恒忆取得设计突破 推出45nm NOR闪存芯片

      2009年2月12日，恒忆（Numonyx）在北京发布业内首款采用45纳米工艺技术的多级单元（MLC）NOR闪存样片。在为客户提供高度的产品连续性和可靠性的同时，新产品发布还使恒忆能够大幅度提高存储产品的性能。新产品遥遥领先上一代65nm产品，是当前市场上最先进的NOR闪存。恒忆NOR闪存芯片广泛用于手机，运行关键的手机操作系统，管理个人数据，存储相片、音乐和视频。

      这款45nm的1兆位(Gb)单片闪存基于Numonyx™ StrataFlash® 存储器架构，引脚兼容恒忆目前量产的65nm NOR闪存芯片。产品架构的兼容性和连续性使手机原始设备制造商能够降低开发成本，延长现有产品平台的生命周期，利用大容量存储和速度更快的存储器“立即执行”功能，加快向市场推出新产品的速度。与上一代产品相比，新技术将数据写入速度提高50%。

     “手机存储市场还有很大的空间，升级闪存制造技术的迫切要求依然来自市场对高密度、低成本非易失性NOR闪存的需求，”恒忆首席技术官Ed Doller表示，“通过开发新的工艺技术，在业内最先进的45nm技术平台上制造第7代MLC NOR闪存，恒忆工程师克服了技术升级的主要限制，率先为客户带来性价比优势。”

      在如何设计新一代NOR闪存技术方面，恒忆取得了一项重大设计突破。新产品采用一个新的自对准接触(SAC)方法，在保持与过去产品兼容以及高度可靠性和产品质量的同时，这种方法还使恒忆闪存产品得以不断升级。“当整个行业还在设法解决闪存技术的升级能力的时候，恒忆推出的产品无论从架构还是连续性上都达到甚至超过了客户对成本和可靠性的要求，这确实是一项了不起的成就，”Doller表示。

      恒忆正在一定的密度和数量范围内检测新产品样片，计划今年推出采用这项新技术的产品。预计2010年开始量产。恒忆还计划将此项技术部署到所有的嵌入式闪存解决方案中，把连续性架构的性能优点以及稳定性和可靠性扩展到主要嵌入式市场。