东芝产能出现大幅损失纯属谣言,对第四季供货影响有限

发布者:chunying最新更新时间:2017-10-17 来源: 电子产品世界关键字:东芝  NANDFlash 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

  集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出,针对近期市场传出东芝产能出现问题,并致使产出晶圆损失高达10万片一事,经调查与确认后,东芝产线确实遭遇到一些问题,并致使整体产出量较原先预期少,但影响程度绝对远低于外界所谣传接近10万片的规模,且工厂产线亦未出现停摆。对于东芝客户而言,在第四季议价时所承诺的交货数量也没有受到直接冲击。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。

  DRAMeXchange资深研究经理陈玠玮指出,此一事件后,不论对于第四季或是明年第一季的供需市况皆不会产生任何剧烈影响。对于现货市场而言,在此消息传出后并没有导致任何模组厂停止报价及出货,预估东芝在解决产线问题后,能立即降低或弥补本次事件所产生的影响,以维护其客户权益。

  第四季NANDFlash产能明显增加,供需转趋平衡

  陈玠玮表示,我们对于市场后续看法仍不变,即NANDFlash第四季供货虽然仍短缺,但供货缺口将小于第三季,意即市场将逐步转趋供需平衡。背后原因在于非三星阵营3D产能逐步开出,再加上需求端苹果新机因iPhoneX上市销售日期较原先预期晚,导致部分拉货需求递延至明年第一季,使市场需求低于原先预期。

  虽然东芝阵营第四季生产产线遭遇到一些问题,让整体产出量出现小幅下滑,但因为影响程度并不如外界所传严重,所以市场整体产出量仍较第三季明显增加。此外,渠道市场需求仍不佳,除非未来产品售价下滑,以及供货更加稳定,预期需求状况才会好转。

  观察明年供需状况,尽管iPhoneX买气可能延续到2018年第一季,但因为其他终端产品销售预期将受传统淡季效应影响,再加上各家良率持续提升,带动3DNAND产能不断开出,因此,明年上半年可能转趋供需平衡,甚至不排除出现小幅供过于求的可能,整体供需状况要到明年下半年进入销售旺季,才有机会再次出现供货吃紧状况。

    以上是关于网络通信中-东芝产能出现大幅损失纯属谣言,对第四季供货影响有限的相关介绍,如果想要了解更多相关信息,请多多关注eeworld,eeworld电子工程将给大家提供更全、更详细、更新的资讯信息。

关键字:东芝  NANDFlash 引用地址:东芝产能出现大幅损失纯属谣言,对第四季供货影响有限

上一篇:苹果迎利好消息 iPhone X面部识别关键芯片开始发货
下一篇:各国运营商均发力5G 侧重点有何不同?

推荐阅读最新更新时间:2024-05-07 17:40

东芝推出高压双通道螺线管驱动器IC
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,推出双通道螺线管驱动器IC“TB67S112PG”,其可实现高压低导通电阻驱动。该产品于今天开始批量生产。 TB67S112PG包含双通道,每个通道都由一个低边MOSFET和一个共COM续流二极管组成,能独立驱动螺线管或继电器,这类在游乐设备(投币自动售货机)、家用电器(空调、冰箱)和工业设备(ATM银行终端、办公室自动化设备和工厂自动化设备)应用中广泛使用的器件。 东芝已经在市场上推出了四通道螺线管驱动器IC“TB67S111PG”和八通道“TB67S158NG/FTG”。根据要控制的螺线管数量,新增的“TB67S112P
[电源管理]
<font color='red'>东芝</font>推出高压双通道螺线管驱动器IC
东芝推出具有更低导通电阻的小型化超薄封装共漏极MOSFET,适用于快充设备
中国上海,2023年5月18日—— 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”,该器件可用于移动设备锂离子(Li-ion)电池组中的电池保护电路 。该产品于今日开始支持批量出货。 锂离子电池组依靠高度稳定的保护电路来减少充放电时产生的热量,以提高安全性。这些电路必须具有低功耗和高密度封装的特性,同时要求MOSFET小巧纤薄,且具有更低的导通电阻。 SSM14N956L采用东芝专用的微加工工艺,已经发布的SSM10N954L也采用该技术 。凭借业界领先 的低导通电阻特性实现了低功耗,而业界领先 的低栅源漏电流特性又保证了低待机功耗。这
[电源管理]
<font color='red'>东芝</font>推出具有更低导通电阻的小型化超薄封装共漏极MOSFET,适用于快充设备
东芝瞄准64排机型换购需求推出80排160层CT
      东芝医疗系统公司从2013年4月3日开始在日本销售使用80排检测器的160层CT机“Aquilion PRIME”。该公司社长纲川智表示,该产品的目标是推动对该公司的主流产品之一——64排128层X线CT机的更新换代。       东芝医疗系统的64排128层CT机在日本已售出约1000台,在全世界售出约4000台。该装置以前被定位于也可进行高难度心脏检查的高端机型,但医疗现场提出了进一步提高摄影能力、增强画质、降低辐射以及提高工作速度等要求。       此次的新产品排列了80排0.5mm宽的检测器,总的层面宽度为40mm,能以每转0.35秒的速度高速摄影。据东芝医疗系统介绍,“高速摄影和高精细摄影很难同时实现,但此
[医疗电子]
nandflash的读写(2440)
说明: 根据物理结构上的区别 , NandFlash主要分为如下两类: 1)•SLC (Single Level Cell): 单层式存储 2)•MLC (Multi Level Cell): 多层式存储 @:SLC在存储格上只存一位数据, 而MLC则存放两位数据。 1.nand.c #define NFCONF (*(volatile unsigned long*)0x4E000000) #define NFCONT (*(volatile unsigned long*)0x4E000004) #define NFCMD (*(volatile unsigned char*)0x4E000008) #define NFADD
[单片机]
东芝将与GLOBALFOUNDRIES合作生产FFSA™
东京—东芝公司(TOKYO:6502)2014年3月19日宣布,该公司将与GLOBALFOUNDRIES合作生产东芝的FFSA™(Fit Fast Structured Array)产品。东芝将通过GLOBALFOUNDRIES晶圆厂的生产扩大其FFSA™业务。首批产品将采用GLOBALFOUNDRIES 65nm-LPe和40nm-LP工艺制造,并计划将合作范围扩展到该公司的28nm“高电介质金属栅极”(High-K Metal Gate, HKMG)技术。 东芝的FFSA™产品是与美国的BaySand Inc共同开发而成,只需定制一些金属层的设计就可以进行配置。定制流程保证了开发周期比采用传统的ASIC设备大幅缩短,
[嵌入式]
东芝面向汽车应用推出e·MMC NAND闪存
东京 东芝公司(TOKYO:6502)旗下半导体与存储产品公司今天宣布推出面向汽车应用的15nm e・MMC TM NAND闪存。东芝的汽车e・MMC的特点包括从-40 C到85 C的广泛工作温度范围、汽车行业可用的最小级芯片尺寸 、11.5x13mm JEDEC的标准封装,以及高度的可靠性。样品发货即日启动。 东芝的新系列单一封装嵌入式NAND闪存能满足汽车信息娱乐市场的严苛要求,这些产品可提供从8千兆字节 (GB)到64GB的存储容量。每款元件都集成有一个用来为NAND应用管理基本控制功能的控制器。 据产业分析机构Gartner预测,大部分汽车将在短短五年内实现联网,其中60%到75%能够消费、创建和分享基
[汽车电子]
Movidius与东芝电子合作为智能手机提供3D系统解决方案
爱尔兰都柏林和德国杜塞尔多夫,2012年2月1日—移动多媒体处理器专业公司Movidius日前宣布:该公司已与东芝电子欧洲公司合作,开发出了一套完整的、用于智能手机市场的3D系统性解决方案。 Movidius公司的MA1178已与东芝的8百万像素扩展景深(EDOF)相机相结合,可确保3D相机模组的制造商们去开发一种无法抗拒的3D影像解决方案,可完美地适用于高端系列智能手机。从3D同步的角度来看,EDOF相机具有传统自动聚焦相机无法比拟的优势。 Movidius的MA1178双ISP及视频处理器芯片可无缝地集成到手机的现有平台之中,并具有自动校准和配置功能,从而可简化设计流程并降低制造成本。东芝的8百万像素EDOF相机和Movi
[手机便携]
sam9x5 nandflash烧写失败后使用sd卡进行恢复
如果烧写nandflash失败,或者烧写了错误的bootstrap,造成系统无法启动,也无法用usb连接sam-ba,而手头又没有jlink的话,可以尝试使用sd卡启动的方式来恢复。 将附件下载后展开,放到fat32格式的sd卡根目录下,上电复位后系统就会从sd卡上启动,进入u-boot后就可以使用nand命令对nand进行擦除操作,然后板子就可以连接sam-ba。 利用了atmel的sdcard版本的bootstrap代码,以及sd卡启动比nand启动优先级高的特性,具体可以参考芯片数据手册。 使用以上sd回复文件的启动信息: nand启动方式的log,bootstrap中会提示nand的id信息: SD卡启
[单片机]
sam9x5 <font color='red'>nandflash</font>烧写失败后使用sd卡进行恢复
小广播
最新网络通信文章
换一换 更多 相关热搜器件
随便看看
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved