GAN将逐渐取代LDMOS

如今，电子业正迈向4G的终点、5G的起点。 后者发展上仍有不少进步空间，但可以确定，新一代无线电网络势必需要更多组件、更高频率做支撑，可望为芯片商带庞大商机--特别是对RF功率半导体供货商而言。 下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。

 对此，市研机构Yole于7月发布「2017年RF功率市场与科技报告」指出，RF功率市场近期可望由衰转盛，并以将近二位数的年复合成长率(GAGR)迅速成长;同时，氮化镓(GaN)将逐渐取代横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)，成为市场主流技术。

拜电信基站升级、小型基地台逐渐普及所赐，RF功率市场可望脱离2015年以来的低潮，开始蓬勃发展--报告指出，整体市场营收到2022年底则有望暴增75%之多，2016~2022年间CAGR将达9.8%;其中，占电信基础设施近一半比重的基站、无线回程网络等相关组件，同一时段CAGR各为12.5%、5.3%。 再者，鉴于效能较高、体积较小且稳定性较佳，砷化镓(GaAs)、GaN等固态技术将在国防应用上逐渐取代真空管，提供RF功率组件更多发展机会。 Yole预期，此部分营收至2022年将成长20%，2016~2022年间CAGR达4.3%。

技术方面，受与日俱增的信息流量、更高操作频率与带宽等需求驱使，GaN组件使用越来越普遍，正于电信大型基站、雷达/航空用真空管与其它宽带应用上取代LDMOS组件，现已占据整体20%营收以上。 针对未来网络设计，Yole表示，GaN之于载波聚合(CA)、多输入多输出(MIMO)等新科技，效能与带宽上双双较LDMOS具优势。 此外，得力于在行动网络产业发展得当，GaAs技术已成熟到能进入市场，可望在国防、有线电视等应用上稳占一席之地。

此报告估计，GaN将于未来5~10年成为3W以上RF功率应用的主流技术，GaAs基于其稳定性与不错的性价比，也得以维持一定比重;至于LDMOS部分则将继续衰退，市场规模跌至整体15%，然考虑到其高成熟性与低成本等，短期内在RF功率市场仍不至面临淘汰。

伴随RF功率组件发展趋势日渐明朗，各家大厂开始有所动作、抢争新世代科技的主导权：主流LDMOS供货商包括恩智浦(NXP)、安谱隆(Ampleon)、英飞凌(Infineon)等，正尝试透过外部代工获取GaN技术;传统GaAs厂商亦纷纷开始着重投资在此，少部分已成功将产能转进GaN、在市场拔得头筹;至于纯GaN供货商如科锐(Cree )旗下之Wolfspeed，一方面为LDMOS大厂供应相关组件、壮大市场，一方面则努力确保自身在GaN技术发展的领先地位。

据Yole指出，待GaN组件成为主流，掌握GaN市场的厂商将取代LDMOS主力厂商，成为RF功率市场领导者--现阶段除Wolfspeed，该领域领导厂商几乎都是由GaAs厂商转进。 就近期包括Infineon收购Wolfspeed受阻于美国政府、和康电讯(M/A-COM)与Infineon间的诉讼等相关事件来看，该领域的竞争似乎也日趋白热化。

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