Spansion发布SLC NAND闪存系列产品

发布者:草莓熊猫最新更新时间:2012-05-28 来源: EEWORLD关键字:Spansion  SLC  NAND闪存 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

2012年5月28日,中国上海 – 嵌入式市场闪存解决方案的创新领军者Spansion公司(纽约证交所代码:CODE)今日宣布其首个单层单元(SLC)系列Spansion® NAND闪存产品开始出样。这一最新SLC NAND闪存产品采用4x nm浮栅技术,专门用于汽车、消费及网络应用的数据存储需求。Spansion SLC NAND将分为3.0V和1.8V两个系列,存储容量在1 Gb到8 Gb之间,该产品性能更为出色、温度范围更广、享有长期技术支持并且符合严格的可靠性要求,例如1位错误校正码(ECC)。此外,Spansion还公布了一份到2017年为止的SLC NAND产品完整规划图。

Spansion SLC NAND产品进一步完善了公司产品组合包括丰富的并行及串行NOR闪存系列产品。若产品设计要求高性能的代码执行和数据存储以创造丰富的用户体验时,设计师可以选择Spansion的并行或串行NOR闪存。新的Spansion SLC NAND闪存解决方案不仅能够满足日益增长的数据存储需求,而且继承了Spansion产品可靠性高、使用寿命长的优点。依托Spansion丰富的NOR和NAND闪存产品组合,嵌入式设备制造商现在可以获得各种类型的非易失性存储器产品,且全部享有Spansion业内首屈一指的客户支持和服务。

Spansion未来五年的技术规划图包括目前采用4x nm浮栅技术的1 Gb到8 Gb SLC NAND解决方案,到2012年底将升级至3x nm浮栅技术,并在2014年升级至2x nm。

专家评论:

- 同洲电子副总经理杨瑞良博士表示:“作为同洲电子的战略合作伙伴,Spansion在NOR闪存供应方面一直表现出色,完全可以满足我们对产品质量、可靠性、性能和技术支持的最高标准。凭借其在服务嵌入式行业的专业经验,Spansion将会受到SLC NAND闪存市场的青睐。”

- 德州仪器Sitara™ ARM® 处理器产品营销经理Russell Crane表示:“Spansion推出全新SLC NAND闪存系列产品,填补了NAND市场的空缺。Spansion深谙嵌入式行业的需求,尤其是对长期技术支持和产品可靠性的严格要求。我们很高兴能与Spansion基于并行和串行闪存领域基础上深化合作,共同推广Spansion SLC NAND闪存系列产品。”

- IHS iSuppli公司记忆与存储市场首席高级分析师Michael Yang表示:“Spansion SLC NAND闪存系列产品的问世有力推动了嵌入式市场的发展。在汽车和消费产品细分市场的助推下,SLC NAND在嵌入式行业发展势头强劲。随着家用产品和汽车日趋智能化,嵌入式应用对于产品使用寿命提出更高的要求,而这正好为SLC NAND提供了巨大的增长潜力。”

- Spansion公司产品市场副总裁Bob France表示:“智能手机上的App正大举进军机顶盒、数字电视,甚至汽车等多种平台。这意味着嵌入式系统会变得更加复杂,而应用程序的存储需求也会不断扩大。面对这一市场趋势,新的Spansion SLC NAND闪存应运而生,完美平衡了非凡性能、坚固可靠、存储容量范围以及长期技术支持,满足了嵌入式系统设计师的需求。”

Spansion SLC NAND 闪存系列主要规格/性能指标:

• 3.0 V 1 Gb、2 Gb和4 Gb单片解决方案现已出样
• 1.8 V 1 Gb、2 Gb和4 Gb单片解决方案将于2012年底出样
• 8 Gb 解决方案将于2012年下半年出样
• 采用4x nm浮栅处理技术
• 适用工业温度范围:-40℃至+85℃
• 可靠性高:复写次数高达100,000次,且仅需1位错误校正码
• 同类最佳的SLC NAND闪存性能:随机存取时间为25 μs,顺序存取时间为25 ns,写入时间为200 μs
• 采用Spansion通用引脚尺寸实现业界标准48引脚TSOP封装
• 业界标准NAND信号接口和指令集
• 补充Spansion FFS软件,含定制软件驱动和闪存文件系统软件
• 长期技术支持

