供同步时钟、四条通路可选 【3】STM32的时钟树 【4】STM32的时钟框图详解 1、
[单片机]
收购Elpida瑞晶美光跃居No.2 DRAM供应商
记忆体供应商 美光 科技( Micron Technology)稍早前证实，已签署一项最终版“赞助协议”(sponsor agreement)，以25亿美元来收购及援助 尔必达 公司( Elpida Memory)。 另外，美光也表示，将以3.34亿美元从力晶科技(Powerchip Technology)手中收购24%的瑞晶电子( Rexchip Electronics Corp.)持股。
尔必达持有瑞晶65%的股份，两家公司每月产量可超过20万片300mm晶圆。 此次收购将可为美光增加约50%的产能。 尔必达已申请破产保护，目前正由日本东京地方法院监管进行企
[手机便携]
浅析PIC单片机的时钟设置
什么时钟?
首先我们先讲讲什么是时钟。时钟就是单片机的心脏。每跳动一下。整个单片机的各个电路就同步的动作一下。就好像我们做广播体操的时候 广播上喊的节拍1234 2234 3234。。。。然后我们全部的同学就按照这个节奏进行一个个动作。节拍越快我们动作越快。节拍越慢我们动作的越慢。
内部时钟和外部时钟?
PIC单片机有许多型号可以设置成 用外部时钟(如外部接个4MHZ的石英晶振)，也可以设置成用内部RC时钟。而且还有许多型号可以选择多种频率的时钟。
如 PICLF1823 内部时钟最高可以到达32MHZ 最低可以达到 31kHz. 这事实上提供了一条降低功耗的新路子。一般的单片机降低功耗常常用的睡眠，而睡眠
[单片机]
供过于求 DRAM现货创新低价
DRAM市况差，集邦科技昨（2）日公布4Gb DDR3晶片现货价创历史新低价；最新出炉的合约价则重挫近10%，均价下探两年来低点，今年以来累计跌逾50%。由于现为买方市场，法人预期11、12月价格还会再跌，跌势至少到明年上半年。
DRAM现货价 图／经济日报提供
分享
这意味DRAM价格恐将持续一路破底，华亚科等业者压力不小。华亚科上季受DRAM跌价冲击，本业获利季减32%，毛利率跌破三成大关、降至28%，本季展望保守。法人认为，DRAM价格不振，华亚科接下来几季获利仍将持续衰退。业界普遍对DRAM后市偏空看待，预期明年市场需求不会有爆发性成长。
根据集邦科技昨天晚间最新报价，4Gb DDR3晶
[手机便携]
DRAM 旺季转淡成定局
第3季PC及行动装置销售成绩不如预期，但生产链上下游的DRAM库存全处于满水位，为了降低库存压力，ODM/OEM厂已开始抛售过剩存货，导致DRAM现货价在5周内崩跌15~20％。由于8月上旬现货价已跌落合约价之下，DRAM价格出现「死亡交叉」，旺季转淡已成定局。 根据集邦科技及模块业者报价，4Gb DDR3现货价昨日已砍到3.2美元，2Gb DDR3现货价砍至1.5美元，但8月上旬合约价与7月持平，4Gb DDR3合约价格介于3.3~3.5美元间，2Gb DDR3则介于1.6~1.7美元间。也就是说，DRAM价格已在8月上旬出现了现货价跌破合约价的「死亡交叉」。 合约价一般来说可视为DRAM买家的平均成本，现货价跌破合
[手机便携]
模拟芯片TLC320AD50C
1 音频 模拟芯片TLC320AD50C
TI公司的TLC320AD50C采用过采样ΣΔ技术，在DAC前有一个插值滤波器，在ADC后有一个抽样滤波器，这种结构使系统接收、发送可同时进行。而且TLC320AD50C可实现高分辨率，低速信号，高采样率(最高可达22.5kb/s)的AD/DA转换。它由一对16位的同步串行转换通道组成，可直接和DSP连接进行通信。
TLC320AD50C的特点如下：
(1)器件中的ADC为64倍过采样，DAC为256倍过采样(内部)；
(2)带有内建抗混叠滤波器和sinx/x补偿；
(3)可配置成主机或从机方式，一个串行接口可支持3个从设备
[手机便携]
【得捷电子Follow me第2期】日历时钟项目代码及依赖库
电子电路识图、应用与检测 (韩雪涛)
控制系统计算机辅助设计 — MATLAB语言与应用
京公网安备 11010802033920号