英飞凌授权IBM 130nm 嵌入式闪存工艺

据国外媒体报道，英飞凌宣布将其嵌入式闪存工艺授权给IBM 。IBM将在北美使用这个130nm的制程，而英飞凌将在基于此制程的产品中使用IBM的代工服务。

2006年4月，英飞凌宣布开始批量生产其面向汽车系统的高级32位嵌入式闪存微控制器。同时也标志着世界上首次运用130nm工艺实现嵌入式闪存产品量产的实现。

据英飞凌科技销售业务负责人Peter Bauer表示，通过此次合作，英飞凌实现了其制造IP的价值，得到了量产的新途径并且加强了与IBM的长期合作伙伴关系。

“通过与英飞凌的合作，我们拓宽了半导体产品范围，”IBM全球工程解决方案部半导体解决方案副总裁Steve Longoria表示，“这个授权许可利用了我们技术基础并补充了我们在模拟和混合信号专业技术。”

目前，该过程的整合和鉴定已经在IBM伯灵顿的200mm晶圆厂展开，预计初步设计套件在08年下半年推出。

背景资料：

2007年4月，英飞凌与印度半导体制造公司签署了谅解备忘录，英飞凌将许可HSMC使用其领先的130纳米CMOS工艺技术。

根据谅解备忘录规定，英飞凌将授权HSMC使用其130纳米CMOS基础工艺技术和适用于射频、芯片卡嵌入式闪存和汽车应用嵌入式闪存的工艺技术。此外，英飞凌还就技术转让和HSMC建厂提供技术和建议。英飞凌还将允许HSMC使用其成熟、合格的设计库。