 

关键字:Spansion  SLC  NAND闪存 引用地址:Spansion发布SLC NAND闪存系列产品

上一篇:英特尔发布2011企业社会责任报告,设立2020环境目标
下一篇:价格战再起 京东商城周年店庆大促曝光

推荐阅读最新更新时间:2024-05-03 19:35

Spansion与XMC宣布签订技术许可协议
行业领先的嵌入式市场闪存解决方案创新厂商Spansion公司(纽约证交所码:CODE)与中国发展最迅速的300mm半导体晶圆厂XMC(武汉新芯集成电路制造有限公司)今天共同宣布一项技术许可协议。根据该协议,XMC将获得Spansion 浮栅(Floating Gate)NOR闪存技术授权。在XMC现有的300mm晶圆产能基础上,双方将进一步扩大Spansion授权的 65nm、45nm和 32nm 的 MirrorBit 闪存技术合作。 Spansion公司晶圆制造、企业质量和产品工程高级副总裁Joe Rauschmayer认为:“Spansion公司的知识产权方案让诸如XMC这类重要的合作伙伴能更好地利用 Spansi
[嵌入式]
戴尔、英特尔和微软联手,欲打造NAND闪存模块控制器新标准
戴尔、英特尔和微软决定制定一个NAND闪存模块控制器的标准,三家公司期望此举将有助于扩大闪存在笔记本电脑和台式电脑中的应用。此外,英特尔也开始对内置闪存在服务器中的应用可能性进行探索。 三家公司同意建立一个由英特尔领导的非易失性存储器主控制器接口(Non-Volatile Memory Host Controller Interface, NVMHCI)工作组。在今年底该工作组将编制出一种能把PC和它的操作系统连接到闪存模块控制器上的软件接口。 英特尔设计的称为Turbo的存储卡正用于一些以英特尔的Santa Rosa平台为基础的笔记本电脑上,该努力实质上旨在把英特尔的设计变成一个开放的标准。作为该公司Robson方案一部分,
[焦点新闻]
因业务低迷,消息称三星计划暂停部分工厂 NAND 闪存生产
据韩国电子时报报道,为了克服低迷的存储器市场状况,三星电子计划停止其位于韩国平泽市 P1 工厂的部分 NAND 闪存生产设备。 业内人士透露,三星目前正在考虑停止 P1 工厂 NAND Flash 生产线部分设备的生产,该生产区主要负责生产 128 层堆叠的第 6 代 V-NAND,其中的设备将停产至少一个月。 外媒表示,鉴于市场持续低迷,业界猜测三星的 NAND Flash 产量可能会减少 10% 左右,而三星在近来 4 月份发布的 2023 年第一季度财报中也正式宣布存储器减产计划。三星更是在发布今年第二季度财报时表示,2023 年下半年三星将重点削减 NAND Flash 领域的产量。 半导体公司通常采用“减产期间保持设备运
[半导体设计/制造]
三星称不会向主要客户提供NAND闪存价格折扣
尽管市场普遍猜测三星将向其主要NAND闪存客户提供产品价格折扣,但是三星反驳了市场上的这种猜测,强调公司不会实行任何不公平的价格政策。 市场消息人士指出,今年8月初,三星在其工厂停产期间,把其NAND闪存的价格提高了20%,这引起了许多内存模板制造商的强烈不满。该消息人士还补充说,三星将于本月底向其主要客户提供价格折扣,以弥补它们因此导致的利润减少。 不过,三星对此予以了反驳。 DRAMeXchange 公布的数字显示,8月28日,市场上的8GB多层单元NAND闪存的价格为8.38美元, 8月下旬同一规格的NAND闪存价格为9.02美元。三星称向其合同客户提供的8Gb 多层单元NAND闪存的价格为9.5美元。
[焦点新闻]
三星正准备量产第8代V-NAND闪存 持续改进存储密度与传输性能
