工信部电信研究院院长曹淑敏近日出席“2011海峡两岸TDD宽带移动技术发展与合作高峰论坛”时透露,4家芯片或终端厂商计划在今年年底前推出TD-LTE多模数据卡或双待手机。
这意味着,在TD-LTE规模技术试验快速推进的同时,这一领域的关键性环节——终端的研发生产,已经取得实质性进展。而在TD-LTE第一阶段的规模试验中,配合测试的主要是单模终端。
据了解,在工信部批复同意TD-LTE规模技术试验总体方案之后,中国移动已联合产业链相关厂商从今年年初开始,在上海、杭州、南京、广州、深圳、厦门六个城市建设TD-LTE规模试验网。
据悉,中国移动已投入超过6亿元资金,在上述六个城市建设了超过850个基站的TD-LTE规模试验网络,并与7家网络设备厂商和3家芯片厂商完成了TD-LTE规模试验的第一阶段测试工作。
按照计划,中国移动将在2012年6月底之前完成TD-LTE规模试验的第二阶段测试工作,并将在此期间新建1-2万个TD-LTE基站。
曹淑敏介绍,目前已有8家系统厂商(华为、诺西、中兴、大唐、上海贝尔、摩托罗拉、爱立信、烽火)完成TD-LTE测试,另有3家系统厂商(新邮通、普天、三星)正在进行测试。此外,已有6家芯片厂商(华为海思、创毅视讯、高通、Altair、中兴微电子、Sequans)完成测试,另有4家芯片厂商(联芯、重邮信科、展讯、意法爱立信)正在测试。
据悉,在完成了规模试验网第一阶段的TD-LTE单模芯片数据卡测试之后,中国移动将在第二阶段完成多模数据卡及双待手机的测试。目前,中国移动已经开始批量采购TD-LTE终端用于第二阶段的测试。
多模终端及芯片的研发进展有两个阶段,一是可较快引入的多模双待(单芯片或双芯片)方案;另一个是未来发展方向,即多模单待(单芯片)方案。
其中,TD-LTE单模芯片和TD-SCDMA/GSM商用芯片,组合形成双芯片多模终端。目前,3家厂商提供的TD-LTE多模芯片已进入工信部实验室进行的调测,4家芯片或终端厂商计划在今年第四季度提供TD-LTE多模数据卡或双待手机。
而多模单待方案则采用40纳米工艺,至少支持TD-LTE/TD-SCDMA/GSM三模。据曹淑敏介绍,7家芯片厂商将于2012年提供单芯片多模终端,另有部分芯片厂商计划在2012年底或2013年提供。
按照中国移动对TD-LTE终端的规划,2011年将完成商用数据卡的研发及生产,推出手机原型机;2012年使数据卡达到规模商用水平,手机达到商用水平;2013年使数据卡和手机达到大规模商用水平。
实际上,上述规划已在2011年实现重大突破。据中国移动研究院副院长黄宇红介绍,目前已有华为、中兴两款数据卡实现商用供货水平,另有包括多模双待样机(中兴、酷派)、数据卡(Altair、高通、创毅视讯、海思、三星、Sequans)、平板电脑和上网本(广达、诺基亚)、CPE(海思、创毅视讯)等在内的超过35款各类终端产品已研发出样。
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