IDT宣布已新推出低频段 RF 混频器

拥有模拟和数字领域的优势技术、提供领先的混合信号半导体解决方案的供应商 IDT® 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布，已新推出低频段 RF 混频器，该混频器可通过在拥挤频谱中为 4G LTE、3G 和 2G 系统减少互调失真增强用户的移动连接体验。IDT 新的 Zero-Distortion™ 基站收发信机（BTS）多样混频器可通过减少功耗改进系统三阶互调失真（IM3），针对移动通信（EGSM）频率范围涵盖 450 MHz、长期演进（LTE）和扩展的全球系统。

IDT F1102 是一款低功耗、低失真的双通道 400-1000 MHz RF 变频到IF 混频器，与标准混频器相比，可改进 IM3 超过 15 dB，同时减少功耗超过 40%。这些性能品质可为改进服务品质（QoS）实现更好的信噪比（SNR），同时减少散热，从而在密集的射频卡密封中降低散热要求（5V 时 1.15W，高达 +43 dBm IP3O）。F1102 可提供无与伦比的性能与效率，是多载波、多模式4G LTE 和 EGSM BTS 系统的理想选择。

IDT 公司副总裁兼通信部总经理 Tom Sparkman 表示：“在发现我们高频段和低频段混频器优异的性能之后，客户开始需要这款产品。我们的零失真技术可帮助客户增加射频卡的前端增益以改进 SNR，同时在拥挤的 EGSM 和 U.S. 蜂窝频段中减少失真。凭借我们广泛的高性能、低功耗可变增益放大器（VGA）产品组合，业界领先的计时、串行交换、数据转换和数据压缩产品，IDT 成为通信信号链解决方案的一站式提供商。”

F1102 与 IDT 其他混频器产品系列一起，可在上电与下电模式下提供快速的建立时间和恒定的本机振荡器（LO）输入阻抗。这允许客户在时分双工（TDD）接收机插槽间关闭混频器，从而进一步降低功耗。此外，IDTF1102 可支持高本振或低本振注入方式，与市场上现有器件管脚相容，从而提供令人信服的升级选择。

供货
IDT F1102 目前正向合格客户提供样品，提供 6x6 毫米 36 引脚 QFN 封装。