瑞萨推出双核微控器65nm应用于车载半导体-电子工程世界

瑞萨科技近日宣布，08年10月起将供应采用65nm工艺技术生产的双核构造车载微控制器“SH7786”。主要用于高级车载导航仪。

该公司07年9月上市了90nm工艺的SH7786样品。此次的65nm工艺产品除支持DDR3方式的同步DRAM（SDRAM）外，还减小了耗电量。对DDR3SDRAM的支持“在车载微控制器领域还是首次”（瑞萨）。使用频率533MHz的32bit专用总线，可实现最快4.27GB/秒的高速数据传输。整个芯片全部工作时的耗电量控制在5W以内。每个处理器内核可设定3种节电模式。

配备有两个32bit的处理器内核“SH-4A”，533MHz频率下可实现最大1920MIPS的处理性能，这一点与90nm产品相同。在同时支持SMP（对称型多处理）和AMP（非对称型多处理）方面也没有改变。封装采用593端子的BGA（25mm见方）。样品售价为8000日元。09年12月起以5000个/月的规模开始量产，2012年4月开始将扩大至20万个/月的规模。配备该产品的首款设备预定2010年亮相。

作为面向车载导航仪等车载信息系统的芯片，该公司拥有“SH778x”和“SH-Nav
i”两大系列产品。SH778x为图形LSI外置的通用产品，将提供给希望选择最佳图形LSI的用户。SH-Navi为图形功能内置的SoC。作为SH7786的后续产品，该公司还计划推出四核产品。SH-Navi的双核产品目前正在开发中，四核产品也正在计划之中。并将面向低端市场投放“SH-Mobile”系列产品等。

美国Gartner的调查显示，07年瑞萨的车载微控制器在全球市场中居第二位（在面向车载导航仪的微控制器市场中居首），在车载半导体整体市场中居第四位。

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