存储器望出现DRAM、NAND Flash双好行情

发布者:雷电狂舞最新更新时间:2009-09-15 来源: DigiTimes 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

        DRAM价格趋于稳定,1Gb容量提前在9月初站上1.7美元,台厂面对这样美好的光景,心中还是有些疑虑,担心三星电子(Samsung Electronics)会从中作梗,破坏DRAM价格涨势,然现在苹果(Apple)强劲追加NAND Flash订单,且随著智能型手机价格平民化的趋势,未来内建高容量存储器普及,都让各界相当看好2010年NAND Flash市场前景,三星在喜迎苹果大单之余,也无暇与台系DRAM厂厮杀,暌违多年的DRAM和NAND Flash双好行情可望再现。

    2009 年存储器产业触底反弹的步调相当健康,年初由NAND Flash领涨,之后再由DRAM接棒,但NAND Flash价格虽然涨势熄火,但也未回档太多,而DRAM价格在9月初提前攻上1.7美元之时,NAND Flash市场也传出捷报,在苹果追加订单的情况下,NAND Flash在供给短缺的情况下,价格可望稳步攀坚,也让惊惊涨的DRAM吃下定心丸,未来DRAM和NAND Flash轮流表现的态势,可望让整个存储器价格走向正循环。

    9月上旬的DRAM价格再度大涨7~8%,现货价格更是提前攻上1.7美元,让台系DRAM厂再度尝到逐渐走出产业春燕来临的滋味,但这样惊惊涨的格局,最担心的是三星从中作梗,以目前三星超过30%的市占率,随时可以左右市场价格,具有喊水会结冻的能力。

    然日前苹果送给NAND Flash市场一大礼,向三星、美光(Micron)和海力士(Hynix)等大厂追加订单之余,也等于送给DRAM市场一个大礼,三星忙著喜迎苹果大单,专心将产能好好伺候这位大客户,因此无暇厮杀DRAM市场,台厂可大大松了一口气,专心朝转亏为盈之路打拼。

    业界指出,三星未来的产能配置会以NAND Flash为优先,而过去DRAM和NAND Flash技术相近之故,双方产能可随时依照市场需求而互换,但这次受到制程限制因素,新增的NAND Flash制程无法转回DRAM产能,更让DRAM厂宽心,短期内三星对于DRAM市场的干扰程度会降低。

    在终端需求方面,手机已成为 NAND Flash市场众望所归的最大应用,主要是受惠智能型手机价格逐渐平民化,过去内建8GB和16GB存储器容量的技术和应用,只会用在1支动辄数万元的智能型手机,但未来智能型手机价格下降,将取代一般手机掀起换机潮,在竞争激烈下,内建存储器容量可望朝32GB和64GB移动,对NAND Flash产业是大利多。

引用地址:存储器望出现DRAM、NAND Flash双好行情

上一篇:业界高层预言关于NAND闪存市场的8大趋势
下一篇:手机内建NAND Flash风潮

小广播
最新手机便携文章
换一换 更多 相关热搜器件
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved