华新科技推出射频专用Hi-Q Low ESR积层陶瓷电容器

发布者:温柔花香最新更新时间:2011-05-30 来源: 微波射频网 关键字:Hi-Q  Low  ESR  积层陶瓷电容器 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章
   

    近 年来,随着无线通讯市场的快速普及及大量数位资料的传输需求,相关通讯设备的传输频率迅速往上提升,从早期900/1,800MHz GSM系统快速发展至今日3G手机与无线网路通讯( Wi-Fi),所使用的传输频率都在2GHz以上,甚至将来的60GHz应用也有越来越多的讨论,如表1。

    由于高频讯号传输上,对于讯号的品质要求相当高,具备「低等效串联电阻(low ESR;即低耗能)及优越的高频率特性(high Q;即高讯号品质)」之高频通讯用积层陶瓷电容器(RF-application MLCC),成为近期在积层陶瓷电容器技术发展上的重要研发项目。 MLCC的等效电路如图1说明,当频率升高时,实体元件中的ESR与ESL寄生效应都一一浮现,造成元件阻抗随频率升高而降低,直到自我谐振频率 (Self-resonant frequency; SRF)后阻抗才又升高,但此时元件特性已经从电容性转变为电感性。


图3,ESR与内电极材料的演进趋势。 

     
图5,HF performance comparison。

    也就是说,当MLCC的ESR与ESL越低,将会越接近纯电容,其自我谐振频率会往越高频率移动,更适合在高频方面应用。以下列公式说明讯号通过电容器所耗用的功率与比较图2,可以明显发现Hi-Q MLCC在高频率应用的优越之处:

Power Dissipation (Pd) on Capacitor = i2 * (XC/Q) or i2 * (ESR)

    为了达成降低电容器的等效串联电阻的目的,核心技术在于金属内电极与微波介电陶瓷材料的开发,以及共烧技术的实现。以过去10年间,内电极材料由贵金属钯/银30/70 的成份,藉由银的优异导电性与比重增加、降低钯的比重,大幅改善了ESR水准。近年来一般泛用型的NPO MLCC多采用10/90 或3/97钯银成份作为内电极材料,但ESR无法再进一步有效降低,除非改用纯铜或纯银内电极。如图 3。

    然而,纯度接近100%的银内电极导电性虽然极为优越,却会有银离子迁移(migration)的问题。由于一旦银迁移的现象产生,将导致产品可靠度与品质的问题(例如内电极短路、耐电压能力下降),于是诸多国际大厂纷纷宣告禁用纯银电极的产品。

    纯铜的材料特性有着与纯银极为接近的导电性与频率特性,却无离子迁移、导致可靠度不佳的问题。但碍于纯铜内电极制程的困难度远远高于纯银内电极系统,如图4所示,包含内电极材料、介电陶瓷材料、端电极材料、内电极电路设计与介电陶瓷共烧技术都必须有所突破,导致市场上可提供纯铜内电极高频用的MLCC目前仅有日系厂商独占一方。

    华新科技身为台湾电子陶瓷被动元件领导厂商,综观内部核心技术及市场需求,成功自行研发出NP0-Cu MLCC低温烧结材料系统,由高品质因子的微波介电陶瓷与导电性极佳的铜金属电极组成,并导入新式卑金属低温共烧制程(BME-Cu),与超低等效串联电阻之内电极设计,并取得多项材料与技术专利。如图5与日系厂商在高频特性的比较,可发现华新科技RF系列的NPO-Cu MLCC表现甚至超越日系厂商。

    此一系列产品的推出,不仅大幅提升台湾陶瓷元件的制作技术水平,更打破日商垄断的局面,能进一步与日系大厂并驾齐驱,并可提供台湾系统厂商相较日系供应商更快速的产品交期、经济的购得成本与即时完整的技术服务,使得通讯产业能加快产品问世速度,亦在全球性竞赛中持续保有其竞争力。

关键字:Hi-Q  Low  ESR  积层陶瓷电容器 引用地址:华新科技推出射频专用Hi-Q Low ESR积层陶瓷电容器

上一篇:3.4/5.5GHz双阻带特性的超宽带天线设计
下一篇:手机天线附近大脑活跃度高?

