博通推出公司首款5nm制程的ASIC，用于数据中心

博通（Broadcom）日前宣布其用于数据中心和云基础设施的5nm ASIC器件样片开始发售。该产品基于TSMC的N5工艺，尺寸为625 mm2，集成了PCIe Gen5协议，112 Gbps SerDes，运行在HBM2e运行频率为3.6 Gbps，利用TSMC CoWoS Interposer技术实现3.6 Tbps Die2Die PHY IP。此外，Broadcom的5nm产品还包括针对人工智能（AI），高性能计算（HPC）和5G无线基础设施应用开发的多种ASIC。

5nm技术产品亮点

高速多协议112 Gbps，64 Gbps和32 Gbps SerDes内核

HBM2e和HBM3协议解决方案

高带宽Die2Die PHY，用于多芯片SoC和硅互联

高性能和高密度标准单元库和存储器编译器

先进的封装解决方案，包括多芯片模块和2.5D堆叠

5nm ASIC平台与上一代产品相比的优势

用于训练和推理应用的裸片计算量增加2倍

使用HBM2e和HBM3 PHY时，存储带宽增加了2倍至4倍

2倍于112 Gbps SerDes的更高带宽串行链路

每个给定的工作功能最多可减少30％的功率

借助先进的包装解决方案降低系统尺寸并降低成本

“ Broadcom的开拓性ASIC产品利用业界最先进的硅技术N5和我们的高性能CoWoS集成解决方案来满足下一代云和数据中心应用程序的苛刻要求，”TSMC高级业务副总裁Kevin Zhang博士说道， “我们很高兴看到Broadcom的ASIC平台将启用新的应用，并期待继续合作以增强最终客户及其创新能力。”

Broadcom ASIC产品部门高级副总裁兼总经理Frank Ostojic表示：“首次面市的5nm ASIC扩展了Broadcom在嵌入式SoC方面的领导地位，并为AI，HPC，5G和超大规模基础设施应用领域的新创新铺平了道路。我们的创新IP，行之有效的设计方法以及与台积电的合作关系继续为我们的客户提供具有功率，性能和上市时间优势的领先解决方案。”