DDR2严重跌价　DRAM厂产能转向DDR3-电子工程世界

分享到: 微博; QQ; 微信; LinkedIn

　　2007与2008年对DRAM产业而言是艰难的两年，市场供过于求与DRAM厂的大幅扩产导致DDR2颗粒价格严重下跌，再加上第四季的PC销售成绩不如预期，使得DRAM颗粒库存水位攀升，价格更是频频破底。

　　根据集邦科技(DRAMeXchange)的数据，10月7日收盘价格DDR2 1Gb eTT的现货报价为1.15美元，而DDR2 667 1Gb落在1.19美元间，尽管DDR2目前价格已远低变动成本，但对于DRAM厂而言，DDR3的开发仍是下一场战争的必要关键。

　　集邦针对DRAM厂商产品进程分析，发现目前生产DDR3颗粒的仍为主要的国际大厂，如三星(Samsung)、海力士(Hynix)及尔必达(Elpida)等，至于台系DRAM方面仅有华亚(Inotera)在生产。就生产比例来看，以三星和尔必达生产最为积极。

　　集邦分析师预计，2008年底前三星和尔必达将会有近10%的产能转向生产DDR3颗粒。在70纳米以下制程(65纳米与56纳米)也将于今年下半年陆续量产。

　　集邦科技统计，至2008底前为止DDR3占整体DRAM颗粒的产出量约在4%左右，以技术领导厂商三星而言，原本规划DDR3产出至年底超过其产出10%。但受到近期DDR2颗粒价格大跌的影响，厂商将会视市场状况调整DDR3的转进速度。

　　目前在笔记本电脑市场上，如戴尔(Dell)、索尼(Sony)、联想(Lenovo)、东芝(Toshiba)与宏碁(Acer)等已相继推出搭载DDR3内存的新机种上市，但集邦分析师认为，在巨额亏损下，将会影响DRAM厂转进DDR3的速度。

　　若DDR2价格仍持续低迷，则到2009年底DDR3在PC主机搭载量仅能达到30%。若DDR2价格快速反弹，将会加速DDR3转进的速度。

关键字：DDR2 DDR3 编辑：梁朝斌引用地址：DDR2严重跌价　DRAM厂产能转向DDR3

上一篇：苹果新推出升级版笔记本改用Nvidia芯片
下一篇：东芝拟斥资10亿美元收购SanDisk设备

推荐阅读最新更新时间：2023-10-11 14:55

赛灵思Kintex-7 FPGA DDR3接口性能演示

本演示展现了 Kintex-7 FPGA 连接 DDR3 存储器的接口功能。从演示中可以看出将高性能1600 Mbps DDR3 设计移植到硬件平台上是多么简单。有关示例目前已经发布。这些功能使用户能够快速启动 FPGA 设计中的 DDR3 部分，以加快整体产品上市进程。这里给出的参考设计是标准的 IP 核，可通过存储器接口生成器 (MIG) IP 核免费提供。该参考设计已导入 Kintex-7 KC705 平台。本演示还采用了 ChipScope™ 分析器软件来展示接口和 DDR3 控制器的功能。该软件可以测试并验证 DDR3 接口以 1600 Mbps 的速度在Kintex-7 FPGA 开发套件 KC705 板上的 FPGA

[嵌入式]

安森美为DDR3存储器模块应用提供解决方案

2008年12月4日，安森美半导体推出来自近期收购Catalyst半导体而得的温度传感器新产品线的第二款产品——CAT34TS02。这新器件结合了12位(另加标记位)数字输出温度传感器和2千比特(Kb)串行存在检测(SPD)电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，用于高速个人电脑(PC)和膝上型电脑、显卡、服务器、电信设备和基站、环境控制系统及工业处理控制设备中的第三代双倍数据率(DDR3)应用。 CAT34TS02符合电子元件工业联合会(JEDEC)的JC42.4规范，在3.0至3.6伏(V)器件电源电压范围内，75°C至95°C和+20°C至+100°C工作温度范围时分别提供±1°C和±3°C的温度传感精

[工业控制]

三星电子率先量产40纳米DDR3 DRAM

7月21日三星电子宣布已经开始量产40纳米2Gb DDR3 Dram。这是该级别产品全世界首次进入量产。同时该产品比去年九月量产的50纳米产品拥有更高的量产性。据悉，继2008年9月三星电子在业内首次量产50纳米DDR3 Dram之后，该公司又于2009年1月首次开发出40纳米2Gb DDR3 Dram并于本月首次投入量产。三星电子通过不断简化生产工艺缩短生产时间，极大地提高了生产效率和成本竞争力。三星电子表示，新一代量产的40纳米产品拥有更高的科技水平和环保型解决方案从而将获得比50纳米产品更高的市场评价。同时为了进一步扩展DDR3内存的市场，三星电子今后将针对区域服务器（16G或8G内存）、小

[半导体设计/制造]

提高存储器子系统效率的三种方法

行业专家认为，对于一个典型的大型数据中心而言，其50亿美元成本的80%左右会用在设备的机械和电子基础设施上。对于数据中心服务器，高功率密度的原因之一在于存储器子系统。典型的1U服务器需要600～1,000W的电源供电。这些用于数据中心的高端服务器支持16～18个DRAM插槽。在DDR3（第三代双倍数据速率）系统上，每一个插槽都通过典型的2Gb模块平均汲取9W功率。存储器子系统总功率约为144～162W，约占系统可用功率的25%。将该总功率与典型数据中心中40,000～80,000个服务器相乘，结果为5～13MW（兆瓦特），这仅为存储器子系统的汲取功率。这些功率足以为超过13,000个美国家庭供电。存储器协会正在推行用三种方法

[嵌入式]

第十一章、Tiny4412 U-BOOT移植十一 DDR3简单介绍

由于Tiny4412所用的芯片是DDR3，我从网上找一片介绍DDR3的原理的博文，虽然很多原理是一致的，但还是想着这些资料难搜集，而且多看一次除了费点时间外，我想不到别的坏处，那就在看一次，以便以后在修改代码时，已能对DDR3的所有参数非常清楚，网址 http://blog.csdn.net/wshini7316/article/details/8508836 此博文以是镁光的（Micron MT41J128M8 1Gb DDR3 SDRAM芯片为例说明的。内容如下：一、内存工作流程首先，我们先了解一下内存的大体结构工作流程，这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用。这部分的讲述运用DDR3的简化时序图。 DDR3的

[单片机]

第十一章、Tiny4412 U-BOOT移植十一 <font color='red'>DDR3</font>简单介绍

高速数据传输接口DDR2 I/F 的特性及测试

前言近年来随着视频设备、个人电脑的发展，在这些设备上进行的3d处理，视频交换以及复杂的运算导致数据量急剧增大，为了满足这些数据要在处理器、memory和外围设备之间的高速交换，近年来出现了多种多样的高速接口。同时，由于数据的高速传输，也给测试带来的新技术上及测试成本上的挑战。本文将基于advantest的t6500系列测试系统，针对最近出现的高速数据传输接口ddr2 i/f的特性及测试进行简单介绍。高速memory i/f概要为了简单说明，表1列出了从1990年至今 pc memory总线，微处理器，memory单元以及高速接口的对应情况。从表中可以看出传输总线的速度随着从sdr到ddr2的转变而迅速提高。

[测试测量]

高速数据传输接口<font color='red'>DDR2</font> I/F 的特性及测试

iSuppli：DDR3内存2010年第二季跃居主流

　　市场研究机构iSuppli预测，DDR3将在2010年第二季开始成为PC内存主流标准，届时其出货量占总DRAM市场比例将首度超越DDR2，达到五成以上。　　　　iSuppli估计，到2010年第二季，DDR3在DRAM市场的占有率以位元约当量(gigabit-equivalent)来计算，将成长至50.9%；该比例在08年与09年同期，各只有1%与14.2%。而到2010年底，该比例还会进一步成长至71%。　　　　iSuppli资深DRAM市场分析师Mike Howard指出，DDR3的速度比DDR2快50%，耗电量也仅有DDR2的30%左右：“对广大的PC使用者来说，这意味着更佳的性能；而对笔记型电脑的使用者来说，则

[半导体设计/制造]

iSuppli：<font color='red'>DDR3</font>内存2010年第二季跃居主流

HI3531的DDR3配置流程

DDR3 初始化配置流程系统上电之后，必须先完成DDR3 SDRAM 的初始化操作，系统才能访问DDR3 SDRAM。在进行初始化之前需要注意以下几点：对DDR3 SDRAM 进行上电操作时，需要遵循JEDEC 标准。即先提供VDD，然后提供VDDQ，最后提供VREF 和VTT。该初始化过程需要在系统进入NORMAL 模式后进行。在DDRC 32bit 模式下，假设存储空间由两片容量为1Gbit，数据总线位宽为16bit 的 DDR3 SDRAM 构成，DDRC 的初始化步骤如下： 1. 软件等待200us 以上。 2. 把DDRC_IOCFG 寄存器配置为0x467，配置IO 的工作模式、匹配电阻以及信号驱动。 3

[单片机]

热门资源推荐
热门放大器推荐

小广播

热门活动

换一批

■TI 有奖直播 | 使用基于 Arm 的 AM6xA 处理器设计智能化楼宇

■Follow me第二季第3期来啦！与得捷一起解锁高性能开发板【EK-RA6M5】超能力！

■报名直播赢【双肩包、京东卡、水杯】| 高可靠性IGBT的新选择——安世半导体650V IGBT

■30套RV1106 Linux开发板（带摄像头），邀您动手挑战边缘AI~

DDR2严重跌价 DRAM厂产能转向DDR3

DDR2严重跌价　DRAM厂产能转向DDR3