三星正准备量产第 8 代 V-NAND 闪存,包括即将推出的 PCIe 5.0 SSD 在内的产品,都有望为用户带来巨大的存储容量和性能体验提升。随着 V-NAND 升级到 236 层,同等存储容量的体型也可变得更加紧凑。作为参考,去年发布的第 7 代 V-NAND 已提供 176 层、且支持高达 2.0 GT/s 的传输速率。 除了台式机和笔记本电脑,智能手机也有望迎来基于最新一代 V-NAND 的 UFS 3.1(以及最新的 UFS 4.0)标准的高速闪存。 不过想要堆砌更多层的 3D-NAND 也并非易事,尽管三星早在 2013 年就率先发布了初代 V-NAND,但实际推行仍相当谨慎。 于是在突破 200 层大
[手机便携]
三星正准备量产第8代V-<font color='red'>NAND</font><font color='red'>闪存</font> 持续改进存储密度与传输性能
东芝Sandisk 共庆300mm级NAND闪存厂Fab 5在日投产
   东芝株式会社与SanDisk公司今日共同庆祝位于日本三重县四日市东芝生产基地的第三家 300mm 晶圆 NAND生产工厂 Fab 5 正式投产。    由于消费者对于智能手机、平板电脑和其他电子设备的巨大需求推动着 NAND闪存 的全球需求总量进一步上升,东芝于2010年7月开工建设Fab 5,这座新的生产工厂配备了东芝和SanDisk投资的最新制造设备,并已于2011年7月开始量产。Fab 5目前采用24纳米 (nm)* 工艺技术,第一批晶圆将于8月份发货。目前,Fab 5采用新近宣布的全球最小、最先进的工艺节点—— 19纳米 制造技术;未来,Fab 5将过渡到更高级的工艺制程。    Fab
[工业控制]
SK海力士宣布即将量产首款128层的1Tb TLC 4D NAND闪存
SK海力士于宣布,将量产全球首款128层的1Tb(Terabit) TLC 4D NAND闪存,并计划下半年开始销售。 这是SK海力士去年10月发表96层4D NAND后,时隔8个月再次发表新产品。据韩媒《朝鲜日报》报导,SK海力士为使用TLC设计(每个Cell单元上安装3bit)开发新产品,应用垂直蚀刻、多层薄膜颗粒形成、低电力回路设计等技术,制造出堆栈3600亿以上NAND颗粒、128层的1Tb产品,不仅达到业界最高堆栈数,也超越三星电子量产的90层NAND。 虽然先前已有96层QLC 1Tb规格的产品,但TLC的性能、处理速度皆优于QLC,在NAND市场中,TLC产品市占率更达85%。因此SK海力士首次以TLC技术开
[嵌入式]
SK海力士:NAND闪存堆叠到600层不是没可能
存储大厂SK海力士的CEO李锡熙(Seok-Hee Lee)近日在IEEE国际可靠性物理研讨会上发表主题演讲,分享了在闪存、内存未来发展方面的一些规划和展望。 3D NAND闪存方面,如今行业的发展重点不是更先进的工艺,也不是QLC、PLC,而是堆叠层数的不断增加,SK海力士就已经做到了176层。 SK海力士此前认为,3D闪存的堆叠层数极限是500层,不过现在更加乐观,认为在不远的将来就能做到600层。 当然,为了做到这一点,需要在技术方面进行诸多创新和突破,比如SK海力士提出了原子层沉积(ALD)技术,进一步强化闪存单元属性,可以更高效地存储、释放电荷,并且在堆叠层数大大增加后依然保持电荷一致性。 为了解
[嵌入式]
SK海力士:<font color='red'>NAND</font><font color='red'>闪存</font>堆叠到600层不是没可能
小广播
最新家用电子文章
换一换 更多 相关热搜器件

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 电视相关 白色家电 数字家庭 PC互联网 数码影像 维修拆解 综合资讯 其他技术 论坛

词云: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved