Panasonic开发出新型ReRAM　写入速度较NAND Flash快20倍

     综合外电 日本电子大厂Panasonic日前发表声明表示，开发出名为ReRAM的新型次世代记忆体，据称写入速度较目前主流NAND Flash还要快上20倍，新型记忆体除了在回路及构造上有所改变外，储存容量也有明显增加。

    据日本经济新闻报导，Panasonic以目前大量普及的智慧型手机及平板电脑为目标市场，开发出较NAND Flash更大更快的记忆体，预计可在2~3年后正式量产。

     由Panasonic开发出、名为ReRAM的次世代记忆体，并非以电晶体(transistors)打造，而是透过新型的二极体，其运作方式与DRAM相反，在未通电的情况下，同样可存储数据，相较之下DRAM一旦断电，原先存储的数据便会因此消失。

     据了解，因ReRAM可透过现有的半导体制造装置生产，因此Panasonic预计将可令生产成本降至与一般快闪记忆体相同，今后主要研究方向将为如何增加其储存容量。

    Panasonic本已计划于2012年推出ReRAM的相关量产计划，此次开发出的新型ReRAM，则是拥有先前产品约2倍的写入速度。随着可携式产品不断普及，新记忆体事业将可望成为该公司的收入支柱。

    ReRAM因资讯处理速度、耗电量等表现均优于目前被广泛运用的快闪记忆体，! 是以被视为业界期待的次世代记忆体，目前有尔必达(Elpida)、东芝(Toshiba)、惠普(HP)等大厂积极开发。