推荐阅读最新更新时间:2024-05-03 11:32

电源完整性设计之ESR对反谐振的影响
ESR对反谐振(Anti-Resonance)的影响 Anti-Resonance 给电源去耦带来麻烦,但幸运的是,实际情况不会像图12显示的那么糟糕。 实际电容除了LC之外,还存在等效串联电阻ESR。 因此,反谐振点处的阻抗也不会是无限大的。实际上,可以通过计算得到反谐振点处的阻抗为 现代工艺生产的贴片电容,等效串联阻抗很低,因此就有办法控制电容并联去耦时反谐振点处的阻抗。 等效串联电阻ESR使整个电源分配系统的阻抗特性趋于平坦。 其中,X为反谐振点处单个电容的阻抗虚部(均相等)。
[电源管理]
电源完整性设计之<font color='red'>ESR</font>对反谐振的影响
机动车电磁兼容测试与应用
一、机动车电磁兼容的现状 随着汽车工业技术的飞速发展,越来越多的先进电子技术应用到汽车工业领域。电子电器部件的投入成本已超过机动车总成本的40%。汽车上的电子部件涉及车辆的发动机控制、自动变速箱控制、牵引力分配控制、防抱制动控制、安全带和气囊控制以及智能化、舒适性、通行信息管理等系统。同时车辆的电子电气系统在周围有强大的电磁场环境下不能受到干扰,还具有不能干扰周围其他车辆和设备电气系统以及无线电广播和通信。 机动车对环境的电磁干扰已被视作与噪声、排放同等重要的公害,涉及到环境保护、人身健康、行驶安全等。 机动车整车及零部件工作环境通常很恶劣,始终处于一个充满电磁相互干扰的环境,为了避免互相干扰,车辆必须具有
[汽车电子]
陶瓷电容器: TDK推出新型低电阻软终端型陶瓷电容器,进一步扩大其MLCC产品阵容
新产品中的树脂层仅覆盖板安装侧 基于TDK自主设计和结构,实现高可靠性和低电阻 新产品进一步增加了电容,3216和3225型的电容分别为22 ㎌和47 ㎌ 升级至车载等级(符合AEC-Q200标准)和商用等级 积层陶瓷电容器: TDK推出新型低电阻软终端型积层陶瓷电容器,进一步扩大其MLCC产品阵容 产品的实际外观与图片不同。 TDK标志没有印在实际产品上。 TDK株式会社采用独特的设计和结构,扩充其CN系列积层陶瓷电容器(MLCC)产品。 不同于以树脂层覆盖整个端电极的传统软终端MLCC,新产品的树脂层仅覆盖板安装侧,使得电流能够传输至层外,从而降低电阻。采用这一结构的软终端积层陶瓷电容器为
[电源管理]
<font color='red'>积</font><font color='red'>层</font><font color='red'>陶瓷电容器</font>: TDK推出新型低电阻软终端型<font color='red'>积</font><font color='red'>层</font><font color='red'>陶瓷电容器</font>,进一步扩大其MLCC产品阵容
Vishay的T59系列vPolyTanTM低ESR聚合物电容器荣获2017 ECN IMPACT奖
电子网消息,日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,其T59系列vPolyTanTM多阳极聚合物表面贴装片式电容器荣获2017 ECN IMPACT奖。此项评选活动由ECN杂志主办,颁发给在设计和工程领域的18个门类的顶尖产品和服务。Vishay的T59系列因提高了体积效率,减少了计算、通信和工业应用的元器件数量,节省PCB空间,降低整体解决方案的成本,从而获得“无源元件和分立半导体”类奖项。 T59系列电容器的体积效率比类似器件高25%,具有业内最高的电容密度。例如,T59电容器在30V下的电容为150μF,比最接近的竞争器件的电容高3倍。另外,电容器采用了专利的多阵列包装(MAP)和多阳极结构,
[半导体设计/制造]
意法半导体Bluetooth® Low Energy应用处理器模块通过认证
意法半导体研制出一款立即可用的Bluetooth® Low Energy (BLE)智能蓝牙模块SPBTLE-1S,该模块提供了射频系统所需的全部元器件。新BLE蓝牙模块集成了意法半导体公司久经市场检验及认可的BlueNRG-1应用处理器系统芯片(SoC)、平衡不平衡转换器、高频振荡器和芯片天线等元器件。下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。 为帮助产品创新者简化智能物联网硬件的原型设计和产品开发, 意法半导体 研制出一款立即可用的Bluetooth® Low Energy (BLE)智能蓝牙模块SPBTLE-1S,该模块提供了射频系统所需的全部元器件。新BLE蓝牙模块集成了 意法半导体 公司久经市场检验及认可的BlueNR
[嵌入式]
用于智能卡供电的集成式DC/DC转换器设计
  针对智能卡供电,本文提出了一种集成式DC/DC转换器结构并分析了它的工作原理。该系统效率可达到85%,拥有足够的鲁棒性,可满足所有复杂的ISO7816-3规范,并已通过EMV和EMV Co认证程序1级和2级认证。该结构特别适用于便携式收款机(POS)等智能卡应用。   智能卡的工作电压已经升级到可适用于任何专门针对这种应用的芯片。最初的ISO7816-3和EMV (Europay/Master card/Visa)文件现在包括1.8V、3.0V和5.0V作为适用的工作电源。因此,位于卡和微控制器之间的物理接口必须能够将上述任何一种电源和主MPU适配。电源必须保持表1中规定的工作条件。另外,电源必须能在750μs内断开和
[电源管理]
用于智能卡供电的集成式DC/DC转换器设计
小广播
最新手机便携文章
换一换 更多 相关热搜器件
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved