Maxim先进的SiGe BiCMOS工艺使得这两款宽带LNA同时具有优异的性能和极为紧凑的封装。器件提供15dB增益,1.0dB的低噪声系数可实现优于分立或CMOS方案的接收灵敏度,工作在I、IV、V、VI、VII和X UMTS频段。Maxim的创新设计使器件可提供微型封装(1.5mm x 1.0mm x 0.55mm),从而可应用于手持设备和基于蜂窝网络的数据卡等空间受限的系统。只需一个外部元件即可完成板级设计。
与Maxim其它的LNA相同,器件极低的功耗和电源电压可有效延长终端设备中的电池使用寿命。MAX2666/MAX2668正常工作时的电源电流仅为3.8mA (典型值),最低增益模式下的电流低于100μA。器件采用2.7V至3.3V电源供电。MAX2666/MAX2668工作在-40°C至+85°C扩展级温度范围,采用6引脚超薄焊盘栅格阵列(LGA)封装。
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